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    • 5. 发明授权
      US5118384A Reactive ion etching buffer mask 失效
    • Reactive ion etching buffer mask
    • 反应离子蚀刻缓冲掩模
    • US5118384A
    • 1992-06-02
    • US807960
    • 1991-12-10
    • David L. Harmon , Michael L. Kerbaugh , Nancy T. Pascoe , John F. Rembetski
    • David L. Harmon , Michael L. Kerbaugh , Nancy T. Pascoe , John F. Rembetski
    • H01L21/3065 , H01L21/308
    • H01L21/3065 , H01L21/3085
    • An improved mask and method of forming a deep and uniform width trench in a substrate and the resulting structure is disclosed. A substrate material such as silicon has deposited thereon a first layer of sacrificial material as a first component of an etch mask, the sacrificial material being a material such as polysilicon that is either etched by or absorbs the same ions which reactively ion etch the substrate. A second layer of material, which resists reactive ion etching, such as silicon dioxide, is deposited over the first layer of material as a second component of the etch mask. The silicon dioxide is patterned in the form of the trench to be formed in the substrate. The layer polysilicon material is then reactive ion etched and the reactive ion etching continued to form a trench in the silicon substrate. The polysilicon acts as a sacrificial material being etched by any ions that are reflected from the silicon dioxide or are directed at an angle such that they strike the layer of polysilicon material. Thus, only those ions which are directed essentially normal to the underlying substrate perform the trench etching. This allows the trench to have essentially straight side walls and to be of essentially uniform width.
    • 公开了一种在衬底中形成深而均匀的宽度沟槽的改进的掩模和方法，并且所得到的结构被公开。 诸如硅的衬底材料在其上沉积有第一层牺牲材料作为蚀刻掩模的第一组分，牺牲材料是诸如多晶硅的材料，其被蚀刻或吸收相同的离子，其反应离子蚀刻衬底。 作为蚀刻掩模的第二组分，第二层材料，其抵抗反应离子蚀刻，例如二氧化硅，沉积在第一材料层上。 二氧化硅以形成在衬底中的沟槽的形式构图。 然后层状多晶硅材料被反应离子蚀刻，并且反应离子蚀刻继续在硅衬底中形成沟槽。 多晶硅充当被二氧化硅反射的任何离子蚀刻的牺牲材料，或以一定角度被引导使得它们撞击多晶硅材料层。 因此，仅基本上垂直于下面的衬底的那些离子执行沟槽蚀刻。 这允许沟槽具有基本上直的侧壁并且具有基本均匀的宽度。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Global Dossier Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 6. 发明授权
      US5298790A Reactive ion etching buffer mask 失效
    • Reactive ion etching buffer mask
    • 反应离子蚀刻缓冲掩模
    • US5298790A
    • 1994-03-29
    • US958462
    • 1992-10-08
    • David L. Harmon , Michael L. Kerbaugh , Nancy T. Pascoe , John F. Rembetski
    • David L. Harmon , Michael L. Kerbaugh , Nancy T. Pascoe , John F. Rembetski
    • H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L29/68 , H01L29/04 , H01L29/06
    • H01L21/3085 , H01L21/3065
    • An improved mask and method of forming a deep and width trench in a substrate and the resulting structure is disclosed. A substrate material such as silicon has deposited thereon a first layer of sacrificial material as a first component of an etch mask, the sacrificial material being a material such as polysilicon that is either etched by or absorbs the same ions which reactively ion etch the substrate. A second layer of material, which resists reactive ion etching, such as silicon dioxide, is deposited over the first layer of material as a second component of the etch mask. The silicon dioxide is patterned in the form of the trench to be formed in the substrate. The layer polysilicon material is then reactive ion etched and the reactive ion etching continued to form a trench in the silicon substrate. The polysilicon acts as a sacrificial material being etched by any ions that are reflected from the silicon dioxide or are directed at an angle such that they strike the layer of polysilicon material. Thus, only those ions which are directed essentially normal to the underlying substrate perform the trench etching. This allows the trench to have essentially straight side walls and to be of essentially uniform width.
    • 公开了一种在衬底中形成深和宽沟槽的改进掩模和方法，并且所得到的结构被公开。 诸如硅的衬底材料在其上沉积有第一层牺牲材料作为蚀刻掩模的第一组分，牺牲材料是诸如多晶硅的材料，其被蚀刻或吸收相同的离子，其反应离子蚀刻衬底。 作为蚀刻掩模的第二组分，第二层材料，其抵抗反应离子蚀刻，例如二氧化硅，沉积在第一材料层上。 二氧化硅以形成在衬底中的沟槽的形式构图。 然后层状多晶硅材料被反应离子蚀刻，并且反应离子蚀刻继续在硅衬底中形成沟槽。 多晶硅充当被二氧化硅反射的任何离子蚀刻的牺牲材料，或以一定角度被引导使得它们撞击多晶硅材料层。 因此，仅基本上垂直于下面的衬底的那些离子执行沟槽蚀刻。 这允许沟槽具有基本上直的侧壁并且具有基本均匀的宽度。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Global Dossier Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
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