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1. 发明申请

WO2013079304A1 HOCHSPANNUNGS-TRENCH-JUNCTION-BARRIER-SCHOTTKYDIODE 审中-公开
标题翻译：高压沟槽结势垒肖特基
公开(公告)号：WO2013079304A1
公开(公告)日：2013-06-06
申请号：PCT/EP2012/072378
申请日：2012-11-12
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , QU, Ning , GOERLACH, Alfred
发明人： QU, Ning , GOERLACH, Alfred
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/8725 , H01L29/0634 , H01L29/47 , H01L29/861 , H01L29/872
摘要： Die Erfindung betrifft eine Schottkydiode, die ein n + -Substrat, eine n-Epischicht, mindestens zwei in die n-Epischicht eingebrachte p-dotierte Gräben, Mesabereiche zwischen benachbarten Gräben, eine als Kathodenelektrode dienende Metallschicht und eine als Anodenelektrode dienende weitere Metallschicht aufweist. Die Dicke der Epischicht ist größer als das Vierfache der Tiefe der Gräben.
摘要翻译：本发明涉及一种肖特基二极管，具有n +衬底，n外延层，至少两个引入到相邻的沟槽之间的n外延层的p掺杂沟槽台面，作为阴极电极的金属层和作为金属构成的阳极电极进一步层。外延层的厚度是沟槽大于四倍的深度。

2. 发明申请

WO2007135146A1 HALBLEITERBAUELEMENT UND GLEICHRICHTERANORDNUNG 审中-公开
标题翻译：半导体部件和整流器布置
公开(公告)号：WO2007135146A1
公开(公告)日：2007-11-29
申请号：PCT/EP2007/054939
申请日：2007-05-22
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , SPITZ, Richard , GOERLACH, Alfred , WOLF, Gert , QU, Ning , MUELLER, Markus
发明人： SPITZ, Richard , GOERLACH, Alfred , WOLF, Gert , QU, Ning , MUELLER, Markus
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/866 , H01L29/16 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/737
CPC分类号： H01L29/861 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/22 , H01L29/7371 , H01L29/866 , H01L29/872
摘要： Es werden Halbleitereinrichtungen, sogenannte Hetero-Junction-Dioden (HJD) und Gleichrichteranordnungen mit derartigen Halbleitereinrichtungen angegeben. Die Hetero- Junction-Dioden (HJD) setzen sich zusammen aus unterschiedlichen Halbleitermaterialien, insbesondere Silizium-Germanium und Silizium, die jeweils unterschiedlich dotiert sind. Durch Wahl des Germaniumanteils sowie der Dichte der SiGe-Schicht lassen sich Eigenschaften wie Durchbruchspannung und Sperrstrom der Diode in gewissen Bereichen einstellen. Die Hetero-Junction-Dioden (HJD) sind in Gleichrichteranordnungen, beispielsweise für Generatoren in Kraftfahrzeugen eingesetzt, wobei zusätzlich zu den Hetero-Junction-Dioden (HJD) weitere Halbleiterelemente geschaltet sein können, beispielsweise Schottky-Dioden, Zenerdioden oder Feldplatten. Durch die geringe Flussspannung der Hetero-Junction-Dioden (HJD) wird der Wirkungsgrad sowie die Abgabeleistung im Leerlauf des Generators gegenüber herkömmlichen Halbleiterbrücken verbessert.
摘要翻译：有标有这样的半导体器件，半导体器件，所谓的异质结二极管（HJD）和整流器组件。异质结二极管（HJD）由不同的半导体材料，特别是硅 - 锗和硅中，每个不同地掺杂。由锗含量的选择和SiGe层属性的密度可击穿电压和在设定特定区域的二极管的阻断电流。异质结二极管（HJD）在整流装置中使用，例如用于在机动车发电机，除异质结二极管（HJD）其它半导体元件可以被连接，例如，肖特基二极管，齐纳二极管或场板。由于异质结二极管（HJD）发电机空转期间的效率和功率输出的低正向电压超过常规半导体桥被改善。

3. 发明申请

WO2003043086A3 VERFAHREN ZUM ERFASSEN VON STRÖMEN IN EINEM HALBLEITERBAUELEMENT MIT EINEM MULTI-ZELLEN-STROMSENSOR 审中-公开
公开(公告)号：WO2003043086A3
公开(公告)日：2003-05-22
申请号：PCT/DE2002/003870
申请日：2002-10-11
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , FEILER, Wolfgang , QU, Ning
发明人： FEILER, Wolfgang , QU, Ning
IPC分类号： H01L27/02
摘要： Die Erfindung schafft ein Verfahren zum Erfassen von Strömen in einem Halbleiterbauelement (100), wobei mindestens eine Stromsensorzelle (101) in einem aktiven Bereich (102) eines Halbleiterbauelements (100) angeordnet wird, wobei die mindestens eine Stromsensorzelle (101) an vorgebbaren lokalen Stellen in dem Halbleiterbauelement positionierbar ist, eine erste Source-Anschlusseinheit (111) der Stromsensorzelle (101) mit einem Bondanschluss (203) über Leiterbahnen (204) verbunden wird, mindestens ein Strom von einem Substrat (104) des Halbleiterbauelements (100) über die mindestens eine Stromsensorzelle (101), die erste Source-Anschlusseinheit (111) und ein Sensorwiderstandselement (113) zu einem Masseanschluss (116) durchgeleitet wird, und mindestens ein durch die mindestens eine Stromsensorzelle fließender Strom durch Abgreifen eines dem Strom entsprechenden Spannungsabfalls über dem Sensorwiderstandselement (113) erfasst wird.

4. 发明申请

WO2002059629A3 VORRICHTUNG, STROMMESSER UND KRAFTFAHRZEUG 审中-公开
公开(公告)号：WO2002059629A3
公开(公告)日：2002-08-01
申请号：PCT/DE2002/000232
申请日：2002-01-24
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , ERNST, Stephan , QU, Ning
发明人： ERNST, Stephan , QU, Ning
IPC分类号： G01R15/20
摘要： Es wird eine Vorrichtung, ein Strommesser und ein Kraftfahrzeug vorgeschlagen, wobei die Vorrichtung zur Messung der elektrischen Stromstärke eines stromdurchflossenen Leiters (1) dient, wobei ein Sensormittel (5) vorgesehen ist, wobei das Sensormittel (5) mechanisch biegsam vorgesehen ist und wobei das Sensormittel (5) an der Oberfläche des Leiters (1) entsprechend der Oberlfläche des Leiters (1) gebogen ist.

5. 发明申请

WO2002059629A2 VORRICHTUNG, STROMMESSER UND KRAFTFAHRZEUG 审中-公开
标题翻译：设备，电表和机动车
公开(公告)号：WO2002059629A2
公开(公告)日：2002-08-01
申请号：PCT/DE2002/000232
申请日：2002-01-24
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , ERNST, Stephan , QU, Ning
发明人： ERNST, Stephan , QU, Ning
IPC分类号： G01R15/20
CPC分类号： G01R15/207
摘要： Es wird eine Vorrichtung, ein Strommesser und ein Kraftfahrzeug vorgeschlagen, wobei die Vorrichtung zur Messung der elektrischen Stromstärke eines stromdurchflossenen Leiters (1) dient, wobei ein Sensormittel (5) vorgesehen ist, wobei das Sensormittel (5) mechanisch biegsam vorgesehen ist und wobei das Sensormittel (5) an der Oberfläche des Leiters (1) entsprechend der Oberlfläche des Leiters (1) gebogen ist.
摘要翻译：它是一种装置，电流表和提出了一种机动车辆，其特征在于，该装置用于测量载流导体（1），其中，传感器装置（5）提供的电流强度，其中，所述传感器装置（5）是机械柔性的，并且其中所述传感器装置（5）根据Oberlfläche所述导体（1）的表面上的导体（1）是弯曲的。

6. 发明申请

WO2014195131A1 HOCHSPANNUNGS-TRENCH-JUNCTION-BARRIER-SCHOTTKYDIODE MIT P-SCHICHTEN UNTER DEM SCHOTTKY-KONTAKT 审中-公开
标题翻译：肖特基P层肖特基接触在高电压沟槽结势垒
公开(公告)号：WO2014195131A1
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：PCT/EP2014/060400
申请日：2014-05-21
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： QU, Ning , GOERLACH, Alfred
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/872 , H01L29/0619
摘要： Die Erfindung betrifft eine Schottkydiode, aufweisend ein n + -Substrat (10), eine n-Epischicht (20), die eine Dicke ( D_epi ) aufweist, mindestens zwei in die n-Epischicht (20) eingebrachte Gräben (70), die jeweils eine Breite ( Wt )und eine Tiefe ( Dt ) aufweisen, Mesa-Bereiche (80) zwischen benachbarten Gräben (70), wobei die Mesa-Bereiche jeweils eine Breite ( Wm ) aufweisen, eine einen ohmschen Kontakt bildende und als Kathodenelektrode dienende erste Metallschicht (60) an der Rückseite (R) der Schottkydiode sowie eine einen ohmschen Kontakt zu den Gräben (70) und einen Schottky- Kontakt zu der n-Epischicht (20) bildende und als Anodenelektrode dienende zweite Metallschicht (50) an der Vorderseite (V) der Schottkydiode, wobei p-Schichten (90) mit einer Dicke ( D _p )und einer Dotierkonzentration ( N _p )direkt unter dem Schottky-Kontakt angeordnet sind, die zusammen mit der zweiten Metallschicht (50) und der n-dotierten Epischicht (20) ein Schottky-Kontaktsystem bilden.
摘要翻译：本发明涉及一种肖特基二极管，包括具有引入至少两个在n外延层（20）的沟槽（70）的厚度（D_epi）的n +型衬底（10），一个n外延层（20），每一个都具有宽度（w）和深度（DT），其台面区（80）相邻沟槽之间（70），所述台面区每个具有的宽度的欧姆接触形成和作为阴极电极的第一金属层（WM）（ 60）（在后侧R）的肖特基二极管和欧姆接触，以在沟槽（70）和一个肖特基接触形成并作为在所述前侧的阳极电极的第二金属层（50）（V n型外延层（20）的）肖特基二极管，其特征在于，具有厚度和掺杂浓度（N _p）p-层（90）（_p D）是下肖特基接触直接设置的，其与所述第二金属层（50）和n型掺杂的外延层一起（20 ）形成肖特基接触系统。

7. 发明申请

WO2013017413A1 SUPER-JUNCTION-SCHOTTKY-PIN-DIODE 审中-公开
标题翻译： SUPER-结肖特基PIN二极管
公开(公告)号：WO2013017413A1
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：PCT/EP2012/064146
申请日：2012-07-19
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , QU, Ning , GOERLACH, Alfred
发明人： QU, Ning , GOERLACH, Alfred
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/329
CPC分类号： H01L29/0634 , H01L29/0649 , H01L29/66143 , H01L29/868 , H01L29/872
摘要： Die Erfindung betrifft einen Halbleiterchip, der ein n + -dotiertes Substrat, über dem sich eine n-dotierte Epischicht mit in die Epischicht eingebrachten, mit p-dotiertem Halbleitermaterial gefüllten Gräben, die an ihrer Oberseite jeweils einen hoch p-dotierten Bereich aufweisen, derart befindet, dass eine alternierende Anordnung von n-dotierten Bereichen mit einer ersten Breite und p-dotierten Bereichen mit einer zweiten Breite vorliegt. Des Weiteren enthält der Chip eine an seiner Vorderseite vorgesehene erste Metallschicht, die einen Schottky-Kontakt mit der n-dotierten Epischicht und einen ohmschen Kontakt mit den hoch p-dotierten Bereichen bildet und als Anodenelektrode dient. An der Rückseite des Halbleiterchips ist eine zweite Metallschicht vorgesehen, die einen ohmschen Kontakt darstellt und als Kathodenelektrode dient. Zwischen einem n-dotierten Bereich und einem benachbarten p-dotierten Bereich ist jeweils eine dielektrische Schicht vorgesehen.
摘要翻译：本发明涉及一种半导体芯片，其是n +掺杂的衬底，在其上已经被引入到外延层的n型掺杂的外延层，填充有p型掺杂的半导体材料的沟槽，每一个都具有在其顶部的高p型掺杂的区域，位于以这样的方式那的n型掺杂的区域的交替排列存在具有第一宽度和p掺杂区具有第二宽度。还包括提供形成具有n型掺杂的外延层形成肖特基接触，并且与所述高度p掺杂区形成欧姆接触的前侧的第一金属层上的芯片上，作为阳极电极。在半导体芯片的背面，第二金属层被提供，其是一种欧姆接触和用作阴极电极。 n型掺杂的区域和相邻p掺杂区之间，介电层在每种情况下提供的。

8. 发明申请

WO2011057841A1 SCHUTZELEMENT FÜR ELEKTRONISCHE SCHALTUNGEN 审中-公开
标题翻译：保护元件电子电路
公开(公告)号：WO2011057841A1
公开(公告)日：2011-05-19
申请号：PCT/EP2010/063849
申请日：2010-09-21
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , QU, Ning , GOERLACH, Alfred
发明人： QU, Ning , GOERLACH, Alfred
IPC分类号： H01L27/02
CPC分类号： H01L27/0248 , H01L29/866 , H01L29/872 , H01L29/8725
摘要： Es wird ein Schutzelement mit einer integrierten Halbleiteranordnung und ein Herstellungsverfahren für ein solches Schutzelement beschrieben, mit wenigstens einer Schottkydiode (S) und wenigstens einer Z- oder Zenerdiode (Z), die zwischen eines Stromversorgung und einer Elektronik liegen, beschrieben, wobei die Anode der Schottkydiode (S) mit der Stromversorgung und die Kathode der Schottkydiode (S) mit der Elektronik und der Kathode der Zenerdiode verbunden ist und deren Anode mit Masse in Verbindung steht. Die Schottkydiode (S) ist eine Trench-MOS-Barrier-Junction Diode oder Trench-MOS-Barrier-Schottky Diode (TMBS)-Diode oder eine Trench-Junction-Barrier-Schottky-Diode (TJBS)-Diode und umfasst eine integrierte Halbleiteranordnung, die wenigstens eine Trench-MOS-Barrier-Schottky-Diode und ein p-dotiertes Substrat aufweist, das als Anode der Z- oder Zenerdiode (Z) dient.
摘要翻译：有一个保护性元件，其包括集成半导体器件和描述了用于这样的保护元件的制造方法，具有至少一个肖特基二极管（S）和至少一个Z或齐纳二极管（Z），其位于电源和所述的电子设备，的阳极之间肖特基二极管（S）与电源和肖特基二极管（S）与所述电子器件的阴极和所述齐纳二极管的阴极和其阳极被连接到地。肖特基二极管（S）是一种Trench MOS势垒结二极管或沟槽MOS势垒肖特基二极管（TMBS）二极管或沟槽结势垒肖特基二极管（TJBS）二极管和包括集成的半导体装置具有至少一个沟槽MOS势垒肖特基二极管和p掺杂的衬底，其用作齐纳二极管Z或（Z）的阳极。

9. 发明申请

WO2011015398A1 SCHOTTKY DIODE MIT SUBSTRAT PN DIODE 审中-公开
标题翻译：与底物PN二极管肖特基二极管
公开(公告)号：WO2011015398A1
公开(公告)日：2011-02-10
申请号：PCT/EP2010/058168
申请日：2010-06-10
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , QU, Ning , GOERLACH, Alfred
发明人： QU, Ning , GOERLACH, Alfred
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/872 , H01L29/861
摘要： Es wird eine Halbleiteranordnung mit einer Trench-Junction-Barrier-Schottky-Diode mit integrierter Substrat-PN-Diode (TJBS-Sub-PN), als Klammerelement, die sich insbesondere als Z-Diode mit einer Durchbruchspannung von ca. 20V zum Einsatz in Kfz-Generatorsystemen eignet, beschrieben. Dabei besteht die TJBS-Sub-PN aus einer Kombination von Schottky-Diode, Epi-PN-Diode und Substrat-PN-Diode und die Durchbruchspannung der Substrat-PN-Diode BV_pn ist niedriger als die Durchbruchspannung der Schottky-Diode BV_schottky und die Durchbruchspannung der Epi-PN-Diode BV_epi .
摘要翻译：它是具有具有集成基板PN二极管（TJBS子PN），作为夹紧元件，其中，特别地，在具有约20V的击穿电压的齐纳二极管被用于沟槽结势垒肖特基二极管的半导体装置汽车发电机系统进行说明。还有就是TJBS子PN从肖特基二极管，外延PN二极管和衬底PN二极管和衬底PN二极管BV_pn大于肖特基二极管BV_schottky的击穿电压，击穿电压低的击穿电压的组合 EPI-PN二极管BV_epi。

10. 发明申请

WO2006048387A1 HALBLEITEREINRICHTUNG UND VERFAHREN FÜR DEREN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法SAME
公开(公告)号：WO2006048387A1
公开(公告)日：2006-05-11
申请号：PCT/EP2005/055463
申请日：2005-10-21
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , GOERLACH, Alfred , QU, Ning
发明人： GOERLACH, Alfred , QU, Ning
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/861 , H01L21/329 , H01L29/866
CPC分类号： H01L29/66143 , H01L29/0619 , H01L29/8611 , H01L29/872 , H01L29/8725
摘要： Die Erfindung betrifft eine Halbleitereinrichtung (30) umfassend eine Trench-Junction-Barrier-Schottky-Diode mit integrierter PN-Diode, sowie Verfahren für deren Herstellung.
摘要翻译：本发明涉及包括具有集成的PN二极管的沟槽结势垒肖特基二极管的半导体器件（30），以及它们的制备方法。

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