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1. 发明申请

WO2021083838A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTS UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
公开(公告)号：WO2021083838A1
公开(公告)日：2021-05-06
申请号：PCT/EP2020/080046
申请日：2020-10-26
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： TANGRING, Ivar , LINDBERG, Gudrun , GERINGER, Viktor , HUPPMANN, Sophia
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/38 , H01L33/62
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements (1) aufweisend die folgenden Schritte angegeben: A) Bereitstellen einer Mehrzahl von Halbleiterchips (10), die an einem Träger (50) angeordnet sind, B) Anordnen eines Hilfsträgers (60) auf der von dem Träger (50) abgewandten Seite der Halbleiterchips (10), C) Entfernen des Trägers (50), D) Vereinzeln des Hilfsträgers (60) zwischen den Halbleiterchips (10) zu Hilfsträger-Chip-Einheiten (2), die jeweils mindestens einen Halbleiterchip (10) und ein an diesen angrenzendes Hilfsträgerteil (61) aufweisen, E) Anordnen der Hilfsträger-Chip-Einheiten (2) an jeweils einen Anschlussträger (30), und F) Entfernen jeweils eines Hilfsträgerteils (61) von jeweils einer Hilfsträger-Chip-Einheit (2). Es wird ferner ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) angegeben.

2. 发明申请

WO2019158401A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VERBINDUNG ZWISCHEN BAUTEILEN UND BAUELEMENT AUS BAUTEILEN 审中-公开
公开(公告)号：WO2019158401A1
公开(公告)日：2019-08-22
申请号：PCT/EP2019/052781
申请日：2019-02-05
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： KATZ, Simeon , WENDT, Mathias , HUPPMANN, Sophia , ZENGER, Marcus , MÜLLER, Jens
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/62
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Verbindung zwischen einem ersten Bauteil (1) und einem zweiten Bauteil (2) angegeben, bei dem das erste Bauteil mit einer ersten freiliegenden Isolationsschicht (1I) und das zweite Bauteil mit einer zweiten freiliegenden Isolationsschicht (2I) bereitgestellt werden, wobei die Isolationsschichten jeweils zumindest eine Öffnung (1IC, 2IC) aufweisen. Die Bauteile werden derart zusammengeführt, dass sich die Öffnung (1IC) der ersten Isolationsschicht und die Öffnung (2IC) der zweiten Isolationsschicht in Draufsicht überlappen, wobei in mindestens einer der Öffnungen (1IC, 2IC) eine Au-Schicht (S1, S2) und eine Sn-Schicht (S1, S2) übereinander angeordnet sind. Die Au-Schicht und die Sn-Schicht werden zur Bildung einer AuSn-Legierung aufgeschmolzen, wobei die AuSn-Legierung nach einer Abkühlung eine Durchkontaktierung (12) bildet, welche das erste Bauteil mit dem zweiten Bauteil elektrisch leitend verbindet. Des Weiteren wird ein Bauelement aus einem ersten Bauteil und einem zweiten Bauteil angegeben, wobei die Bauteile durch eine Durchkontaktierung aus einer AuSn-Legierung miteinander elektrisch leitend verbunden sind.

3. 发明申请

WO2017129562A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER MEHRZAHL VON BAUELEMENTEN 审中-公开
标题翻译：生产多种组分的方法
公开(公告)号：WO2017129562A1
公开(公告)日：2017-08-03
申请号：PCT/EP2017/051423
申请日：2017-01-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HUPPMANN, Sophia , SCHOLZ, Dominik , KATZ, Simeon
IPC分类号： H01L21/78 , H01L27/146
CPC分类号： H01L21/78 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14687
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Bauelementen (100) angegeben, bei dem ein Trägerverbund (10) mit einem zusammenhängenden Grundkörper (13) und ein Waferverbund (200) mit einem zusammenhängenden Halbleiterkörperverbund (20) undeinem Substrat (9) bereitgestellt werden. Der Waferverbund wird mit dem Trägerverbund zur Bildung eines gemeinsamen Verbunds verbunden. In einem nachfolgenden Verfahrensschritt wird eine Mehrzahl von Trenngräben (60) zumindest durch den Grundkörper (13) hindurch zur Bildung einer Rasterstruktur (6) erzeugt, welche die Dimensionen der herzustellenden Bauelemente (100) festlegt. Eine Passivierungsschicht (61) wird derart geformt, dass sie Seitenflächen der Trenngräben (60) bedeckt. Abschließend wird der gemeinsame Verbund vereinzelt, wobei das Substrat (9) von dem Halbleiterkörperverbund (20) abgelöst wird und der gemeinsame Verbund entlang der Trenngräben (60) zu einer Mehrzahl von Bauelementen (100) vereinzelt wird.
摘要翻译：公开了一种用于制造多个部件（100）的方法，其中将具有粘合基体（13）和晶片复合体（200）的载体复合体（10）与相干半导体复合物（20）和衬底（9）。晶片复合材料粘合到载体复合材料上以形成复合材料。在随后的方法步骤中，至少通过基体（13）产生多个分离梁（60）以形成限定待制造的部件（100）的尺寸的栅格结构（6）。钝化层（61）形成为覆盖栅栏（60）的侧表面。最后，复合材料被分离，其中衬底（9）与半导体复合物（20）分离，并且复合材料沿着分离棒（60）被分离成多个器件（100）。

4. 发明申请

WO2015124531A3 LASERDIODENCHIP MIT BESCHICHTETER LASERFACETTE 审中-公开
公开(公告)号：WO2015124531A3
公开(公告)日：2015-08-27
申请号：PCT/EP2015/053218
申请日：2015-02-16
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： LELL, Alfred , TAEGER, Sebastian , HUPPMANN, Sophia
IPC分类号： H01S5/028
摘要： Es wird ein Laserdiodenchip (1) beschrieben, bei dem mindestens eine Laserfacette (9) eine Beschichtung (10) aufweist. Die Beschichtung (10) weist mindestens eine anorganische Schicht (14, 15, 16, 17, 18) und mindestens eine organische Schicht (20, 21, 22) auf.

5. 发明申请

WO2018010883A1 BAUELEMENT MIT VERBESSERTER EFFIZIENZ UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：提高效率的组分和生产组分的方法
公开(公告)号：WO2018010883A1
公开(公告)日：2018-01-18
申请号：PCT/EP2017/062783
申请日：2017-05-26
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HIRMER, Marika , HUPPMANN, Sophia , KATZ, Simeon
IPC分类号： H01L33/08 , H01L33/00 , H01L33/22 , H01L33/10 , H01L27/15
摘要： Es wird ein Bauelement mit einem Substrat (1), einem ersten Halbleiterkörper (2), einem zweiten Halbleiterkörper (4) und eine erster Übergangszone (3), wobei eine erste aktive Schicht (23) des ersten Halbleiterkörpers zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung erster Peakwellenlänge eingerichtet ist und eine zweite aktive Schicht (43) des zweiten Halbleiterkörpers zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung zweiter Peakwellenlänge eingerichtet ist. Die erste Übergangszone ist in vertikaler Richtung zwischen dem ersten Halbleiterkörper und dem zweiten Halbleiterkörper angeordnet und grenzt unmittelbar an den ersten sowie an den zweiten Halbleiterkörper an. Die erste Übergangszone weist ein strahlungsdurchlässiges und elektrisch leitfähiges Material auf, sodass der erste Halbleiterkörper über die erste Übergangszone mit dem zweiten Halbleiterkörper elektrisch leitend verbunden ist. Außerdem weist die erste Übergangszone eine strukturierte Hauptfläche (301, 302) und/oder eine erste teilweise transparente und teilweise wellenlängenselektiv reflektierende Spiegelstruktur (33) auf. Des Weiteren wird ein Verfahren angegeben, das zur Herstellung eines hier beschriebenen Bauelements besonders geeignet ist, bei dem der erste und der zweite Halbleiterkörper insbesondere mittels Direktbondens mechanisch und elektrisch miteinander verbunden werden.
摘要翻译：
这是具有一个基底（1），第一Halbleiterk＆OUML的装置;主体（2），第二Halbleiterk＆OUML;主体（4）和第一导航使用过渡区域（3），其中，第一活性第一半导体本体的层（23）适于产生第一峰值波长的电磁辐射，并且第二半导体本体的第二有源层（43）配置成产生第二峰值波长的电磁辐射。第一过渡区沿垂直方向布置在第一半导体本体和第二半导体本体之间并且直接邻接第一和第二半导体本体。第一过渡区包括辐射透射且导电的材料，使得第一半导体本体经由第一过渡区导电地连接到第二半导体本体。此外，第一过渡区具有结构化主表面（301,302）和/或第一部分透明且部分波长选择性反射镜结构（33）。此外，规定了一种特别适用于制造这里描述的部件的方法，其中第一和第二半导体本体彼此机械和电连接，特别是通过直接键合

6. 发明申请

WO2017153123A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHE BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：光电子器件和生产光电子器件的方法
公开(公告)号：WO2017153123A1
公开(公告)日：2017-09-14
申请号：PCT/EP2017/053015
申请日：2017-02-10
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HUPPMANN, Sophia , KATZ, Simeon , ZENGER, Marcus
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L25/075 , H01L33/62
摘要： Es wird ein optoelektronisches Bauelement (50) mit einem Halbleiterkörper (10a-c), der einen optisch aktiven Bereich (12) aufweist, weiter mit einem Träger (60) und einem Verbindungsschichtenpaar (30a-c), das eine erste Verbindungsschicht (32) und eine zweite Verbindungsschicht (34) aufweist, angegeben, wobei: der Halbleiterkörper auf dem Träger angeordnet ist, die erste Verbindungsschicht zwischen dem Halbleiterkörper und dem Träger angeordnet und mit dem Halbleiterkörper verbunden ist, die zweite Verbindungsschicht zwischen der ersten Verbindungsschicht und dem Träger angeordnet ist, zumindest eine Schicht ausgewählt aus der ersten Verbindungsschicht und der zweiten Verbindungsschicht ein strahlungsdurchlässiges und elektrisch leitfähiges Oxid enthält, und die erste Verbindungsschicht und die zweite Verbindungsschicht zumindest bereichsweise in einem oder mehreren Verbindungsbereichen direkt miteinander verbunden sind, so dass das Verbindungsschichtenpaar an der mechanischen Anbindung des Halbleiterkörpers an den Träger beteiligt ist. Die erste und/oder zweite Verbindungsschicht aufweist eine Mehrzahl von innerhalb der jeweiligen Schicht elektrisch voneinander isolierten, elektrisch leitfähigen Teilbereichen (80, 82), wobei zumindest zwei dieser Teilbereiche mit dem Halbleiterkörper auf verschiedenen Seiten des optisch aktiven Bereichs elektrisch leitfähig verbunden sind.
摘要翻译：
这是具有一个Halbleiterk＆OUML的光电子器件（50）;主体（10A-C）具有光学活性区域（12），还包括一个载体BEAR（GER（60）和连接层对图30A-C），其具有所示的第一互连层（32）和第二连接层（34），其中：所述Halbleiterk＆oUML;布置GER，在载体＆AUML体Halbleiterk＆oUML ;;体和Tr的AUML之间的第一粘结层; GER 和连接到所述Halbleiterk＆oUML; GER被布置在至少一个层中选择＆AUML;从所述第一互连层和第二互连层HLT，一个strahlungsdurchl BEAR流动的和导电BEAR Higes氧化物含有＆AUML是主体，所述第一互连层和Tr的AUML之间，第二连接层 lt;并且第一连接层和第二连接层至少部分地直接连接在一个或多个连接区域中使得连接层对涉及半导体本体与载体的机械连接。具有彼此多个电隔离的各个层内，导电BEAR ELIGIBLE部分区域（80，82）的第一和/或第二粘结层，其中，至少两个与所述Halbleiterk＆OUML这些部分区域;主体上的光学活性区的导电＆AUML的不同侧; 已连接。

7. 发明申请

WO2017093327A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER MEHRZAHL VON BAUELEMENTEN UND BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：生产多种零件的方法和结构元素
公开(公告)号：WO2017093327A1
公开(公告)日：2017-06-08
申请号：PCT/EP2016/079301
申请日：2016-11-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HUPPMANN, Sophia , KATZ, Simeon , ZENGER, Marcus , SCHOLZ, Dominik
IPC分类号： H01L31/00 , H01L31/18 , H01L33/00 , H01L33/48 , H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L31/02 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2933/0033
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Bauelementen (100) mit folgenden Schritten angegeben: Bereitstellen eines Trägerverbunds (10), der einen Grundkörper (13) enthält und eine planare Verbindungsfläche (11) aufweist; Bereitstellen eines Waferverbunds (200), der einen Halbleiterkörperverbund (20) enthält und eine planare Kontaktfläche (31) aufweist; Verbinden des Waferverbunds (200) mit dem Trägerverbund (10) zur Bildung eines Verbunds aus dem Trägerverbund (10) und dem Waferverbund (200), indem die planare Kontaktfläche (31) und die planare Verbindungsfläche (11) zur Bildung einer gemeinsamen Grenzfläche (1131) zusammengeführt werden; Reduzieren von inneren mechanischen Spannungen im Verbund aus dem Trägerverbund (10) und dem Waferverbund (200), indem Material des Trägerverbunds (10) stellenweise abgetragen wird; und Vereinzeln des Verbunds aus dem Trägerverbund (10) und dem Waferverbund (200) zu einer Mehrzahl von Bauelementen (100). Des Weiteren wird ein Bauelement (100) angegeben, das insbesondere durch ein solches Verfahren herstellbar ist.
摘要翻译：提供了一种制造多个装置（100）的方法，包括以下步骤：提供包括基体（13）并具有平面连接区域（13）的载体组件（10） che（11）; 提供包括半导体复合物（20）并具有平面接触表面（31）的晶片复合物（200）; 接合与Tr的AUML晶片组件（200）; gerverbund（10），以形成Tr的AUML的复合物; gerverbund（10）和由平面Kontaktfl BEAR表面（31）的晶片组件（200）和所述平面Verbindungsfl＆AUML;枝（11 ）形成一个共同的边界地区（1131）; 通过在适当位置去除载体复合材料（10）的材料来减小载体复合材料（10）和晶片复合材料（200）的复合材料中的内部机械应力; 以及将载体复合材料（10）和晶片复合物（200）的复合物分离成多个部件（100）。此外，指定了部件（100），其可以特别通过这样的方法来生产。

8. 发明申请

WO2019224005A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VERBINDUNG ZWISCHEN BAUTEILEN UND BAUELEMENT 审中-公开
公开(公告)号：WO2019224005A1
公开(公告)日：2019-11-28
申请号：PCT/EP2019/061813
申请日：2019-05-08
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： KATZ, Simeon , HUPPMANN, Sophia , HÖNLE, Michael , WAGNER, Thorsten , HINGERL, Kurt
IPC分类号： H01L33/00
摘要： Es wird ein Bauelement (10) mit einem ersten Bauteil (1) und einem zweiten Bauteil (2) angegeben, bei dem das erste Bauteil eine erste Isolierungsschicht (1I), eine Mehrzahl von ersten Durchkontakten (1D) und eine bereichsweise strukturierte Kontaktschicht (1K) aufweist, wobei die ersten Durchkontakte jeweils von der ersten Isolierungsschicht lateral umschlossen sind und die erste Kontaktschicht die erste Isolierungsschicht teilweise und die ersten Durchkontakte vollständig bedeckt. Das zweite Bauteil weist eine zweite Isolierungsschicht (2I), eine Mehrzahl von zweiten Durchkontakten (2D) und eine bereichsweise strukturiertezweite Kontaktschicht (2K)auf, wobei die zweiten Durchkontakte jeweils von der zweiten Isolierungsschicht lateral umschlossen sind und die zweite Kontaktschicht die zweite Isolierungsschicht teilweise und die zweiten Durchkontakte vollständig bedeckt. Des Weiteren ist eine mechanische und elektrische Verbindung zwischen den Bauteilen an den Kontaktschichten (1K, 2K) gebildet, wobei die Verbindung auf Van-der-Waals-Wechselwirkungen basiert. Außerdem wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements angegeben.

9. 发明申请

WO2019158416A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS UND HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
公开(公告)号：WO2019158416A1
公开(公告)日：2019-08-22
申请号：PCT/EP2019/052890
申请日：2019-02-06
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： KATZ, Simeon , HUPPMANN, Sophia
IPC分类号： H01L33/00
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements (10) angegeben, bei dem eine Halbleiterschichtenfolge (2) auf einem Aufwachssubstrat (1) hergestellt wird und eine Siliziumoxidschicht (3) auf die Halbleiterschichtenfolge (2) aufgebracht wird. Das Verfahren umfasst das Aufbringen einer ersten Metallschicht (4a)aus Gold, Platin, Kupfer oder Silber auf die Siliziumoxidschicht (3), das Bereitstellen eines Siliziumsubstrats (5) und Aufbringen einer zweiten Metallschicht (4b), die aus dem gleichen Material wie die erste Metallschicht (4a) gebildet ist, auf das Siliziumsubstrat (5), das Verbinden der Halbleiterschichtenfolge (2) mit dem Siliziumsubstrat (5) durch direktes Bonden der ersten Metallschicht an die zweite Metallschichtbei einer Temperatur im Bereich zwischen 150 °C und 400 °C, und das Ablösen des Aufwachssubstrats (1) von der Halbleiterschichtenfolge (2). Weiterhin wird ein mit dem Verfahren herstellbares Halbleiterbauelement (10) angegeben.

10. 发明申请

WO2019057610A1 VERFAHREN ZUM VEREINZELN VON HALBLEITERBAUTEILEN UND HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
公开(公告)号：WO2019057610A1
公开(公告)日：2019-03-28
申请号：PCT/EP2018/074815
申请日：2018-09-13
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： ENZMANN, Roland Heinrich , ZINI, Lorenzo , MICHAELIS, Benjamin , HUPPMANN, Sophia , HOLLAND, Brendan , HALBRITTER, Hubert
IPC分类号： H01L21/78
CPC分类号： H01L21/78
摘要： Es wird ein Verfahren zum Vereinzeln von Halbleiterbauteilen (25) angegeben mit den Schritten: • - Bereitstellen eines Trägers (11) mit einer Haupterstreckungsebene, • - Aufbringen von mindestens zwei Halbleiterchips (10) auf den Träger (11), • - Erzeugen von Bruchkeimen (12) im Träger (11), die entlang mindestens einer Trennachse (13) angeordnet sind, welche parallel zur Haupterstreckungsebene des Trägers (11) verläuft, • - Aufbringen des Trägers (11) auf eine Folie, wobei die Folie an der den Halbleiterchips (10) abgewandten Seite des Trägers (11) angeordnet ist, • - Vereinzeln der mindestens zwei Halbleiterchips (10) und des Trägers (11) durch Expandieren der Folie in lateralen Richtungen (x), welche parallel zur Haupterstreckungsebene des Trägers (11) sind, wobei • - der Träger (11) entlang mindestens einer Trennebene (14) zertrennt wird, welche von einer vertikalen Richtung (z) und der Trennachse (13) aufgespannt wird, wobei die vertikale Richtung (z) senkrecht zur Haupterstreckungsebene des Trägers (11) ist, und • - in den Träger (11) mindestens eine elektrisch isolierende Isolationsschicht (15) eingebracht ist, welche sich parallel zur Haupterstreckungsebene des Trägers (11) erstreckt. Außerdem wird ein Halbleiterbauelement (25) angegeben.

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