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    • 2. 发明申请
    • STRAHLUNGSEMITTIERENDES BAUELEMENT
    • 辐射分量
    • WO2014060318A1
    • 2014-04-24
    • PCT/EP2013/071318
    • 2013-10-11
    • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
    • WIENER, DanielWAGNER, Konrad
    • G02B5/26H01L33/46H01L25/075H01L33/50H01L33/60
    • G03B21/204F21K9/64F21V9/08F21Y2101/00F21Y2115/10G02B19/0028G02B19/0061H01L25/0753H01L33/46H01L33/50H01L2924/0002H01L2924/00
    • Es wird ein strahlungsemittierendes Bauelement angegeben. Das strahlungsemittierende Bauelement (100) umfasst - zumindest einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip (1), wobei jeder der strahlungsemittierenden Halbleiterchips (1) eine Strahlungsaustrittsfläche (2) aufweist, die zumindest eine Seitenfläche (3) und eine Hauptfläche (4) des strahlungsemittierenden Halbleiterchips (1) umfasst, - zumindest ein Konversionselement (5), wobei jedes der Konversionselemente (5) eine Strahlungsaustrittsfläche (6) aufweist, die zumindest eine Seitenfläche (7) und eine Hauptfläche (8) des Konversionselements (5) umfasst, und - ein dem zumindest einen Konversionselement (5) und dem zumindest einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip (1) nachgeordnetes erstes Reflexionselement (9), wobei - das Verhältnis der Summe der Strahlungsaustrittsflächen (2) aller strahlungsemittierenden Halbleiterchips (1) zu der Summe der Strahlungsaustrittsflächen (6) aller Konversionselemente (5) größer 1 ist.
    • 本发明提供一种发射辐射的器件。 发射辐射的元件(100)包括: - 至少一个发射辐射的半导体芯片(1),每个所述(1),其具有发射辐射的半导体芯片辐射出射表面(2),所述至少一个侧表面(3)和主表面(4)的发射辐射的半导体芯片(1)的 包括: - (6)具有至少一个转换元件(5),每个所述转换元件(5)辐射出射表面上的至少一个侧表面(7)和主表面(8)所述转换元件(5),以及 - 一个,所述至少一个 转换元件(5)和所述至少一个发射辐射的半导体芯片(1)与第一反射元件的下游(9),其中 - 所述辐射出射表面的总和的比率(2)中的所有发射辐射的半导体芯片(1)与辐射出射表面的总和的(6)中的所有转换元件(5) 大于1。