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1. 发明专利

DE102012107409A1 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Laserelements und Halbleiter-Laserelement 未知
公开(公告)号：DE102012107409A1
公开(公告)日：2014-02-13
申请号：DE102012107409
申请日：2012-08-13
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： ENZMANN ROLAND , ARZBERGER MARKUS , FEHSE ROBIN , GRAUL MARKUS , HORN MARKUS , HANEDER STEPHAN , WALTER CHRISTOPH , SWIETLIK TOMASZ , KOENIG HARALD , KAEMPF MATHIAS
IPC分类号： H01S5/02 , H01S5/40
摘要： In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Laserelementen (1) die folgenden Schritte: A) Bereitstellen mindestens eines Trägerverbunds (20) mit einer Vielzahl von Trägern (2) für die Halbleiter-Laserelemente (1), C) Bereitstellen mindestens eines Laserbarrens (30) mit einer Vielzahl von Halbleiter-Laserdioden (3), die ein gemeinsames Aufwachssubstrat (31) und eine darauf aufgewachsene Halbleiterschichtenfolge (32) umfassen, D) Anbringen des Laserbarrens (30) auf einer Oberseite (23) des Trägerverbunds (20), und E) Vereinzeln zu den Halbleiter-Laserelementen (1). Der Verfahrensschritt E) folgt hierbei dem Verfahrensschritt D) nach.

2. 发明专利

DE102012215265B4 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER LASERDIODE, HALTERUNG UND LASERDIODE 未知
公开(公告)号：DE102012215265B4
公开(公告)日：2022-09-22
申请号：DE102012215265
申请日：2012-08-28
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： AUEN KARSTEN , DACHS JÜRGEN , ENZMANN ROLAND , GRAUL MARKUS , HANEDER STEPHAN , ROZYNSKI ANDREAS , SWIETLIK TOMASZ
IPC分类号： H01S5/028 , H01S5/02
摘要： Verfahren zum Herstellen einer Laserdiode, wobei mehrere Laserdioden mit Laserdiodenstrukturen (2) auf einem Wafer hergestellt werden, wobei der Wafer in Waferstücke zerteilt wird, wobei jedes Waferstück (1) als Tragelement mehrere Laserdioden nebeneinander aufweist, wobei ein Waferstück in eine erste Halterung (6) eingelegt wird, wobei die erste Halterung ein erstes Abdeckelement (10) aufweist, das über eine Vorderseite des Waferstücks hinausragt und einen unteren Bereich (16) der Vorderseite des Waferstückes abschattet, wobei auf einen nicht abgeschatteten oberen Bereich (11) der Vorderseite des Waferstückes eine Spiegelschicht (15) abgeschieden wird, wobei das Waferstück in eine zweite Halterung (12) eingelegt wird, wobei die zweite Halterung ein zweites Abdeckelement (14) aufweist, wobei das zweite Abdeckelement die Spiegelschicht des oberen Bereiches der Vorderseite abschattet, wobei auf einen nicht abgeschatteten unteren Bereich der Vorderseite des Waferstückes eine elektrisch leitende Kontaktschicht (19) abgeschieden wird, wobei das Waferstück anschließend in einzelne Laserdioden aufgeteilt wird,wobei anschließend an der Kontaktschicht (19) der Laserdiode ein optisches Bauelement befestigt wird, wobei das optische Bauelement ein weiteres Tragelement (20) und eine optische Faser (21) aufweist, wobei die optische Faser (21) auf die Laserdiodenstruktur (2) der Laserdiode ausgerichtet wird, um eine von der Laserdiodenstruktur (2) ausgekoppelte Laserstrahlung aufzunehmen und weiterzuleiten,wobei die Kontaktschicht (19) zum Montieren des weiteren Tragelements (20) und zum Anschluss eines weiteren elektrischen Kontaktes (36) zum Betreiben der Laserdiode dient.

3. 发明专利

DE102016122147A1 Halbleiterlaser 未知
公开(公告)号：DE102016122147A1
公开(公告)日：2018-05-17
申请号：DE102016122147
申请日：2016-11-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： LAUER CHRISTIAN , SWIETLIK TOMASZ
IPC分类号： H01S5/20
摘要： Es wird ein Halbleiterlaser (10) mit einer aktiven Zone (1) und einem Wellenleiter (2) angegeben, bei dem die aktive Zone eine aktive Schicht (13) aufweist, die im Betrieb des Halbleiterlasers zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung eingerichtet ist. Der Wellenleiter ist zur Führung der im Betrieb des Halbleiterlasers erzeugten elektromagnetischen Strahlung innerhalb des Halbleiterlasers eingerichtet. Der Wellenleiter weist eine Teilregion (210, 220) auf, die aus einem Verbindungshalbleitermaterial gebildet ist, wobei ein Anteil eines Materials des Verbindungshalbleitermaterials in der gesamten Teilregion entlang der vertikalen Richtung zur aktiven Zone hin graduell ansteigt, wodurch ein Brechungsindex der Teilregion zur aktiven Zone hin graduell abnimmt.

4. 发明专利

DE102018118694A1 Laserdiodenchip 未知
公开(公告)号：DE102018118694A1
公开(公告)日：2020-02-06
申请号：DE102018118694
申请日：2018-08-01
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： JANDER PETER , ROTH MICHAEL , SWIETLIK TOMASZ , VIERHEILIG CLEMENS
IPC分类号： H01S5/068 , H01L23/34 , H01S5/02 , H01S5/024 , H01S5/30
摘要： Es wird ein Laserdiodenchip beschrieben, umfassend- einen n-Typ Halbleiterbereich (3), einen p-Typ Halbleiterbereich (5) und eine zwischen dem n-Typ Halbleiterbereich (3) und dem p-Typ Halbleiterbereich (5) angeordnete aktive Schicht (4),einen n-Kontakt (9) und einen p-Kontakt (8),- mindestens ein Heizelement (14), das an einer dem p-Typ Halbleiterbereich (5) zugewandten Seite des Laserdiodenchips angeordnet sind, wobei das Heizelement (14) als Widerstandsheizung fungiert.

5. 发明专利

DE102014102037A1 Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Aufbringen einer Beschichtung auf mehrere Halbleitervorrichtungen 未知
公开(公告)号：DE102014102037A1
公开(公告)日：2015-08-20
申请号：DE102014102037
申请日：2014-02-18
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： STOCKMEIER MICHAEL , SCHMAL MICHAEL , VEIT THOMAS , SWIETLIK TOMASZ
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/38 , H01S5/02
摘要： Es wird eine Halbleitervorrichtung (10) beschrieben, mit einem Halbleiterkörper (3), der eine erste Kontaktschicht (1) an einer ersten Hauptfläche (11) und eine zweite Kontaktschicht (2) an einer zweiten Hauptfläche (12) aufweist. Der Halbleiterkörper (3) weist an der ersten Hauptfläche (11) eine Vertiefung (4) auf, die von zwei einander gegenüberliegenden Seitenflächen (5, 6) des Halbleiterkörpers (3) jeweils einen Abstand aufweist, wobei die erste Kontaktschicht (1) vollständig in der Vertiefung (4) angeordnet ist. Die zweite Kontaktschicht (2) weist von den einander gegenüberliegenden Seitenflächen (5, 6) einen gleich großen oder größeren Abstand als die Vertiefung (4) auf. Weiterhin wird ein Verfahren zum Aufbringen einer Beschichtung (7, 8) auf mehrere Halbleitervorrichtungen (10a, 10b) beschrieben.

6. 发明专利

DE102012215265A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER LASERDIODE, HALTERUNG UND LASERDIODE 未知
公开(公告)号：DE102012215265A1
公开(公告)日：2014-03-06
申请号：DE102012215265
申请日：2012-08-28
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： AUEN KARSTEN , DACHS JUERGEN , ENZMANN ROLAND , GRAUL MARKUS , HANEDER STEPHAN , ROZYNSKI ANDREAS , SWIETLIK TOMASZ
IPC分类号： H01S5/028 , H01S5/02
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Laserdiode, wobei mehrere Laserdioden auf einem Wafer hergestellt werden, wobei der Wafer in Waferstücke zerteilt wird, wobei jedes Waferstück mehrere Laserdioden nebeneinander aufweist, wobei ein Waferstück in eine erste Halterung eingelegt wird, wobei die erste Halterung ein erstes Abdeckelement aufweist, das über eine Vorderseite des Waferstücks hinausragt und einen unteren Bereich der Vorderseite des Waferstückes abschattet, wobei auf einen nicht abgeschatteten oberen Bereich der Vorderseite des Waferstückes eine Spiegelschicht abgeschieden wird, wobei das Waferstück in eine zweite Halterung eingelegt wird, wobei die zweite Halterung ein zweites Abdeckelement aufweist, wobei das zweite Abdeckelement die Spiegelschicht des oberen Bereiches der Vorderseite abschattet, wobei auf einen nicht abgeschatteten unteren Bereich der Vorderseite des Waferstückes eine elektrisch leitende Kontaktschicht abgeschieden wird, wobei das Waferstück anschließend in einzelne Laserdioden aufgeteilt wird. Zudem betrifft die Erfindung eine einfach herzustellende Laserdiode und Halterungen zur Durchführung des Verfahrens.

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