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1. 发明授权

US06552614B1 Broadband cable modem amplifier with programmable bias current 有权
标题翻译：具有可编程偏置电流的宽带电缆调制解调器放大器
公开(公告)号：US06552614B1
公开(公告)日：2003-04-22
申请号：US09708691
申请日：2000-11-08
申请人： Phillip Sean Stetson , Neil Gibson , Marco Corsi , Jim Quarfoot
发明人： Phillip Sean Stetson , Neil Gibson , Marco Corsi , Jim Quarfoot
IPC分类号： H03G310
CPC分类号： H03F1/30 , H03G3/001
摘要： An upstream programmable gain amplifier (PGA) (114, 214) for a cable modem (100) having a programmable bias current. PGA (114, 214) includes a bias current-setting circuit (140, 240) coupled to a power amplifier stage (136, 236), the bias current-setting circuit (140, 240) adapted to program the bias current Ibias of the power amplifier stage (136, 236). The bias current-setting circuit (140) includes a bandgap generator (130, 230) having an external bias resistor R1 at the input. The bias current-setting circuit (140) may include a variable gain amplifier (VGA) (134), a digital-to-analog converter (DAC) (132), and a bias code generator (138). The bias current-setting circuit (240) may alternatively include a plurality of programmable resistors R1a, R1b . . . R1x coupled to a bias code generator (238).
摘要翻译：一种用于具有可编程偏置电流的电缆调制解调器（100）的上游可编程增益放大器（PGA）（114,214）。 PGA（114,214）包括耦合到功率放大器级（136,236）的偏置电流设定电路（140,240），所述偏置电流设置电路（140,240）适于编程所述偏置电流Ibias 功率放大器级（136,236）。偏置电流设定电路（140）包括在输入端具有外部偏置电阻器R1的带隙发生器（130,230）。偏置电流设定电路（140）可以包括可变增益放大器（VGA）（134），数模转换器（DAC）（132）和偏置代码发生器（138）。偏置电流设定电路（240）可以替代地包括多个可编程电阻器R1a，R1b。。。 R1x耦合到偏置码发生器（238）。

2. 发明授权

US08629011B2 Epitaxial silicon CMOS-MEMS microphones and method for manufacturing 有权
标题翻译：外延硅CMOS-MEMS麦克风及其制造方法
公开(公告)号：US08629011B2
公开(公告)日：2014-01-14
申请号：US13161194
申请日：2011-06-15
申请人： Brett M. Diamond , Franz Laermer , Andrew J. Doller , Michael J. Daley , Phillip Sean Stetson , John M. Muza
发明人： Brett M. Diamond , Franz Laermer , Andrew J. Doller , Michael J. Daley , Phillip Sean Stetson , John M. Muza
IPC分类号： H01L21/339
CPC分类号： H04R19/005 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81C1/00158 , B81C2201/0119 , B81C2201/0177 , B81C2203/0714 , B81C2203/075 , B81C2203/0778 , H04R19/04 , H04R31/00
摘要： A method of manufacturing a microphone using epitaxially grown silicon. A monolithic wafer structure is provided. A wafer surface of the structure includes poly-crystalline silicon in a first horizontal region and mono-crystalline silicon in a second horizontal region surrounding a perimeter of the first horizontal region. A hybrid silicon layer is epitaxially deposited on the wafer surface. Portions of the hybrid silicon layer that contact the poly-crystalline silicon use the poly-crystalline silicon as a seed material and portions that contact the mono-crystalline silicon use the mono-crystalline silicon as a seed material. As such, the hybrid silicon layer includes both mono-crystalline silicon and poly-crystalline silicon in the same layer of the same wafer structure. A CMOS/membrane layer is then deposited on top of the hybrid silicon layer.
摘要翻译：使用外延生长硅制造麦克风的方法。提供了一种单片晶圆结构。该结构的晶片表面包括第一水平区域中的多晶硅和围绕第一水平区域的周边的第二水平区域中的单晶硅。杂化硅层外延沉积在晶片表面上。接触多晶硅的混合硅层的部分使用多晶硅作为种子材料，并且接触单晶硅的部分使用单晶硅作为种子材料。这样，混合硅层在同一晶片结构的相同层中包括单晶硅和多晶硅两者。然后将CMOS /膜层沉积在混合硅层的顶部。

3. 发明申请

US20120319219A1 EPITAXIAL SILICON CMOS-MEMS MICROPHONES AND METHOD FOR MANUFACTURING 有权
标题翻译：外延硅CMOS-MEMS麦克风及其制造方法
公开(公告)号：US20120319219A1
公开(公告)日：2012-12-20
申请号：US13161194
申请日：2011-06-15
申请人： Brett M. Diamond , Franz Laermer , Andrew J. Doller , Michael J. Daley , Phillip Sean Stetson , John M. Muza
发明人： Brett M. Diamond , Franz Laermer , Andrew J. Doller , Michael J. Daley , Phillip Sean Stetson , John M. Muza
IPC分类号： H01L21/20 , H01L29/84
CPC分类号： H04R19/005 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81C1/00158 , B81C2201/0119 , B81C2201/0177 , B81C2203/0714 , B81C2203/075 , B81C2203/0778 , H04R19/04 , H04R31/00
摘要： A method of manufacturing a microphone using epitaxially grown silicon. A monolithic wafer structure is provided. A wafer surface of the structure includes poly-crystalline silicon in a first horizontal region and mono-crystalline silicon in a second horizontal region surrounding a perimeter of the first horizontal region. A hybrid silicon layer is epitaxially deposited on the wafer surface. Portions of the hybrid silicon layer that contact the poly-crystalline silicon use the poly-crystalline silicon as a seed material and portions that contact the mono-crystalline silicon use the mono-crystalline silicon as a seed material. As such, the hybrid silicon layer includes both mono-crystalline silicon and poly-crystalline silicon in the same layer of the same wafer structure. A CMOS/membrane layer is then deposited on top of the hybrid silicon layer.
摘要翻译：使用外延生长硅制造麦克风的方法。提供了一种单片晶圆结构。该结构的晶片表面包括第一水平区域中的多晶硅和围绕第一水平区域的周边的第二水平区域中的单晶硅。杂化硅层外延沉积在晶片表面上。接触多晶硅的混合硅层的部分使用多晶硅作为种子材料，并且接触单晶硅的部分使用单晶硅作为种子材料。这样，混合硅层在同一晶片结构的相同层中包括单晶硅和多晶硅两者。然后将CMOS /膜层沉积在混合硅层的顶部。

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