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1. 发明申请

WO2012022782A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：光电半导体器件
公开(公告)号：WO2012022782A1
公开(公告)日：2012-02-23
申请号：PCT/EP2011/064224
申请日：2011-08-18
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ZITZLSPERGER, Michael , RAMCHEN, Johann
发明人： ZITZLSPERGER, Michael , RAMCHEN, Johann
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/62
CPC分类号： F21K9/00 , F21V29/85 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L33/64 , H01L2224/48247 , H01L2224/48471 , H01L2924/00 , H01L2224/48227
摘要： Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement angegeben, mit einem Träger (1) der eine Oberseite (12) und eine der Oberseite (12) gegenüberliegende Unterseite (11) aufweist, wobei der Träger (1) mit einem elektrisch leitenden Montagebereich (1A), einem elektrisch leitenden Anschlussbereich (1C) sowie einem elektrisch isolierenden Oxidationsbereich (1B) gebildet ist; zumindest einem an der Oberseite des Trägers (1) im Bereich des Montagebereichs (1A) angeordnetes optoelektronisches Bauteil (2), wobei der Oxidationsbereich (1B) den Montagebereich (1A) von dem Anschlussbereich (1C) elektrisch isoliert, der Oxidationsbereich (1B) sich unterbrechungsfrei von der Oberseite (12) des Trägers (1) hin zur Unterseite (11) des Trägers (1) erstreckt, der Montagebereich (1A) und der Anschlussbereich (1B) mit Aluminium (10) gebildet sind, der Oxidationsbereich (1B) mit einem Oxid (15) des Aluminiums (10) gebildet ist, und der Montagebereich (1A), der Oxidationsbereich (1B) und der Anschlussbereich (1C) zusammenhängend ausgebildet sind und eine Einheit bilden.
摘要翻译：本发明提供一种光电子半导体器件具有顶部的载体（1）（12）和顶部中的一个（12），具有相反的底表面（11），其中，所述载体（1）用导电安装部分（1A），电导电连接区域（1C）和一个电绝缘的氧化区域（1B）形成; 至少一种在载体的顶部（1）在安装部（1A）的区域中布置光电元件（2），其中所述安装部分（1A）的氧化区域（1B）的电连接区域（1C），氧化区域（1B）绝缘是在不脱离所述载体（1）的朝向所述载体（1），安装部（1A）和所述连接区域（1B）的底部（11）的顶部（12）中断与铝（10）所形成的氧化区域（1B）与，铝的氧化物（15）（10）形成，并且氧化区的安装部（1A）（1B）与所述端子部（1C）整体形成，并形成一个单元。

2. 发明申请

WO2012022695A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG ZUMINDEST EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：方法用于生产至少一个光电半导体器件
公开(公告)号：WO2012022695A1
公开(公告)日：2012-02-23
申请号：PCT/EP2011/063987
申请日：2011-08-12
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , WEIDNER, Karl , WULKESCH, Hans , KALTENBACHER, Axel , WEGLEITER, Walter , RAMCHEN, Johann
发明人： WEIDNER, Karl , WULKESCH, Hans , KALTENBACHER, Axel , WEGLEITER, Walter , RAMCHEN, Johann
IPC分类号： H01L21/768 , H01L33/62 , H01L33/50 , H01L33/00 , H01L33/48
CPC分类号： H01L31/0232 , H01L21/76804 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L33/0095 , H01L33/48 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2224/18 , H01L2224/24226 , H01L2224/24227 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/8203 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2933/0066 , H01L2224/82 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung zumindest eines optoelektronischen Halbleiterbauelements mit den folgenden Schrittenangegeben: a) Bereitstellen eines Trägers (1), der eine Oberseite (12), eine der Oberseite (12) des Trägers (1) gegenüberliegende Unterseite (11), sowie eine Mehrzahl von in lateraler Richtung (L) nebeneinander an der Oberseite (12) angeordneten Anschlussflächen (13) aufweist; (b) Aufbringen einer Mehrzahl von optoelektronischen Bauelementen (2), die jeweils zumindest eine dem Träger (1) abgewandte Kontaktfläche (22) aufweisen; c) Aufbringen von Schutzelementen (41, 42) auf die Kontaktflächen (22) und die Anschlussflächen (13); d) Aufbringen zumindest einer elektrisch isolierenden Schicht (3) auf freiliegende Stellen des Trägers (1), der Kontaktflächen (22) sowie der Schutzelemente (4); e) Entfernen der Schutzelemente (41, 42), wodurch Öffnungen (51, 52) in der elektrisch isolierenden Schicht (3) erzeugt werden; f) Anordnen von elektrisch leitfähigen Material (8) auf der elektrisch isolierenden Schicht (3) und zumindest stellenweise in den Öffnungen (5), wobei das elektrisch leitfähige Material (8) jeweils eine Kontaktfläche (22) mit der ihr zugeordneten Anschlussfläche (13) elektrisch leitend verbindet.
摘要翻译：它是用于产生至少包括以下步骤的光电子半导体器件的方法表示：a）提供载体（1），其具有顶部（12），所述底部（11相对所述支撑件（1）的顶部（12）中的一个），和一个多个在横向方向（L）彼此相邻的顶部（12），其设置焊盘（13）; （B）将多个光电元件（2）（1）背离所述接触表面（22）远离每一个具有至少一个所述支撑; c）中的保护元件（41应用，42）（与接触表面22）和所述衬垫（13）; d）施加至少一个电绝缘层（3）（在支撑体1）的暴露的位点，（所述接触表面（22）和所述保护元件4）; E）除去保护元件（41，42），由此，开口（51，52）的电绝缘层中产生的（3）; F）（3），并且在所述开口至少局部地在电绝缘层上放置导电材料（8）（5），其中，所述导电材料（8）的每一个具有接触表面（22）与它的相关联的垫（13）导电连接。

3. 发明申请

WO2012004202A1 BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译： COMPONENT和方法的用于制造部件
公开(公告)号：WO2012004202A1
公开(公告)日：2012-01-12
申请号：PCT/EP2011/061133
申请日：2011-07-01
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , RAMCHEN, Johann , SORG, Jörg Erich , JEREBIC, Simon , BRAUNE, Bert
发明人： RAMCHEN, Johann , SORG, Jörg Erich , JEREBIC, Simon , BRAUNE, Bert
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/62 , H01L33/56 , H01L33/48 , H01L33/60 , H01L33/52
CPC分类号： H01L33/52 , H01L31/0203 , H01L31/18 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83951 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： Es wird ein Bauelement (1) mit einem optoelektronischen Halbleiterchip (2) angegeben, der mit einer Verbindungsschicht (3) auf einem Anschlussträger (4) befestigt ist und in eine Umhüllung (5) eingebettet ist, wobei zwischen der Verbindungsschicht (3) und der Umhüllung (5) zumindest bereichsweise eine Entkopplungsschicht (6) angeordnet ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelements angegeben.
摘要翻译：公开了一种设备（1）的光电子半导体芯片（2），其上固定有连接载体（4）上的接合层（3）和嵌入在护套（5），所述粘结层（3）和所述间包装（5）的区域，一个去耦层（6）被布置在至少。此外，被指定用于制造器件的方法。

4. 发明申请

WO2012038483A3 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
公开(公告)号：WO2012038483A3
公开(公告)日：2012-03-29
申请号：PCT/EP2011/066458
申请日：2011-09-21
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SCHNEIDER, Markus , RAMCHEN, Johann , WITTMANN, Michael
发明人： SCHNEIDER, Markus , RAMCHEN, Johann , WITTMANN, Michael
IPC分类号： H01L33/52 , H01L25/075 , H01L25/16 , H01L33/62 , H01L33/56 , H01L33/60
摘要： Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement angegeben, mit - einem Träger (1), der eine Oberseite (11) und eine der Oberseite (11) gegenüberliegende Unterseite (12) aufweist; - zumindest ein an der Oberseite (11) angeordnetes strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil (2) mit einer Strahlungsaustrittsfläche (6), durch die zumindest ein Teil der im Betrieb des Halbleiterbauteils (3) erzeugten elektromagnetischen Strahlung das Halbleiterbauteil (2) verlässt, und - eine strahlungsabsorbierende Schicht (3), die dazu eingerichtet ist, auf das Bauelement (100) auftreffendes Umgebungslicht derart zu absorbieren, dass eine dem Träger (1) abgewandte Außenfläche (101) des Bauelements (100) zumindest stellenweise schwarz erscheint, wobei - die strahlungsabsorbierende Schicht (3) das strahlungsemittierende Halbleiterbauteil (2) in lateraler Richtung (L) vollständig umrandet und mit Seitenflächen (23) des strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils (2) zumindest stellenweise in direktem Kontakt ist, und - die Strahlungsaustrittsfläche (6) frei von der strahlungsabsorbierenden Schicht (3) ist.

5. 发明申请

WO2012034752A1 TRÄGERSUBSTRAT FÜR EIN OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT, VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译： CARRIER基板的光电元件，方法ITS和光电元件
公开(公告)号：WO2012034752A1
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：PCT/EP2011/062551
申请日：2011-07-21
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , RAMCHEN, Johann , GRUBER, Stefan
发明人： RAMCHEN, Johann , GRUBER, Stefan
IPC分类号： H01L23/14 , H01L23/498 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L33/64
CPC分类号： H01L33/486 , H01L23/142 , H01L23/49827 , H01L23/49866 , H01L24/32 , H01L33/641 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Trägersubstrat (1) für ein optoelektronisches Bauelement (10, 20, 24) angegeben, das einen Grundkörper (2) aus Aluminium enthält, wobei zumindest Teilbereiche des Grundkörpers (2) mit einer elektrisch isolierenden Aluminiumoxidschicht (3) versehen sind und auf Teilbereiche der elektrisch isolierenden Aluminiumoxidschicht (3) eine elektrisch leitfähige Schicht (4) aufgebracht ist. Das Trägersubstrat (1) weist mindestens einen Durchbruch (5) auf, der sich von einer ersten Hauptfläche (11) zu einer zweiten Hauptfläche (12) des Trägersubstrats (1) erstreckt, wobei die elektrisch leitfähige Schicht (4) mindestens eine Durchkontaktierung ausbildet, die durch den Durchbruch (5) hindurch verläuft und in dem Durchbruch (5) mittels der elektrisch isolierenden Aluminiumoxidschicht (3) von dem Grundkörper (2) elektrisch isoliert ist. Ferner werden ein vorteilhaftes Verfahren zur Herstellung des Trägersubstrats (1) und ein optoelektronisches Bauelement (10, 20, 24) mit einem derartigen Trägersubstrat (1) angegeben.
摘要翻译：有用于光电装置的支撑基板（1）（10，20，24）表示，由铝制成的主体（2），其特征在于，所述基体（2）的至少部分区域设置有由电绝缘氧化铝层（3）和上电绝缘氧化铝层（3）的导电层（4）的部分区域被施加。所述载体基片（1）具有至少一个开口（5）从第一主表面（11）延伸至所述载体基板的第二主表面（12）（1），其中，所述导电层（4）形成至少一个电镀通孔，通孔（5）通过，并在开口（5）由电绝缘氧化铝层的装置（3）延伸，基体（2）是电绝缘的。此外，（1）中指定用于制备所述载体基片（1）和一个光电部件（10，20，24）具有这样的载体基底的有利方法。

6. 发明申请

WO2012010519A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON STRAHLUNGSEMITTIERENDEN BAUELEMENTEN 审中-公开
标题翻译：辐射分量及其制造方法可发射组件
公开(公告)号：WO2012010519A1
公开(公告)日：2012-01-26
申请号：PCT/EP2011/062157
申请日：2011-07-15
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , WEIDNER, Karl , RAMCHEN, Johann , KALTENBACHER, Axel , WEGLEITER, Walter , BARCHMANN, Bernd , GRUBER, Stefan , BOGNER, Georg
发明人： WEIDNER, Karl , RAMCHEN, Johann , KALTENBACHER, Axel , WEGLEITER, Walter , BARCHMANN, Bernd , GRUBER, Stefan , BOGNER, Georg
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/58 , G02B6/00 , G02F1/13357 , H01L33/20 , H01L33/60 , H01L25/075 , H01L33/46 , H01L33/40
CPC分类号： H01L33/60 , G02F1/133603 , H01L25/0753 , H01L25/0756 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/46 , H01L33/58 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein strahlungsemittierendes Bauelement angegeben mit - einem Halbleiterchip (2), der eine erste Hauptfläche (25), eine der ersten Hauptfläche gegenüber liegende zweite Hauptfläche (26) und einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (23) aufweist; - einem Träger (5), an dem der Halbleiterchip seitens der zweiten Hauptfläche (26) befestigt ist; - einer Auskoppelschicht (4), die auf der ersten Hauptfläche (25) des Halbleiterchips (2) angeordnet ist und in lateraler Richtung von dem Halbleiterchip (2) beabstandete seitliche Auskoppelflächen (40) bildet, wobei in der Auskoppelschicht (4) eine sich zum Halbleiterchip (2) hin verjüngende Ausnehmung (45) ausgebildet ist, die im Betrieb aus der ersten Hauptfläche (25) austretende Strahlung in Richtung der seitlichen Auskoppelfläche (40) umlenkt. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements angegeben.
摘要翻译：本发明提供一种发射辐射的部件，包括： - 具有第一主表面（25），相对的第二主表面（26）的第一主表面的半导体芯片（2）和用于产生辐射有源区域（23）所提供的; - 支撑（5）由所述第二主表面固定在半导体芯片（26）; - 其被布置在半导体芯片的第一主表面（25）上的去耦层（4）（2）和在隔开的所述半导体芯片（2）的横向方向的横向输出表面（40），其中，在所述耦合输出层（4）具有一对半导体芯片（2）凹部逐渐变细（45）形成为从辐射的第一主表面（25）在横向耦合输出表面（40）的方向上发出的操作偏转。此外，被指定的制造发射辐射的器件的方法。

7. 发明申请

WO2011161183A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：光电半导体器件
公开(公告)号：WO2011161183A1
公开(公告)日：2011-12-29
申请号：PCT/EP2011/060485
申请日：2011-06-22
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , RAMCHEN, Johann , ZITZLSPERGER, Michael
发明人： RAMCHEN, Johann , ZITZLSPERGER, Michael
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/46 , H01L33/48 , H01L27/15 , H01S5/022 , H01S5/042 , H01S5/183 , H01L25/075 , H01L33/54
CPC分类号： H01L33/486 , H01L25/167 , H01L33/505 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0091 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (100), angegeben, mit einem Grundkörper (1), der eine Oberseite (11) sowie eine der Oberseite (11) gegenüberliegende Unterseite (12) aufweist, wobei der Grundkörper (1) eine erste Anschlussstelle (A1) und eine zweite Anschlussstelle (A2) sowie ein Gehäusematerial (2) aufweist; zumindest einem optoelektronischen Bauteil (3), das an der Oberseite (12) des Grundkörpers (1) am Grundkörper (1) angeordnet ist; einem an der Oberseite (11) des Grundkörpers (1) angeordneten Verguss (4), der das optoelektronische Bauteil (3) und den Grundkörper (1) zumindest stellenweise bedeckt; zumindest einer Öffnung (5), die den Verguss (4) und das Gehäusematerial (2) durchdringt und sich von einer dem Grundkörper (1) abgewandeten Oberseite (41) des Vergusses (4) in Richtung der Unterseite (12) des Grundkörpers (1) erstreckt, wobei, in der Öffnung (5) zumindest stellenweise ein elektrisch leitendes Material (6) angeordnet ist, und das elektrisch leitende Material (6) sich zumindest stellenweise an der Oberseite (41) des Vergusses (4) erstreckt.
摘要翻译：它是一种光电子半导体器件（100）表示，具有基体（1），该（11）具有顶部（11）和底部（12）相对的顶侧中的一个，其中，所述基体（1）具有第一连接点（A1）和第二连接点（A2），以及一个外壳材料（2）; （3）附连到所述基体（1）的顶侧（12）在所述基体（1）被布置在至少一个光电部件; 一个在基体（1）的顶部（11），被布置在封装（4）光电元件（3）和所述基体（1）至少在某些地方; 至少一个开口（5），灌封（4）和壳体材料（2）穿透并且背离的所述基体（1）的上侧（41）的距离的铸件（4）朝向所述基体的底部（12）（1 ），其特征在于，在所述开口（5）被布置成至少局部地由导电材料（6），和所述导电材料（6）至少局部地延伸（在封装的上侧41）（4）。

8. 发明申请

WO2012055661A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT MIT EINEM HALBLEITERCHIP, EINEM TRÄGERSUBSTRAT UND EINER FOLIE UND EIN VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：具有半导体芯片，载体基板和膜及其制造方法光电半导体器件
公开(公告)号：WO2012055661A1
公开(公告)日：2012-05-03
申请号：PCT/EP2011/066767
申请日：2011-09-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , AHLSTEDT, Magnus , RAMCHEN, Johann
发明人： AHLSTEDT, Magnus , RAMCHEN, Johann
IPC分类号： H01L33/62 , H01L23/52
CPC分类号： H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es ist ein Halbleiterbauelement (100) mit einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (1), einem Trägersubstrat (2) und einer Folie (3) vorgesehen. Das Trägersubstrat (2) weist auf einer Oberseite (20) elektrisch leitfähige Kontaktbahnen (21a, 21b) auf. Die Folie (3) ist auf einer vom Trägersubstrat (2) abgewandten Strahlungsaustrittsseite (10) des Chips (1) und auf der Oberseite (20) des Trägersubstrats (2) angeordnet und weist elektrisch leitfähige erste Leiterbahnen (31a) auf. Zudem weist die Folie (3) Durchbrüche (32a, 32b) auf, die derart angeordnet sind, dass der Halbleiterchip (1) über die erste Leiterbahn (31a) der Folie (3) mit der ersten Kontaktbahn (21a) des Trägersubstrats (2) elektrisch kontaktierbar ist. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Bauelements angegeben.
摘要翻译：它是具有发射辐射的半导体芯片的半导体器件（100）（1）中，载体基板（2）和一个膜（3）。所述载体基片（2）具有导电接触轨道（21A，21B）上的顶侧（20）。从芯片（1）的载体基板（2）辐射出射侧（10）和在载体基材的顶部（20）的面向从远离所述箔（3）（2）和电包括在导电的第一导体轨迹（31A）。另外，膜（3）具有开口（32A，32B），其被布置成使得通过所述箔（3）的与所述载体基片的第一接触轨道（21A）在所述第一导体轨道（31A）在半导体芯片（1）（2）可以电接触。此外，被指定制造这种器件的方法。

9. 发明申请

WO2012041925A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：光电子器件及其制造方法的光电子器件
公开(公告)号：WO2012041925A1
公开(公告)日：2012-04-05
申请号：PCT/EP2011/066917
申请日：2011-09-28
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , AHLSTEDT, Magnus , RAMCHEN, Johann , RACZ, David , KRÄUTER, Gertrud
发明人： AHLSTEDT, Magnus , RAMCHEN, Johann , RACZ, David , KRÄUTER, Gertrud
IPC分类号： H01L33/60 , H01L33/54 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/60 , H01L33/54
摘要： Es wird ein optoelektronisches Bauelement mit einem Licht emittierenden Chip und ein dem Licht emittierenden Chip seitlich umgebendes Gehäuse angegeben. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements angegeben, bei dem ein flüssiges Gehäusematerial auf einem Substrat aufgebracht wird.
摘要翻译：是侧指示壳体周围具有发光芯片和所述发光芯片的光电子器件。此外，提供了一种用于制造其中液体壳材料被施加到基底上的光电装置的方法。

10. 发明申请

WO2011160968A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
标题翻译：光电半导体器件
公开(公告)号：WO2011160968A1
公开(公告)日：2011-12-29
申请号：PCT/EP2011/059738
申请日：2011-06-10
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , RAMCHEN, Johann , RACZ, David , GALLMEIER, Hans-Christoph , GRÖTSCH, Stefan , JEREBIC, Simon
发明人： RAMCHEN, Johann , RACZ, David , GALLMEIER, Hans-Christoph , GRÖTSCH, Stefan , JEREBIC, Simon
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/46 , H01L25/075 , H01L33/44 , H01L33/50 , H01L33/54 , H01L31/0232
CPC分类号： H01L33/60 , H01L23/295 , H01L23/3121 , H01L23/60 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/0753 , H01L25/167 , H01L31/0232 , H01L33/46 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2224/291 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48471 , H01L2224/48479 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01079 , H01L2924/05032 , H01L2924/05432 , H01L2924/12036 , H01L2924/181 , H01L2924/207 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) umfasst dieses einen Träger (2) sowie mindestens einen optoelektronischen Halbleiterchip (3), der an einer Trägeroberseite (20) angebracht ist. Weiterhin beinhaltet das Halbleiterbauteil (1) mindestens einen Bonddraht (4), über den der Halbleiterchip (3) elektrisch kontaktiert ist, sowie mindestens einen Abdeckkörper (5), der auf einer Strahlungshauptseite (30) angebracht ist und der den Bonddraht (4) überragt. Zumindest eine reflektierende Vergussmasse (6) umgibt den Halbleiterchip (3) in lateraler Richtung und reicht mindestens bis zu der Strahlungshauptseite (30) des Halbleiterchips (3). Der Bonddraht (4) ist vollständig von der reflektierenden Vergussmasse (6) oder vollständig von der reflektierenden Vergussmasse (6) zusammen mit dem Abdeckkörper (5) überdeckt.
摘要翻译：在光电子半导体器件的至少一个实施例中（1）包括所述一个载体（2）和至少一个光电子半导体芯片（3），其被安装在载体顶部（20）。此外，半导体组件（1）包括至少一个接合线（4）通过将半导体芯片（3）的电接触，和至少一个覆盖体（5），其被安装在辐射主侧（30）和突出于接合线（4），周围在横向方向上的半导体芯片（3）和至少一个反射灌封化合物（6）至少延伸到所述半导体芯片（3）的主辐射侧（30）。接合线（4）完全从反射灌封化合物（6）或完全地（6）的反射的浇注与盖体一起覆盖（5）。

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