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1. 外观设计

USD682257S1 Earphone 有权
公开(公告)号：USD682257S1
公开(公告)日：2013-05-14
申请号：US29421744
申请日：2012-09-13
申请人： Qi Zheng , Rui Morisawa , Tomotsugu Minamikawa , Jun Komiyama , Taichi Nokuo
设计人： Qi Zheng , Rui Morisawa , Tomotsugu Minamikawa , Jun Komiyama , Taichi Nokuo

2. 外观设计

USD669057S1 Earphone 有权
公开(公告)号：USD669057S1
公开(公告)日：2012-10-16
申请号：US29371938
申请日：2012-02-01
申请人： Qi Zheng , Rui Morisawa , Tomotsugu Minamikawa , Jun Komiyama , Taichi Nokuo
设计人： Qi Zheng , Rui Morisawa , Tomotsugu Minamikawa , Jun Komiyama , Taichi Nokuo

3. 发明授权

US08212288B2 Compound semiconductor substrate comprising a multilayer buffer layer 有权
标题翻译：化合物半导体衬底包括多层缓冲层
公开(公告)号：US08212288B2
公开(公告)日：2012-07-03
申请号：US12879035
申请日：2010-09-10
申请人： Jun Komiyama , Kenichi Eriguchi , Hiroshi Oishi , Yoshihisa Abe , Akira Yoshida , Shunichi Suzuki
发明人： Jun Komiyama , Kenichi Eriguchi , Hiroshi Oishi , Yoshihisa Abe , Akira Yoshida , Shunichi Suzuki
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/0254 , H01L21/02458 , H01L21/02507
摘要： A compound semiconductor substrate which inhibits the generation of a crack or a warp and is preferable for a normally-off type high breakdown voltage device, arranged that a multilayer buffer layer 2 in which AlxGa1-xN single crystal layers (0.6≦X≦1.0) 21 containing carbon from 1×1018 atoms/cm3 to 1×1021 atoms/cm3 and AlyGa1-yN single crystal layers (0.1≦y≦0.5) 22 containing carbon from 1×1017 atoms/cm3 to 1×1021 atoms/cm3 are alternately and repeatedly stacked in order, and a nitride active layer 3 provided with an electron transport layer 31 having a carbon concentration of 5×1017 atoms/cm3 or less and an electron supply layer 32 are deposited on a Si single crystal substrate 1 in order. The carbon concentrations of the AlxGa1-xN single crystal layers 21 and that of the AlGa1-yN single crystal layers 22 respectively decrease from the substrate 1 side towards the above-mentioned active layer 3 side. In this way, the compound semiconductor substrate is produced.
摘要翻译：一种禁止产生裂纹或翘曲的化合物半导体衬底，优选用于常闭型高击穿电压器件，其中AlxGa1-xN单晶层（0.6＆amp; NlE; X＆amp; NlE; 1.0 ）含有1×1018原子/ cm 3至1×1021原子/ cm3的碳和含有1×10 17原子/ cm 3至1×1021原子/ cm 3的碳的Al y Ga 1-y N单晶层（0.1＆lt; 1lE; y＆nlE; 0.5）交替重复堆叠，并且在Si单晶衬底1上沉积具有碳浓度为5×10 17原子/ cm 3以下的电子传输层31和电子供给层32的氮化物活性层3 订购。 Al x Ga 1-x N单晶层21和AlGa1-yN单晶层22的碳浓度分别从衬底1侧朝向上述有源层3侧减小。以这种方式制造化合物半导体衬底。

4. 发明授权

US08148753B2 Compound semiconductor substrate having multiple buffer layers 有权
标题翻译：具有多个缓冲层的复合半导体衬底
公开(公告)号：US08148753B2
公开(公告)日：2012-04-03
申请号：US12659927
申请日：2010-03-25
申请人： Hiroshi Oishi , Jun Komiyama , Kenichi Eriguchi , Yoshihisa Abe , Akira Yoshida , Shunichi Suzuki
发明人： Hiroshi Oishi , Jun Komiyama , Kenichi Eriguchi , Yoshihisa Abe , Akira Yoshida , Shunichi Suzuki
IPC分类号： H01L29/739 , H01L31/0328 , H01L31/0336 , H01L31/072 , H01L31/109 , H01L29/06 , H01L29/22 , H01L33/00 , H01L29/24 , H01L29/732
CPC分类号： C30B29/403 , C23C16/0272 , C23C16/303 , C30B25/183 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L29/2003 , H01L29/7787
摘要： The present invention provides a compound semiconductor substrate, including: a single-crystal silicon substrate having a crystal face with (111) orientation; a first buffer layer which is formed on the single-crystal silicon substrate and is constituted of an AlxGa1-xN single crystal (0
摘要翻译：本发明提供了一种化合物半导体衬底，包括：具有（111）取向的晶面的单晶硅衬底; 第一缓冲层，其形成在单晶硅衬底上并由Al x Ga 1-x N单晶（0

5. 外观设计

USD635547S1 Headphone 有权
公开(公告)号：USD635547S1
公开(公告)日：2011-04-05
申请号：US29347809
申请日：2010-06-10
申请人： Jun Komiyama
设计人： Jun Komiyama

6. 外观设计

USD591725S1 Speaker box 有权
公开(公告)号：USD591725S1
公开(公告)日：2009-05-05
申请号：US29309229
申请日：2008-07-10
申请人： Jun Komiyama
设计人： Jun Komiyama

7. 外观设计

USD590810S1 Headphone 有权
公开(公告)号：USD590810S1
公开(公告)日：2009-04-21
申请号：US29300384
申请日：2008-03-20
申请人： Jun Komiyama
设计人： Jun Komiyama

8. 外观设计

USD589932S1 Headphone 有权
公开(公告)号：USD589932S1
公开(公告)日：2009-04-07
申请号：US29300379
申请日：2008-03-20
申请人： Jun Komiyama
设计人： Jun Komiyama

9. 发明申请

US20090065812A1 COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：化合物半导体基板
公开(公告)号：US20090065812A1
公开(公告)日：2009-03-12
申请号：US12204328
申请日：2008-09-04
申请人： Yoshihisa ABE , Jun Komiyama , Shunichi Suzuki , Hiroshi Oishi , Akira Yoshida , Hideo Nakanishi
发明人： Yoshihisa ABE , Jun Komiyama , Shunichi Suzuki , Hiroshi Oishi , Akira Yoshida , Hideo Nakanishi
IPC分类号： H01L29/205
CPC分类号： H01L33/007 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/403 , H01L21/02381 , H01L21/02447 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02491 , H01L21/02505 , H01L21/0254
摘要： Provides is a compound semiconductor substrate about which the thickness of its nitride semiconductor single crystal layer can be made large while the generation of cracks, crystal defects or the like is restrained in the nitride semiconductor single crystal layer. The substrate has a first intermediate layer 110 formed on a Si single crystal substrate 100 having a crystal plane orientation of {111}. In the layer 110, a first metal compound layer 110a made of any one of TiC, TiN, VC and VN, and a second metal compound layer 110b made of any one of compounds which are different from the compound of the first metal compound layer out of TiC, TiN, VC and VN are laminated in this order alternately each other over the Si single crystal.
摘要翻译：提供了一种化合物半导体衬底，可以使氮化物半导体单晶层的厚度大得多，同时在氮化物半导体单晶层中抑制裂纹，晶体缺陷等的产生。基板具有形成在晶体取向为{111}的Si单晶基板100上的第一中间层110。在层110中，由TiC，TiN，VC和VN中的任一种制成的第一金属化合物层110a和由与第一金属化合物层的化合物不同的任何一种化合物制成的第二金属化合物层110b 的TiC，TiN，VC和VN以这种顺序层叠在Si单晶上。

10. 外观设计

USD536693S1 Speaker box 有权
公开(公告)号：USD536693S1
公开(公告)日：2007-02-13
申请号：US29244822
申请日：2005-12-15
申请人： Jun Komiyama
设计人： Jun Komiyama

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