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1. 发明申请

WO2012004112A1 LEUCHTDIODENCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES LEUCHTDIODENCHIPS 审中-公开
标题翻译： LEDS芯片和方法进行生产LEDS芯片
公开(公告)号：WO2012004112A1
公开(公告)日：2012-01-12
申请号：PCT/EP2011/060158
申请日：2011-06-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , MAYER, Bernd , SCHMID, Wolfgang
发明人： MAYER, Bernd , SCHMID, Wolfgang
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/20 , H01L33/02
CPC分类号： H01L33/26 , H01L33/025 , H01L33/20 , H01L33/44 , H01L2933/0025
摘要： Es wird ein Leuchtdiodenchip angegeben, mit - einer n-leitenden Halbleiterschicht (3), - einer p-leitenden Halbleiterschicht (4), - einem aktiven Bereich (2) zwischen der n-leitenden Halbleiterschicht (3) und der p-leitenden Halbeiterschicht (4), - einer Seitenfläche (14), welche die n-leitende Halbleiterschicht (3), die p-leitende Halbleiterschicht (4), und den aktiven Bereich (2) in einer lateralen Richtung begrenzt, und - einem Dotierbereich (1), in dem ein Dotierstoff in ein Halbleitermaterial des Leuchtdiodenchips eingebracht ist, und/oder - einem neutralisierten Bereich (1), wobei - der Dotierbereich (1) und/oder der neutralisierte Bereich (1) an der Seitenfläche (14) zumindest im Bereich des aktiven Bereichs ausgebildet ist, und - der Leuchtdiodenchip im Betrieb zur Abstrahlung von inkohärenter elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist.
摘要翻译：公开了一种发光二极管芯片，具有 - （活性区域（2）的n型半导体层（3）之间和p型半导体层 - 一个n型半导体层（3）， - 一个p-型半导体层（4）， 4）， - 一个侧表面（14）的连接（3），p型半导体层（4）和所述有源区（2）在横向方向上界定的n型半导体层，以及 - 一个掺杂区（1），在其中掺杂剂被引入到LED芯片的半导体材料，和/或 - 中和的区域（1），其中 - 所述掺杂区域（1）和/或在活动的区域中的至少所述侧表面（14）上的中和的区域（1）形成区域，以及 - 所述LED芯片中的操作提供给发射非相干的电磁辐射。

2. 发明申请

WO2009039844A9 POLARISIERTE STRAHLUNG EMITTIERENDER HALBLEITERCHIP 审中-公开
公开(公告)号：WO2009039844A9
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：PCT/DE2008/001583
申请日：2008-09-26
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SCHMID, Wolfgang
发明人： SCHMID, Wolfgang
IPC分类号： H01L33/00
摘要： Die Erfindung betrifft einen Strahlung emittierenden Halbleiterchip (1), der unter Ausnutzung des Purcell-Effekts polarisiertes Licht abstrahlt. Ein solcher polarisierte Strahlung emittierender Halbleiterchip (1) umfasst eine Strahlung erzeugende aktive Zone (3) und ein Polarisationsfilter (5), wobei die Strahlung erzeugende aktive Zone (3) zwischen einer Strahlungsauskoppelfläche des Halbleiterchips (1) und dem Polarisationsfilter (5) angeordnet ist.

3. 发明申请

WO2007098730A2 HALBLEITERLASERVORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：半导体激光器件
公开(公告)号：WO2007098730A2
公开(公告)日：2007-09-07
申请号：PCT/DE2007/000244
申请日：2007-02-08
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SCHMID, Wolfgang , MÜLLER, Martin
发明人： SCHMID, Wolfgang , MÜLLER, Martin
CPC分类号： H01S5/183 , H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/22 , H01S5/4031
摘要： Die Erfindung betrifft eine Halbleiterlaservorrichtung mit einem optisch gepumpten oberflächenemittierenden Vertikalemitter (1), der in einer Vertikalhauptstrahlungsrichtung emittiert, und mindestens einer monolithisch integrierten Pumpstrahlungsquelle (2) zum optischen Pumpen des Vertikalemitters (1), wobei die Pumpstrahlungsquelle in einer Pumphauptstrahlungsrichtung, die quer zur Vertikalhauptstrahlungsrichtung verläuft, Pumpstrahlung emittiert. Die Halbleiterlaservorrichtung zeichnet sich gemäß einer ersten Ausführung dadurch aus, dass zumindest ein vertikaler Abschnitt der Pumpstrahlungsquelle (2) in einer Lateralrichtung quer zur Pumphauptstrahlungsrichtung und quer zur Vertikalhauptstrahlungsrichtung indexführend für Pumpstrahlung ausgeführt ist. In einer zweiten Ausführung ist die Halbleiterlaservorrichtung dadurch gekennzeichnet, dass die Pumpstrahlungsquelle (2) in zumindest einem vertikalen Abschnitt in einer Lateralrichtung quer zur Pumphauptstrahlungsrichtung eine geringere Breite aufweist als in einem weiteren vertikalen Abschnitt. Es wird auf diese Weise bei geeigneter Dimensionierung erreicht, dass Moden der Pumpstrahlung ganz oder zumindest teilweise in vertikaler Richtung aus diesem Abschnitt gedrängt wird, wodurch Absorptionsverluste der Pumpstrahlung an leitenden Schichten verringert werden können.
摘要翻译：本发明涉及一种半导体激光装置与光泵浦的表面发射垂直发射器（1）发射在竖直主辐射方向，以及至少一个单片集成泵浦辐射源（2），用于光学泵浦垂直发射器（1），其中，在泵主辐射方向横向泵浦辐射源到垂直主辐射方向运行时，发射泵浦辐射。的半导体激光装置是根据第一实施例的特征在于，泵浦辐射源的至少一个垂直部分，其特征在于（2）在横向方向上横向于所述泵主辐射方向和横向于用于泵浦辐射垂直主辐射方向索引前导进行。在第二个实施例中，半导体激光装置的特征在于，在至少一个垂直部分泵浦辐射源（2）在横向方向上横向于更小的宽度的泵主辐射方向上比在另一个垂直截面。它以这种方式实现的，具有合适的尺寸，使得泵辐射模式被部分地从该部分中，从而泵辐射的吸收损耗可以减小到导电层在垂直方向上完全敦促或至少。

4. 发明申请

WO2005048423A1 OPTISCH GEPUMPTE HALBLEITERLASERVORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：光泵半导体激光器件
公开(公告)号：WO2005048423A1
公开(公告)日：2005-05-26
申请号：PCT/DE2004/002476
申请日：2004-11-09
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SCHMID, Wolfgang , BRICK, Peter , LUTGEN, Stephan , ALBRECHT, Tony , EBERHARD, Franz
发明人： SCHMID, Wolfgang , BRICK, Peter , LUTGEN, Stephan , ALBRECHT, Tony , EBERHARD, Franz
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/183 , H01H13/705 , H01H13/86 , H01H2209/07 , H01H2223/008 , H01H2223/034 , H01H2239/032 , H01H2239/034 , H01H2239/038 , H01S3/094084 , H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/101 , H01S5/1082 , H01S5/1085 , H01S5/4031 , H01S5/4056
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft eine optisch gepumpte Halbleiterlaservorrichtung mit einem oberflächenemittierenden Vertikalemissionsbereich (1) und mindestens einer monolithisch integrierten Pumpstrahlungsquelle (2) zum optischen Pumpen des Vertikalemissionsbereichs (1). Die Halbleiterlaservorrichtung ist dadurch ausgezeichnet, dass die Pumpstrahlung in Form von Teilstrahlungsbündeln mit unterschiedlichen Strahlungsrichtungen in den Vertikalemissionsbereich (1) eintritt, so dass die Pumpstrahlung einen Überlapp mit der Grundmode des Vertikalemissionsbereichs (1) aufweist, der zur Anregung dieser Grundmode geeignet ist. Der Erfindung liegt zugrunde, dass bevorzugt die Grundmode des Vertikalemissionsbereichs (1) angeregt wird, wenn die räumliche Intensitätsverteilung der Pumpstrahlung dem Profil der Grundmode angepasst ist.
摘要翻译：本发明涉及一种具有表面发射垂直发射区域（1）和至少一个单片集成泵浦辐射源（2），用于光学泵浦所述垂直发射区域的光泵浦半导体激光装置（1）。的半导体激光装置通过以下事实区分，泵辐射在具有（1）中发生的垂直发射区域不同的辐射方向的部分辐射束的形式，使得泵辐射与垂直发射区域的基模的重叠（1），其是适用于该基本模式的激励。本发明是基于，优选地垂直发射区域的基模（1）被激励时，泵辐射的空间强度分布被适应于基本模式的轮廓。

5. 发明申请

WO2003030316A2 OPTISCH GEPUMPTER VERTIKAL EMITTIERENDER HALBLEITERLASER 审中-公开
标题翻译：光泵浦垂直发射的半导体激光器
公开(公告)号：WO2003030316A2
公开(公告)日：2003-04-10
申请号：PCT/DE2002/003651
申请日：2002-09-26
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SCHMID, Wolfgang
发明人： SCHMID, Wolfgang
IPC分类号： H01S5/00
CPC分类号： H01S5/141 , H01S5/02461 , H01S5/02469 , H01S5/02484 , H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/183 , H01S5/4056
摘要： Bei einem optisch gepumpten vertikal emittierenden Halbleiterlaser mit einer hochreflektierenden Reflektorschicht (10), einer auf der Reflektorschicht angeordneten, strahlungsemittierenden aktiven Schichtenfolge (14), bei dem im Betrieb die Reflektorschicht (10) zusammen mit einem externen Spiegel (20) einen Laserresonator bildet, ist innerhalb des Laserresonators (10,20) und in thermischen Kontakt mit der aktiven Schichtenfolge (14) eine für die emittierte Strahlung transparente Wärmesenke (12) angeordnet, die aus einem Material gebildet ist, das eine höhere Wärmeleitfähigkeit als die Materialien der aktiven Schichtenfolge (14) aufweist.
摘要翻译：当用高反射性反射器层（10）的光泵浦垂直发光半导体激光器中，反射层上布置成一个，发射辐射的有源层序列（14），其中操作（10）中的反射器层与外部反射镜（20）一起形成一个激光谐振器，是激光谐振腔（10,20）内，并布置在透明的与活性层序列（14），其具有比所述有源层序列的材料更高的热导率的材料形成的热接触所发射的辐射热沉（12）（14 ）了。

6. 发明申请

WO2012052415A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：光电子器件与方法研究
公开(公告)号：WO2012052415A1
公开(公告)日：2012-04-26
申请号：PCT/EP2011/068133
申请日：2011-10-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SCHMID, Wolfgang , KLEMP, Christoph , GOMEZ-IGLESIAS, Alvaro
发明人： SCHMID, Wolfgang , KLEMP, Christoph , GOMEZ-IGLESIAS, Alvaro
IPC分类号： H01L33/40
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01L2924/10336 , H01L2924/10339 , H01L2924/10342 , H01L2924/10345 , H01L2924/10349 , H01L2924/00
摘要： Es ist ein optoelektronisches Bauelement (10) vorgesehen, das einen Halbleiterkörper (1), eine dielektrische Schicht (2), einen Spiegel (3) und eine Zusatzschicht (4) aufweist. Der Halbleiterkörper (1) weist eine aktive Zone (1c) zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung, einen n-Kontakt (1a) und einen p-Kontakt (1b) zur elektrischen Kontaktierung auf. Die dielektrische Schicht (2) ist zwischen Halbleiterkörper (1) und Spiegel (3) angeordnet. Die Zusatzschicht (4) ist zwischen Halbleiterkörper (1) und dielektrischer Schicht (2) angeordnet. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Bauelements (10) angegeben.
摘要翻译：提供了一种包含在半导体本体中的光电部件（10）（1），介电层（2），反射镜（3）和附加层（4）。半导体本体（1）具有的活性区（1c）中，用于产生电磁辐射，n接触（1a）和p接触（1b）中制备的电接触。该介电层（2）被布置在所述半导体主体（1）和反射镜（3）之间。附加层（4）被布置在所述半导体主体（1）和电介质层（2）之间。此外，被指定制造这种装置（10）的方法。

7. 发明申请

WO2010057955A2 KANTENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER 审中-公开
标题翻译：领先的半导体激光器
公开(公告)号：WO2010057955A2
公开(公告)日：2010-05-27
申请号：PCT/EP2009/065488
申请日：2009-11-19
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ECKSTEIN, Hans-Christoph , ZEITNER, Uwe D. , SCHMID, Wolfgang
发明人： ECKSTEIN, Hans-Christoph , ZEITNER, Uwe D. , SCHMID, Wolfgang
IPC分类号： H01S5/12
CPC分类号： H01S5/10 , H01S5/028 , H01S5/0655 , H01S5/1064 , H01S5/1203 , H01S5/1237 , H01S5/16 , H01S5/2036 , H01S2301/176
摘要： Es wird ein kantenemittierender Halbleiterlaser mit einem Halbleiterkörper (1), der einen Wellenleiterbereich (2) aufweist, angegeben. Der Wellenleiterbereich (2) weist eine untere Mantelschicht (3a), eine untere Wellenleiterschicht (4a), eine aktive Schicht (5) zur Erzeugung von Laserstrahlung, eine obere Wellenleiterschicht (4b) und eine obere Mantelschicht (3b) auf. Weiterhin weist der Wellenleiterbereich (2) mindestens einen strukturierten Bereich (6) zur Streuung der Laserstrahlung auf, in dem eine laterale Grundmode der Laserstrahlung geringere Streuverluste als die Strahlung höherer Lasermoden erfährt.
摘要翻译：给出了具有具有波导区域（2）的半导体本体（1）的边缘发射半导体激光器。波导区域（2）具有下包层（3a）中，下波导层（4a）中，用于产生激光辐射，上波导层（4b）的和的上包层（3b）中的有源层（5）。此外，波导区域（2）具有用于散射激光辐射的至少一个结构化区域（6），其中激光辐射的横向基模满足比较高激光模式的辐射更低的散射损耗

8. 发明申请

WO2005107027A2 OPTISCH GEPUMPTE HALBLEITERVORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：光泵半导体器件
公开(公告)号：WO2005107027A2
公开(公告)日：2005-11-10
申请号：PCT/DE2005/000649
申请日：2005-04-11
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , KARNUTSCH, Christian , LINDER, Norbert , SCHMID, Wolfgang
发明人： KARNUTSCH, Christian , LINDER, Norbert , SCHMID, Wolfgang
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18305 , H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/141 , H01S5/18313 , H01S5/18327 , H01S5/18388 , H01S5/32341
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung mit einem optisch gepumpten Vertikalemitter, der eine aktive Vertikalemitterschicht (3) aufweist, und einer Pumpstrahlungsquelle, mittels der ein in lateraler Richtung propagierendes Pumpstrahlungsfeld erzeugt wird, das die Vertikalemitterschicht (3) in einem Pumpbereich optisch pumpt, wobei die Wellenlänge des Pumpstrahlungsfeldes kleiner ist als die Wellenlänge des von dem Vertikalemitter generierten Strahlungsfeldes (12). Die Pumpstrahlungsquelle weist eine aktive Pumpschicht (2) auf, die der Vertikalemitterschicht (3) in vertikaler Richtung nachgeordnet ist und die in vertikaler Richtung gesehen zumindest teilweise mit der Vertikalemitterschicht überlappt, wobei die aktive Pumpschicht (2) so angeordnet ist, dass das im Betrieb erzeugte Pumpstrahlungsfeld eine höhere Leistung aufweist als ein parasitäres, von der Vertikalemitterschicht (3) erzeugtes, laterales propagierendes Strahlungsfeld, oder wobei eine Erzeugung eines parasitären, lateral propagierenden Strahlungsfeldes durch die Vertikalemitterschicht (3) unterdrückt wird.
摘要翻译：本发明涉及与具有活性垂直发射层（3）和泵辐射源，通过在泵辐射场的横向方向传播的方式的光学泵浦垂直发射的半导体器件中产生，其光学地泵的垂直发射极层（3）的泵区域，所述泵浦辐射场的波长比所产生的辐射场的由垂直发射器（12）的波长小。泵浦辐射源具有有源泵层（2），其在垂直发射层（3）的垂直方向的下游侧布置并且在垂直方向上观察至少部分地重叠的垂直发射层，有源泵层（2）被布置成使得在操作中产生的泵浦辐射场具有比寄生更高的功率，由所述垂直发射层（3）产生的，横向传播的辐射场，或在其中产生的寄生的由垂直发射极层（3）被抑制横向传播辐射场。

9. 发明申请

WO2005101531A2 LEUCHTDIODENCHIP 审中-公开
标题翻译： LEDS CHIP
公开(公告)号：WO2005101531A2
公开(公告)日：2005-10-27
申请号：PCT/DE2005/000677
申请日：2005-04-14
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BADER, Stefan , SCHMID, Wolfgang
发明人： BADER, Stefan , SCHMID, Wolfgang
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/465 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： Die Erfindung betrifft einen Dünnfilm-Leuchtdiodenchip, bei dem der Abstand zwischen einer Spiegelschicht (4) und einer lichterzeugenden aktiven Zone (3) derart eingestellt ist, dass eine von der aktiven Zone (3) abgestrahlte Strahlung mit einem von der Spiegelschicht (4) reflektierten Licht interferiert, wobei die interne Quanteneffizienz der aktiven Zone (3) durch diese Interferenz beeinflusst und dadurch die Abstrahlcharakteristik der aktiven Zone (3) mit mindestens einer Vorzugsrichtung erzielt wird.
摘要翻译：本发明涉及其中的反射层之间的距离（4）和与所述反射镜层中的一个有源区中的一个（3）发射的辐射（4）反射的光产生活性区（3）被设定这样的薄膜发光芯片干涉光，受此影响的干扰，从而有源区（3）的发射活性区（3）的内部量子效率与至少一个优选的方向来实现。

10. 发明申请

WO2004032247A2 HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：半导体元件及其制造方法
公开(公告)号：WO2004032247A2
公开(公告)日：2004-04-15
申请号：PCT/DE2003/002954
申请日：2003-09-05
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , EISERT, Dominik , ILLEK, Stefan , SCHMID, Wolfgang
发明人： EISERT, Dominik , ILLEK, Stefan , SCHMID, Wolfgang
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/20 , H01L23/3677 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L24/95 , H01L2224/29014 , H01L2224/29124 , H01L2224/29164 , H01L2224/29169 , H01L2224/83203 , H01L2924/12042 , H01L2924/351 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
摘要： Zur Verminderung bzw. Kompensation der thermischen Spannungen im Bauelement wird ein Halbleiterbauelement mit einer lichtemittierenden Halbleiterschicht oder einem lichtemittierenden Halbleiterelement, zwei Kontaktstellen und einem vertikal oder horizontal strukturierten Trägersubstrat, und ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements entwickelt. Die thermischen Spannungen entstehen durch Temperaturwechsel während der Prozessierung und im Betrieb und aufgrund der unterschiedlichen Ausdehnungskoeffizienten des Halbleiters und Trägersubstrats. Das Trägersubstrat wird so strukturiert, dass die thermischen Spannungen ausreichend vermindert bzw. kompensiert sind, dass das Bauelement nicht ausfällt.
摘要翻译：为了减少或补偿组件中的热应力，具有半导体发光层或发光半导体元件，两个接触点和一个垂直或水平结构的载体基材，以及一种制造半导体器件的方法的半导体器件的开发。的热应力引起的，因为半导体的膨胀和载体基板的不同的系数的处理和操作过程中的温度变化和。所述载体基片的结构，使得热应力充分地减少或补偿在该组件不沉淀。

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