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1. 发明申请

WO2012048962A2 KANTENEMITTIERENDE HALBLEITERLASERDIODE UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：边缘发射半导体激光二极管和方法及其
公开(公告)号：WO2012048962A2
公开(公告)日：2012-04-19
申请号：PCT/EP2011/065477
申请日：2011-09-07
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LELL, Alfred , NELZ, Christoph , RUMBOLZ, Christian , HARTAUER, Stefan
发明人： LELL, Alfred , NELZ, Christoph , RUMBOLZ, Christian , HARTAUER, Stefan
IPC分类号： H01S5/223 , H01S5/227
CPC分类号： H01S5/2202 , H01S5/0425 , H01S5/2219 , H01S5/222 , H01S5/2231 , H01S5/4031 , H01S2301/176
摘要： Es ist eine kantenemittierende Halbleiterlaserdiode (1) vorgesehen, die einen epitaktischen Halbleiterschichtenstapel (2) und eine Planarisierungsschicht (3) aufweist. Der Halbleiterschichtenstapel (2) weist einen Grundkörper (2a) und einen Stegwellenleiter (2b) auf, wobei der Grundkörper (2a) eine aktive Schicht (2c) zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung aufweist. Die Planarisierungsschicht (3) bettet den Stegwellenleiter (2b) derart ein, dass eine Oberfläche (21) des Stegwellenleiters (2b) und eine Oberfläche (22) der Planarisierungsschicht (3) eine ebene Hauptfläche (4) ausbilden. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung einer derartigen Halbleiterlaserdiode (1) vorgesehen.
摘要翻译：（2）和平坦化层（3），提供了包含一个半导体外延层堆叠的边缘发射半导体激光二极管（1）。半导体层堆叠（2）具有基体（2a）和一个脊形波导（2b）中，其特征在于，具有用于产生电磁辐射的有源层（2c）的所述基体（2a）中。所述平坦化层（3）嵌入的脊形波导（2b）的一个，使得脊形波导（2b）和所述平坦化层（3）的表面（22）的表面（21）具有平坦的主表面（4）的形式。此外，提供了用于制造这样的半导体激光二极管（1）的方法。

2. 发明申请

WO2016050608A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILS UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
标题翻译：方法用于制造光电半导体器件和光电半导体器件
公开(公告)号：WO2016050608A1
公开(公告)日：2016-04-07
申请号：PCT/EP2015/072013
申请日：2015-09-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , OSRAM GMBH
发明人： BÖHM, Bernd , ZASPEL, Daniel , HARTAUER, Stefan , HOXHOLD, Björn
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/00 , H01L33/64
CPC分类号： H01L33/0095 , H01L33/486 , H01L33/642 , H01L2933/005
摘要： Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil und ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils (10) angegeben, umfassend die Schritte:• A) Anordnen zumindest eines Halbleiterchips (2) an einem Träger (1), • B) Aufbringen eines elektrisch isolierenden Fotolacks (3) auf eine Oberseite (la) des Trägers (1) und auf den Halbleiterchip (2),• C) Aushärten des Fotolacks (3) mit einem Ausheizschritt, • D) Strukturieren des Fotolacks (3) durch Belichtung, • F) Entwicklung des Fotolacks (3), wobei der Fotolack (3) zumindest von einer Strahlungsdurchtrittsfläche (2b) des Halbleiterchips (2) entfernt wird, • G) weiteres Aushärten des Fotolacks (3) mit einem Ausheizschritt, und • H) Aufbringen einer elektrisch leitenden Kontaktschicht (4) auf den Fotolack (3), wobei die elektrisch leitende Kontaktschicht (4) stellenweise einen Abstand (A) zu einer Randfläche (3a) des Fotolacks (3) aufweist, die dem Halbleiterchip (2) zugewandt ist, wobei die dem Halbleiterchip (2) zugewandte Randfläche (3a) stellenweise freiliegt.
摘要翻译：本发明提供一种光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件（10），包括以下步骤的方法：•A）定位的至少一个上的支架（1），•B）将半导体芯片（2）的电绝缘抗蚀剂（3）所述支撑件的上表面（Ia）的（1）和半导体芯片（2），•C）固化（3）的烘烤工序，•D）图案化所述光致抗蚀剂（3）曝光的光致抗蚀剂上，•F）显影光刻胶（3），所述光致抗蚀剂（3）至少由一个辐射穿透表面（2b）的半导体芯片（2）被除去，•G）进一步固化抗蚀剂（3）的烘烤工序，和•1H）施加导电接触层（4 ）（在光致抗蚀剂3），其中，在所述光致抗蚀剂的一个距离（a）（一个周表面3a）的地方，导电接触层（4）（3），面向所述半导体芯片（2），所述的哈在暴露的部位面向lbleiterchip（2）外周面（3a）。

3. 发明申请

WO2014041165A1 VERFAHREN ZUR FIXIERUNG EINER MATRIXFREIEN ELEKTROPHORETISCH ABGESCHIEDENEN SCHICHT AUF EINEM HALBLEITERCHIP FÜR DIE HERSTELLUNG EINES STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERBAUELEMENTS UND STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：程序用于固定基质释放电层上的半导体芯片用于产生辐射半导体元器件和辐射半导体部件
公开(公告)号：WO2014041165A1
公开(公告)日：2014-03-20
申请号：PCT/EP2013/069151
申请日：2013-09-16
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： STOLL, Ion , TAEGER, Sebastian , GALLMEIER, Hans-Christoph , LINDBERG, Gudrun , HARTAUER, Stefan
IPC分类号： H01L21/02 , H01L33/00 , H01L33/44 , H01L33/50 , H01L33/46 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/8592 , H01L2933/0025 , H01L2933/0033 , H01L2933/0041 , H01L2933/0058 , H01L2933/0066 , H01L2933/0091 , H01L2924/00014
摘要： Es wird ein Verfahren zur Fixierung einer matrixfreien elektrophoretisch abgeschiedenen Schicht auf einem Halbleiterchip (2) für die Herstellung eines Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements angeben, das die folgenden Schritte aufweist: Bereitstellen eines Halbleiterwafers (1), wobei der Halbleiterwafer (1) ein Trägersubstrat (5) und wenigstens einen Halbleiterchip (2) aufweist, wobei der wenigstens eine Halbleiterchip (2) eine aktive Zone zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung aufweist, und wobei an einer dem Trägersubstrat (5) abgewandten Oberfläche (4) des wenigstens einen Halbleiterchips (2) wenigstens ein Kontaktbereich (3) ausgebildet ist; elektrophoretisches Abscheiden eines Materials (7) auf der dem Trägersubstrat (5) abgewandten Oberfläche (4) des wenigstens einen Halbleiterchips (2) zur Ausbildung der elektrophoretisch abgeschiedenen Schicht, wobei ein Abscheiden des Materials (7) auf dem wenigstens einen Kontaktbereich (3) verhindert wird, und; Aufbringen eines anorganischen Matrixmaterials (8) auf wenigstens einen Teilbereich einer dem Trägersubstrat (5) abgewandten Oberfläche des Halbleiterwafers (1) zur Fixierung des Materials (7) auf dem wenigstens einen Halbleiterchip (2). Ferner wird ein Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement angegeben.
摘要翻译：一种用于在半导体芯片上固定矩阵自由电泳沉积层的方法，（2）提供一种用于生产辐射的半导体器件的方法，包括以下步骤：提供一个半导体晶片（1），其中，所述半导体晶片（1）的支撑基板（5）和至少一个半导体芯片（2），其中，所述至少一个半导体芯片（2）具有用于产生电磁辐射的有源区，并且其中，从载体基板（5）（4）的所述至少一个半导体芯片（2）的至少一个接触区域背向表面（3）形成; （5）背离的材料的电泳沉积（7）（4）的所述至少一个半导体芯片（2），以形成电沉积层远离载体衬底上表面，防止所述材料（7）沉积到所述至少一个接触区（3）是，和; 用于所述至少一个半导体芯片上的材料（7）的固定（2）（8）在载体基材的至少一部分上施加的无机基质材料中的半导体晶片（1）的表面（5）背离。此外，发射辐射的半导体组件被指定。

4. 发明申请

WO2016131912A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES ELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：方法生产电子部件
公开(公告)号：WO2016131912A1
公开(公告)日：2016-08-25
申请号：PCT/EP2016/053448
申请日：2016-02-18
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： MUELLER, Jens , STEPHAN, Christoph , WALTER, Robert , HARTAUER, Stefan , RUMBOLZ, Christian
IPC分类号： H01S5/042 , H01S5/20 , H01S5/22
CPC分类号： H01S5/2086 , H01S5/0282 , H01S5/0422 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S2301/176
摘要： Ein Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen einer Oberfläche mit einem ersten Bereich (110) und einem an den ersten Bereich angrenzenden zweiten Bereich (120), zum Anordnen einer Opferschicht (200) über dem ersten Bereich der Oberfläche, zum Anordnen einer Passivierungsschicht (300) über der Opferschicht und dem zweiten Bereich der Oberfläche, zum Anlegen einer Öffnung (410) in der Passivierungsschicht über den ersten Bereich der Oberfläche und zum Entfernen der Opferschicht (200). Dazu kann noch eine Fotolackschicht (400) verwendet werden. Nach Maskieren und Ätzen der Opferschicht kann die verbliebene Fotolackschicht (400) und der Überstand der Passivierungsschicht (300) mechanisch über eine so gebildete Sollbruchstelle entfernt werden.
摘要翻译：一种用于制造电子器件的方法包括提供具有第一区（110）和区域邻近于第一区域的第二区域（120），用于在所述表面的所述第一区域放置一个牺牲层（200）的表面的步骤，用于放置钝化层（300）在所述牺牲层和所述表面，以产生在比该表面的第一区域中的钝化层中的开口（410）的第二区域和去除所述牺牲层（200）。为了这个目的，仍然可以使用光致抗蚀剂层（400）。掩蔽和牺牲层的蚀刻之后，剩余的光刻胶层（400）和所述钝化层（300）的上清液可以机械经由这样形成一个预定的断裂点移除。

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