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1. 发明公开

KR20180051667A 광전자 반도체칩의 제조 방법 및 광전자 반도체칩 审中-公开
公开(公告)号：KR20180051667A
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：KR20187012757
申请日：2011-05-26
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HOEPPEL LUTZ , VON MALM NORWIN
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/16 , H01L33/58 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/46 , H01L27/0248 , H01L29/861 , H01L31/0224 , H01L31/02327 , H01L31/186 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , Y02P70/521 , H01L2924/00
摘要： 본발명은광전자반도체칩의제조방법에관한것으로, 상기방법은하기단계들: n-전도층(2)을제공하는단계, 상기 n-전도층(2) 위에 p-전도층(4)을배치하는단계, 상기 p-전도층(4) 위에금속층시퀀스(5)를배치하는단계, 상기 p-전도층(4)으로부터멀리떨어진상기금속층시퀀스(5) 측면에마스크(6)를배치하는단계, 상기마스크(6)를사용하여상기금속층시퀀스(5)를부분적으로제거하고상기 p-전도층(4)을노출시키는단계, 그리고상기마스크(6)를사용하여상기 p-전도층(4)의노출된영역들(4a)을상기 n-전도층(2)에이르기까지부분적으로중성화하거나제거하는단계를포함하며, 이때상기금속층시퀀스(5)는적어도하나의미러층(51) 및적어도하나의장벽층(52)을포함하며, 상기금속층시퀀스(5)의미러층(52)은상기 p-전도층(4)을향해있다.

2. 发明申请

WO2011154180A3 LIGHT-EMITTING DIODE ARRANGEMENT AND LIGHT-EMITTING MEANS, IN PARTICULAR WITH SUCH A LIGHT-EMITTING DIODE ARRANGEMENT 审中-公开
标题翻译： LED的配置和灯具尤其是这样的安排LEDS
公开(公告)号：WO2011154180A3
公开(公告)日：2012-05-31
申请号：PCT/EP2011055848
申请日：2011-04-13
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , VON MALM NORWIN , MAIWALD HUBERT , KRAUS ROBERT , RODE PATRICK , WIRTH RALPH
发明人： VON MALM NORWIN , MAIWALD HUBERT , KRAUS ROBERT , RODE PATRICK , WIRTH RALPH
IPC分类号： H05B33/08 , F21K99/00 , F21V23/02 , H01L41/04
CPC分类号： H05B37/00 , F21K9/232 , F21K9/233 , F21V3/00 , F21V23/026 , F21V29/70 , F21V29/74 , F21V29/89 , F21Y2101/00 , F21Y2105/10 , F21Y2115/10 , H01L25/0753 , H01L33/08 , H01L33/62 , H01L33/647 , H01L41/044 , H01L41/107 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H05B33/0806 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： The invention specifies a light-emitting diode arrangement, with a piezoelectric transformer (1) which has at least one output-side connection point (11), and with a high-voltage light-emitting diode (2), which comprises a high-voltage light-emitting diode chip (21), wherein the high-voltage light-emitting diode (2) is connected electrically to the output-side connection point (11) of the piezoelectric transformer (1), and the high-voltage light-emitting diode chip (21) comprises at least two active regions which are connected in series with one another.
摘要翻译：提供了一种发光二极管布置，具有压电变压器（1）具有至少一个输出侧连接点（11），和高电压的发光二极管（2），包括一个高电压的发光二极管芯片（21），其特征在于，所述高电压发光二极管（ 2）电（输出侧连接的压电变压器（1）的点11）连接和高电压的发光二极管芯片（21）包括被相互串联连接的至少两个活性区域。

3. 发明申请

WO2016170151A3 LIGHT-EMITTING DIODE ASSEMBLY AND METHOD FOR PRODUCING A LIGHT-EMITTING DIODE ASSEMBLY 审中-公开
标题翻译： LUMINESZENZDIODENANORDNUNG及其制造方法LUMINESZENZDIODENANORDNUNG
公开(公告)号：WO2016170151A3
公开(公告)日：2016-12-15
申请号：PCT/EP2016059073
申请日：2016-04-22
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： SINGER FRANK , MOOSBURGER JÜRGEN , VON MALM NORWIN , DIRSCHERL GEORG
IPC分类号： H01L33/54 , H01L25/075 , H01L33/50 , H01L33/56
CPC分类号： H01L33/56 , H01L25/0753 , H01L33/505 , H01L33/54 , H01L2933/0033 , H01L2933/0041 , H01L2933/005
摘要： The invention relates to a light-emitting diode assembly (1) having: at least one first light-emitting diode chip (2) with a first radiation output surface (3), the chip being designed to emit radiation via the radiation output surface (3); and at least one hybrid polymer (4) positioned in the beam path of the first light-emitting diode chip (2), the hybrid polymer (4) having organic and inorganic regions covalently bonded to one another and said hybrid polymer (4) being thermally- and/or radiation cross-linked. The first radiation output surface (3) and the hybrid polymer (4) are in direct mechanical contact.
摘要翻译：本发明涉及一种Lumineszenzdiodenanordnung（1），包括至少一个第一LED芯片（2），具有第一辐射出射表面（3），其被布置在所述辐射出射表面（3）上对辐射的发射，至少一个杂化聚合物（4），在第一的光束路径 LED芯片（2）布置，所述混合聚合物（4），其共价连接在一起的有机和无机的区域，所述混合聚合物（4）是热和/或通过辐射交联，所述第一辐射出射表面（3）和所述的杂化聚合物（4）在直接机械接触。

4. 发明申请

WO2012028460A2 LIGHT-EMITTING DIODE CHIP 审中-公开
标题翻译： LEDS CHIP
公开(公告)号：WO2012028460A2
公开(公告)日：2012-03-08
申请号：PCT/EP2011064185
申请日：2011-08-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HOEPPEL LUTZ , VON MALM NORWIN , SABATHIL MATTHIAS
发明人： HOEPPEL LUTZ , VON MALM NORWIN , SABATHIL MATTHIAS
IPC分类号： H01L33/22 , H01L25/075 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/0079
摘要： A light-emitting diode chip is specified, comprising - a semiconductor body (1) comprising a radiation-generating active region (13), - at least two contact locations (2a, 2b) for making electrical contact with the active region, - a carrier (3) and - a connecting means (4), arranged between the carrier (3) and the semiconductor body (1), wherein - the semiconductor body (1) has a roughening (15) at its outer surfaces facing the carrier (3), - the semiconductor body (1) is mechanically connected to the carrier (3) by means of the connecting means (4), - the connecting means (4) is in direct contact with the semiconductor body (1) and the carrier (3) in some locations, and - the at least two contact locations (2a, 2b) are arranged at the top side of the semiconductor body (1) that faces away from the carrier (3).
摘要翻译：本发明公开了一种发光二极管芯片，包括： - 一个半导体本体（1），其包括产生辐射的有源区（13）， - 至少两个垫（2A，2B），用于电接触所述有源区， - 支承件（3），以及 - 一个连接装置（4），其被布置在所述支撑件（3）和半导体本体（1）之间， - 具有半导体主体（1）在其面向（3）的面向粗糙化（15）的外表面的支撑侧， - 在半导体本体（1）通过连接装置的装置（4）机械地连接到所述载体（3）， - 在与所述半导体基体直接接触的地方，所述连接装置（4）（1）与所述支撑件（3），以及 - 所述至少两个接触点（2A，2B ）布置在背对半导体本体（1）的上侧的载体（3）上。

5. 发明专利

DE102017101729A1 Strahlungsemittierende Vorrichtung 未知
公开(公告)号：DE102017101729A1
公开(公告)日：2018-08-02
申请号：DE102017101729
申请日：2017-01-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： GÖÖTZ BRITTA , VON MALM NORWIN
IPC分类号： H01L33/50 , H01L33/46 , H01L33/52
摘要： Es wird eine strahlungsemittierende Vorrichtung angegeben, die eine Halbleiterschichtenfolge (10) mit einer aktiven Schicht (20), die im Betrieb eine Primärstrahlung emittiert, umfasst. Die Vorrichtung umfasst weiterhin eine Auskoppelfläche (11) auf einer Oberfläche der Halbleiterschichtenfolge (10), eine Wellenlängenkonversionsschicht (30) auf der von der Auskoppelfläche (11) abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge (10), die zumindest einen die Primärstrahlung in Sekundärstrahlung umwandelnden Konversionsstoff enthält, und eine Spiegelschicht (40) auf der von der Halbleiterschichtenfolge (10) abgewandten Seite der Wellenlängenkonversionsschicht (30). Der zumindest eine Konversionsstoff ist elektrisch leitfähig und/oder in einem elektrisch leitfähigen Matrixmaterial eingebettet.

6. 发明专利

DE112015002754A5 Optoelektronisches Halbleiterbauelement, Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements sowie Lichtquelle mit einem optoelektronischen Halbleiterbauelement 未知
公开(公告)号：DE112015002754A5
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：DE112015002754
申请日：2015-06-11
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： VON MALM NORWIN
IPC分类号： H01L33/50 , H01L25/075 , H01L33/44 , H01L33/58 , H01L33/64

7. 发明专利

DE102015114175A1 Verfahren zur Herstellung von lichtemittierenden Halbleiterbauteilen und lichtemittierendes Halbleiterbauteil 未知
公开(公告)号：DE102015114175A1
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：DE102015114175
申请日：2015-08-26
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： O'BRIEN DAVID , GÖÖTZ BRITTA , VON MALM NORWIN
IPC分类号： H01L33/50 , C03B23/04 , C09K11/00 , H01L25/075
摘要： In einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von lichtemittierenden Halbleiterbauteilen eingerichtet und umfasst die Schritte: A) Bereitstellen einer Glaskapillare (2) aus einem Glasmaterial, B) Befüllen der Glaskapillare (2) mit einem Leuchtstoff (3), C) Versiegeln der Glaskapillare (2) in einem Versieglungsbereich (22) durch Aufschmelzen des Glasmaterials, sodass die Glaskapillare (2) durch das Glasmaterial selbst verschlossen wird, und D) Anbringen der versiegelten Glaskapillare (2) an einen Leuchtdiodenchip (4), sodass im Betrieb die von dem Leuchtdiodenchip (4) emittierte Strahlung durch den Leuchtstoff (3) in sichtbares Licht umgewandelt wird, wobei im Schritt C) ein Abstand zwischen dem Versieglungsbereich (22) und dem Leuchtstoff (3) bei höchstens 7 mm liegt

8. 发明专利

DE112014003402A5 Oberflächenmontierbares optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung zumindest eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Halbleiterbauteils 未知
公开(公告)号：DE112014003402A5
公开(公告)日：2016-05-19
申请号：DE112014003402
申请日：2014-07-16
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： VON MALM NORWIN
IPC分类号： H01L33/54 , H01L33/00 , H01L33/46 , H01L33/48 , H01L33/50 , H01L33/62

9. 发明专利

DE112014002611A5 Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip 未知
公开(公告)号：DE112014002611A5
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：DE112014002611
申请日：2014-05-28
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： VON MALM NORWIN , PLÖSSL ANDREAS
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/62

10. 发明专利

DE112014001665A5 Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements 未知
公开(公告)号：DE112014001665A5
公开(公告)日：2015-12-10
申请号：DE112014001665
申请日：2014-03-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： REILL JOACHIM , VON MALM NORWIN , SINGER FRANK , SABATHIL MATTHIAS
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/00 , H01L33/54

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