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1. 发明申请

WO2006082155A1 MIKROMECHANISCHES BAUELEMENT UND ENTSPRECHENDES HERSTELLUNGSVERFAHREN 审中-公开
标题翻译：微机械结构及相应方法
公开(公告)号：WO2006082155A1
公开(公告)日：2006-08-10
申请号：PCT/EP2006/050439
申请日：2006-01-25
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , REICHENBACH, Frank , LÄRMER, Franz , KRONMÜLLER, Silvia , SCHELLING, Christoph , FUCHS, Tino , LEINENBACH, Christina
发明人： REICHENBACH, Frank , LÄRMER, Franz , KRONMÜLLER, Silvia , SCHELLING, Christoph , FUCHS, Tino , LEINENBACH, Christina
IPC分类号： B81B3/00 , B81C1/00
CPC分类号： G01L9/0073 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81C1/00182 , G01L9/0042 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/00
摘要： Die Erfindung schafft ein mikromechanisches Bauelement einem leitfähigen Substrat (1; 1', 17, 19); einer elastisch auslenkbaren Membran (M; M') mit mindestens einer leitfähigen Schicht (9; 9a), welche über einer Vorderseite (V) des Substrats (1; 1', 17, 19) vorgesehen ist, wobei die leitfähige Schicht (9; 9a) gegenüber dem Substrat (1; 1', 17, 19) elektrisch isoliert ist; einem mit einem Medium gefülltem Hohlraum (H; H'), der zwischen dem Substrat (1; 1', 17, 19) und der Membran (M; M') vorgesehen ist; und einer Mehrzahl von unter der Membran (M; M') durch das Substrat (1; 1', 17, 19) verlaufenden Perforationsöffnungen (15; 15``; 15```); wobei die Perforationsöffnungen (15; 15``; 15```) einen Zugang zu dem Hohlraum (H; H') von einer Rückseite (R) des Substrats (1; 1', 17, 19) her schaffen, so dass ein im Hohlraum (H; H') befindliches Volumen des Mediums bei einer Auslenkung der Membran (M) veränderbar ist. Die Erfindung schafft ebenfalls ein entsprechendes Herstellungsverfahren.
摘要翻译：本发明提供一种微机械部件的导电性基板（1; 1”，17，19）; 可弹性偏转的隔膜（M，M '）配有至少一个导电层（9; 9A），其在所述基板的前侧（V）（1; 1'，17，19）设置，其中，所述导电层（9; 图9a）相对的基板（1; 1”，17，19）电绝缘; 一填充有介质空腔（H; H '）之间，所述基片（1; 1'，17，19）;提供（M“M）和膜; 与膜下的多个; '穿过基片（1; 1（M M）'，17，19）延伸的穿孔（15; 15``; 15```）; 其中，所述穿孔（15; 15``; 15```）进入空腔（H; H '）从基板的后侧（R）（1; 1'，17，19）提供所述，从而使在空腔（H; H“）befindliches介质的体积在所述膜（M）的偏转是可变的。本发明还提供了相应的制造方法。

2. 发明申请

WO2008000541A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUELEMENTS, INSBESONDERE EIN MIKROMECHANISCHES UND/ODER MIKROFLUIDISCHES UND/ODER MIKROELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：方法用于制造部件，特别是微机械和/或微流体和/或微电子元件和COMPONENT
公开(公告)号：WO2008000541A1
公开(公告)日：2008-01-03
申请号：PCT/EP2007/054345
申请日：2007-05-04
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , FUCHS, Tino , LEINENBACH, Christina
发明人： FUCHS, Tino , LEINENBACH, Christina
IPC分类号： B01D67/00 , B81C1/00
CPC分类号： B81C1/0069 , B01D61/243 , B01D67/003 , B01D67/0058 , B01D71/02 , B01D2323/35 , B01D2325/028 , B01D2325/08 , B01D2325/26 , B81B2201/10 , B81C2201/0115 , Y10T428/24893
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelements und ein Bauelement, insbesondere ein mikromechanisches und/oder mikrofluidisches und/oder mikroelektronisches Bauelement, vorgeschlagen, wobei das Bauelement wenigstens einen strukturierten Materialbereich umfasst, wobei in einem ersten Schritt der strukturierte Materialbereich dadurch hergestellt wird, dass Mikropartikel eines ersten Materials in einer Matrix eines zweiten Materials eingebettet werden und wobei in einem zweiten Schritt der strukturierte Materialbereich mittels eines Trockenätzverfahrens oder eines Gasphasenätzverfahrens porös geätzt wird.
摘要翻译：一种用于生产组分和成分，方法，尤其是微机械和/或微流体和/或微电子装置提出，其特征在于，该装置包括在该微粒的至少一个纹理材料区，在第一步骤中被制备，所述图案化的材料区域第一材料嵌入在第二材料的基体，并且在第二步骤中，所述图案化的材料区域通过干蚀刻或Gasphasenätzverfahrens被蚀刻多孔的。

3. 发明申请

WO2009010391A1 VERFAHREN ZUM ÄTZEN EINER SCHICHT AUF EINEM SILIZIUM-HALBLEITERSUBSTRAT 审中-公开
标题翻译：法蚀刻层上的硅半导体衬底
公开(公告)号：WO2009010391A1
公开(公告)日：2009-01-22
申请号：PCT/EP2008/058539
申请日：2008-07-02
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , BECKER, Volker , LAERMER, Franz , FUCHS, Tino , LEINENBACH, Christina
发明人： BECKER, Volker , LAERMER, Franz , FUCHS, Tino , LEINENBACH, Christina
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/3213 , B81C1/00 , B01J19/08
CPC分类号： H01L21/3065 , B81C1/00531 , B81C1/00595 , B81C2201/0132 , B81C2201/0138 , H01L21/02019 , H01L21/30621 , H01L21/32135
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum selektiven Ätzen einer SiGe-Mischhalbleiterschicht auf einem Silizium-Halbleitersubstrat durch trockenchemisches Ätzen der SiGe-Mischhalbleiterschicht mittels eines Ätzgases ausgewählt aus der Gruppe umfassend ClF 3 und/oder ClF 5 , wobei man dem Ätzgas ein Gas ausgewählt aus der Gruppe umfassend Cl 2 und/oder HCl zusetzt.
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于通过从由ClF 3的组成的组中选择的蚀刻气体的装置选择性地蚀刻由SiGe混合半导体层的干式化学蚀刻的硅半导体衬底上的SiGe混合半导体层，和/或ClF5给蚀刻气体，从由氯气所组成的组中选择的气体和/或加入HCl。

4. 发明申请

WO2006013137A2 VERFAHREN ZUM ÄTZEN EINER SCHICHT AUF EINEM SUBSTRAT 审中-公开
标题翻译：法蚀刻层上的衬底
公开(公告)号：WO2006013137A2
公开(公告)日：2006-02-09
申请号：PCT/EP2005/053121
申请日：2005-07-01
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , LÄRMER, Franz , KRONMÜLLER, Silvia , FUCHS, Tino , LEINENBACH, Christina
发明人： LÄRMER, Franz , KRONMÜLLER, Silvia , FUCHS, Tino , LEINENBACH, Christina
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L21/32137 , B81C1/00476 , B81C1/00595 , H01L21/3065 , H01L21/30655
摘要： Es wird ein Verfahren zum Ätzen einer zu entfernenden Schicht auf einem Substrat (Sub) beschrieben, bei dem als die zu entfernende Schicht eine Si l-X Ge X -Schicht (4; 6, 10) vorgeschlagen wird, die beim Gasphasenätzen mit Hilfe eines Ätzgases, insbesondere C1F 3 , zumindest bereichsweise abgetragen wird. Dabei kann das Ätzverhalten der Si 1- XGe x -Schicht (4; 6, 10) über den Ge-Anteil in der Si l-X Ge X -Schicht (4; 6, 10) gesteuert werden. Das Ätzverfahren eignet sich in besonderer Weise zur Herstellung von freitragenden Strukturen in einem mikromechanischen Sensor und zur Herstellung solcher freitragender Strukturen in einem abgeschlossenen Hohlraum (15), da die Si l-X Ge X -Schicht (4; 6, 10) als Opfer- oder Füllschicht hochselektiv gegenüber Silizium geätzt wird.
摘要翻译：公开应被基板（子），其特征在于，作为要除去的层上除去用于蚀刻层的方法，在Si _{LX 锗_{X 层（4; 6 ，10）至少局部在使用蚀刻气体，特别是C1F _{3 气相蚀刻而去除，提出了。这里，Si的蚀刻_{1 - XGE _{X 层;在在所述Si Ge含量_{LX 锗（4 6,10） _{X 层（4; 6,10）控制。该蚀刻方法特别适用于生产中的微机械传感器的自支撑结构，并且用于在一个封闭的腔体（15）制造这种自支撑结构，由于Si _{LX 锗_{X 层（4; 6,10）被蚀刻作为牺牲或填料层是相对于硅具有高度选择性。}}}}}}}}}

5. 发明申请

WO2009059868A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON MIKROMECHANISCHEN STRUKTUREN MIT RELIEFARTIGEM SEITENWANDVERLAUF ODER EINSTELLBAREM NEIGUNGSWINKEL 审中-公开
标题翻译：用释放侧壁程序或可调倾斜角生产微机械结构的方法
公开(公告)号：WO2009059868A2
公开(公告)日：2009-05-14
申请号：PCT/EP2008/063703
申请日：2008-10-13
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , LAERMER, Franz , FUCHS, Tino , LEINENBACH, Christina
发明人： LAERMER, Franz , FUCHS, Tino , LEINENBACH, Christina
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00103 , B81B2203/0384 , B81C2201/0136
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von mikromechanischen Strukturen mit reliefartigem Seitenwandverlauf oder einstellbarem Neigungswinkel, wobei man die mikromechanischen Strukturen aus einer auf einem Silizium-Halbleitersubstrat (1, 10) vorhandenen oder abgeschiedenen SiGe-Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) durch trockenchemisches Ätzen der SiGe-Mischhalbleiterschicht (3 a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) herausätzt, wobei man den Seitenwandverlauf der mikromechanischen Struktur durch Variieren des Germaniumanteils in der zu ätzenden SiGe-Mischhalbleiterschicht (3 a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) ausbildet, wobei in stärker zu ätzenden Bereichen ein höherer Germaniumanteil vorliegt, wobei man die Variation des Germaniumanteils in der SiGe- Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) durch ein Verfahren ausgewählt aus der Gruppe umfassend Abscheiden einer SiGe-Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) mit variierendem Germaniumgehalt, Einbringen von Germanium in eine Silizium- Halbleiterschicht oder SiGe-Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50), Einbringen von Silizium in eine Germaniumschicht oder SiGe-Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) und/oder durch thermische Oxidation einer SiGe-Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) einstellt.
摘要翻译：
本发明涉及一种用于制造具有浮雕状侧壁轮廓或倾斜的角度可调，得到微机械结构由硅半导体基板（1，10）的微机械结构的现有或沉积SiGe混合半导体层（3A ，3B，30，30A，30B，50）通过干化学BEAR tzen SiGe混合半导体层（3A，3B，30，30A，30B，50）出来BEAR TZT通过改变锗比例，得到微机械结构的侧壁轮廓的约AUML; tzenden SiGe混合半导体层（3A，3B，30，30A，30B，50）的形式，其中，ST＆AUML; rker承受tzenden一个H＆ouml的领域;本herer锗含量，这是在硅锗中的锗比例的变化 - 混合半导体层（3A，3B，30，30A，30B，50），通过这样的方法＆AUML选择;由包含SiGe混合半导体层（3A，3B，30，30A，30B，50），其具有变种的沉积组HLT iierendem锗含量，引入锗到硅半导体层或SiGe混合半导体层（3A，3B，30，30A，30B，50），硅的掺入锗层或SiGe混合半导体层（3A，3B，30，30A，30B， 50）和/或通过热氧化SiGe混合半导体层（3a，3b，30,30a，30b，50）

6. 发明申请

WO2008046682A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES MIKROMECHANISCHEN BAUELEMENTES MIT EINER DÜNNSCHICHT-VERKAPPUNG 审中-公开
标题翻译：用于生产微机械结构与薄膜封盖
公开(公告)号：WO2008046682A1
公开(公告)日：2008-04-24
申请号：PCT/EP2007/058684
申请日：2007-08-21
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , KRONMUELLER, Silvia , FEYH, Ando , FUCHS, Tino , LEINENBACH, Christina , LAMMER, Marco
发明人： KRONMUELLER, Silvia , FEYH, Ando , FUCHS, Tino , LEINENBACH, Christina , LAMMER, Marco
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00333 , B81C2201/0115 , B81C2201/0132 , B81C2203/0136 , B81C2203/0145
摘要： Es wird eine Verkappungstechnologie bereitgestellt, bei der trotz Freilegung der mit einer Silizium-Germanium-Füllschicht (4, 3) umgebenen Strukturen (2) mittels ClF 3 -Ätzen durch Mikroporen in der Silizium-Verkappung (7) hindurch dabei ein Ätzangriff auf die Silizium-Kappe (7, 11) verhindert wird, nämlich entweder durch besonders selektive (etwa 10000:1 oder höher) Einstellung des Ätzprozesses selbst oder dadurch, die Einsicht, dass das Oxid einer Germanium-reichen-Schicht (5, 10) im Gegensatz zum oxidierten porösen Silizium (11) nicht stabil, sondern leicht lösbar ist, zum Schutz der Silizium-Kappe (7, 11) zu nutzen.
摘要翻译：本发明提供一种Verkappungstechnologie，尽管硅锗填充层的曝光的（4,3）周围的结构（2）由表示的ClF _{3 贯通微孔中的硅蚀刻封盖（7）从而通过在硅帽蚀刻攻击（7，11）被阻止，或者通过特别有选择性（约10,000：1或更高）设置在蚀刻工艺本身，或通过识别一个富锗层的氧化物（ 5，10）是在对比的是氧化多孔硅（11）是不稳定的，但很容易拆卸，（保护硅帽7，利用11）。}

7. 发明申请

WO2008049688A1 MIKROMECHANISCHES BAUELEMENT MIT ANTIHAFTSCHICHT 审中-公开
标题翻译：不粘涂层的微机械结构
公开(公告)号：WO2008049688A1
公开(公告)日：2008-05-02
申请号：PCT/EP2007/059448
申请日：2007-09-10
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , LAERMER, Franz , KRONMUELLER, Silvia , FUCHS, Tino
发明人： LAERMER, Franz , KRONMUELLER, Silvia , FUCHS, Tino
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/0096 , B81B3/0005 , B81C2201/112 , B81C2203/0109 , B81C2203/031
摘要： Es wird ein mikromechanisches Bauelement mit einem Substrat und einem Funktionselement vorgeschlagen, wobei das Funktionselement eine Funktionsoberfläche mit einer wenigstens bereichsweise aufgebrachten Antihaftschicht zur Reduzierung von Oberflächenhaftkräften aufweist, wobei ferner die Antihaftschicht gegenüber einer Temperatur von über 800 °C stabil ist.
摘要翻译：它与基板和功能元件，其中，所述功能元件具有与至少局部地施加抗粘附层用于降低表面的粘附力的功能表面提出了一个微机械部件，进一步地，其中所述非粘性层，以高于800℃的温度下是稳定的。

8. 发明申请

WO2011020678A1 MAGNETFELDSENSOR UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES MAGNETFELDSENSORS 审中-公开
标题翻译：磁传感器以及产生磁场传感器的方法
公开(公告)号：WO2011020678A1
公开(公告)日：2011-02-24
申请号：PCT/EP2010/060780
申请日：2010-07-26
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , SCHATZ, Frank , FUCHS, Tino , FEYH, Ando
发明人： SCHATZ, Frank , FUCHS, Tino , FEYH, Ando
IPC分类号： G01R33/04
CPC分类号： G01R33/04 , H01F27/2804 , Y10T29/49073
摘要： Es wird ein Magnetometer mit einem Substrat und einem Magnetkern vorgeschlagen, wobei das Substrat eine Anregungsspule zur Erzeugung eines magnetischen Flusses im Magnetkern aufweist und wobei die Anregungsspule einen Spulenquerschnitt aufweist, welcher im Wesentlichen senkrecht zu einer Haupterstreckungsebene des Substrats ausgerichtet ist und wobei ferner der Magnetkern außerhalb des Spulenquerschnitts angeordnet ist.
摘要翻译：所以建议包括衬底和磁芯，磁力计，其中所述衬底包括在磁芯产生的磁通的励磁线圈，并且其中所述激励线圈具有线圈的横截面基本上垂直于所述衬底的主延伸平面且进一步其中所述磁芯外线圈的横截面布置。

9. 发明申请

WO2020130946A1 TRANSISTOR COMPRISING A CERAMIC AND AN IONOGEL 审中-公开
公开(公告)号：WO2020130946A1
公开(公告)日：2020-06-25
申请号：PCT/SG2019/050624
申请日：2019-12-19
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , ERSOEZ, Bora , PALALE, Suresh , FUCHS, Tino , DAVES, Walter
发明人： ERSOEZ, Bora , PALALE, Suresh , FUCHS, Tino , DAVES, Walter
IPC分类号： G01N27/414
摘要： The present disclosure provides for a transistor for detecting gases in the ambient air comprising a plurality of electrodes with one electrode being a gate electrode; further at least one electrode being individually coated by a ceramic, wherein an ionogel is connecting all electrodes with each other, the ionogel being an ionic liquid immobilized by a matrix. It also provides for use of a transistor as defined above as an air-quality sensor. It also provides for a process for making a transistor, the process comprising: providing a plurality of electrodes, wherein one of the electrodes is a gate electrode (110); individually depositing a ceramic precursor on at least one of the plurality of electrodes (130); and connecting the plurality of electrodes with an ionogel, the ionogel being an ionic liquid immobilized by a matrix (140). It also provides a transistor produced by the process (100) as defined above.

10. 发明申请

WO2008024989A1 MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS ENCAPSULATION PROCESS WITH ANTI-STICTION COATING 审中-公开
标题翻译：微电子系统封装工艺与防护涂料
公开(公告)号：WO2008024989A1
公开(公告)日：2008-02-28
申请号：PCT/US2007/076785
申请日：2007-08-24
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , VANCURA, Cyril , ULM, Markus , STARK, Brian , METZ, Matthias , FUCHS, Tino , LAERMER, Franz , KRONMUELLER, Silvia
发明人： VANCURA, Cyril , ULM, Markus , STARK, Brian , METZ, Matthias , FUCHS, Tino , LAERMER, Franz , KRONMUELLER, Silvia
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/0096 , B81B3/0005
摘要： An encapsulated MEMS process including a high-temperature anti-stiction coating that is stable under processing steps at temperatures over 450 0C is described. The coating is applied after device release but before sealing vents in the encapsulation layer Alternatively, an anti-stiction coating may be applied to released devices directly before encapsulation.
摘要翻译：描述了包括在高于450℃的温度下在加工步骤下稳定的高温抗静电涂层的包封的MEMS工艺。涂层在装置释放之后，但在密封通气孔之前施加在封装层中。或者，可以在封装之前将抗静电涂层直接施加到释放装置。

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