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    • 5. 发明授权
    • Collapsable gate for deposited nanostructures
    • 用于沉积的纳米结构的可折叠门
    • US08492748B2
    • 2013-07-23
    • US13169542
    • 2011-06-27
    • Josephine B. ChangPaul ChangMichael A. GuillornPhilip S. Waggoner
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    • H01L29/06H01L31/00H01L29/15H01L51/40
    • H01L29/66045H01L51/055
    • A disposable material layer is first deposited on a graphene layer or a carbon nanotube (CNT). The disposable material layer includes a material that is less inert than graphene or CNT so that a contiguous dielectric material layer can be deposited at a target dielectric thickness without pinholes therein. A gate stack is formed by patterning the contiguous dielectric material layer and a gate conductor layer deposited thereupon. The disposable material layer shields and protects the graphene layer or the CNT during formation of the gate stack. The disposable material layer is then removed by a selective etch, releasing a free-standing gate structure. The free-standing gate structure is collapsed onto the graphene layer or the CNT below at the end of the selective etch so that the bottom surface of the contiguous dielectric material layer contacts an upper surface of the graphene layer or the CNT.
    • 一次性材料层首先沉积在石墨烯层或碳纳米管(CNT)上。 一次性材料层包括比石墨烯或CNT更不惰性的材料,使得可以以目标电介质厚度沉积连续的电介质材料层而没有针孔。 通过图案化连续的介电材料层和沉积在其上的栅极导体层来形成栅极叠层。 一次性材料层在形成栅极叠层期间屏蔽并保护石墨烯层或CNT。 然后通过选择性蚀刻去除一次性材料层,释放独立的栅极结构。 独立栅极结构在选择性蚀刻结束时在石墨烯层或CNT上折叠,使得连续介电材料层的底表面接触石墨烯层或CNT的上表面。