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1. 发明专利

DE102014113380B4 Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips 未知
公开(公告)号：DE102014113380B4
公开(公告)日：2017-05-04
申请号：DE102014113380
申请日：2014-09-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： GOMEZ-IGLESIAS ALVARO , HIRMER MARIKA , FREY ALEXANDER , ZINI LORENZO , LAUX HARALD
IPC分类号： H01S5/34 , H01L21/268 , H01L33/12 , H01L33/32
摘要： Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips mit den Schritten: A) Bereitstellen eines Trägersubstrats (1), B) Aufbringen einer Halbleiterschichtenfolge (2) auf das Trägersubstrat (1), und C) Ablösen der fertig hergestellten Halbleiterschichtenfolge (2) von dem Trägersubstrat (1) mittels Laserstrahlung (R) mit einer Wellenlänge (L) durch das Trägersubstrat (1) hindurch, wobei – die Halbleiterschichtenfolge (2), in Richtung weg von dem Trägersubstrat (1), einen Pufferschichtenstapel (20) und einen Funktionsstapel (22) aufweist, – der Funktionsstapel (22) mindestens eine aktive Schicht (21) zur Erzeugung von Licht aufweist, – sich innerhalb des Pufferschichtenstapels (20) mindestens eine Absorberschicht (23) befindet, – die Absorberschicht (23) aus einem Material zur Absorption der Laserstrahlung (R) gebildet wird und alle verbleibenden Schichten (24, 25) des Pufferschichtenstapels (20) für die Laserstrahlung (R) durchlässig sind, und – im Schritt C) ein Ablösen der Halbleiterschichtenfolge (2) vom Trägersubstrat (1) im Bereich der Absorberschicht (23) erfolgt, wobei sich die Absorberschicht (23) im Schritt C) in einem Maximum einer Strahlungsstärke (S) der Laserstrahlung (R) in der Halbleiterschichtenfolge befindet, und wobei durch eine Struktur des Pufferschichtenstapels (20) eine Leistungsdichte der eingestrahlten Laserstrahlung (R) in der Absorberschicht (23) interferometrisch erhöht wird.

2. 发明专利

DE102014105192A1 Verfahren zum Ablösen einer abzulösenden Schicht von einem Substrat 未知
公开(公告)号：DE102014105192A1
公开(公告)日：2015-10-15
申请号：DE102014105192
申请日：2014-04-11
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HIRMER MARIKA , HERTKORN JOACHIM , FREY ALEXANDER , WEIMAR ANDREAS , LAUX HARALD , BAUER ADAM , WALTER ALEXANDER
IPC分类号： H01L21/461 , H01L21/477 , H01L33/00 , H01S5/02
摘要： Es wird ein Verfahren zum Ablösen einer Halbleiterschichtenfolge (2) von einem Substrat (1) angegeben, bei dem die Halbleiterschichtenfolge auf dem Substrat bereitgestellt wird, wobei die Halbleiterschichtenfolge eine Trennschicht (4) und zwischen dem Substrat und der Trennschicht eine Wärmeisolationsschicht (3) aufweist und wobei die Wärmeisolationsschicht eine geringere Wärmeleitfähigkeit aufweist als ein auf einer dem Substrat zugewandten Seite angrenzendes Material. Die Trennschicht wird mit kohärenter Strahlung bestrahlt, wobei die Wärmeisolationsschicht für die Strahlung durchlässig ist und Material der Trennschicht durch die in der Trennschicht absorbierte Strahlung zumindest bereichsweise zersetzt wird.

3. 发明专利

DE102016113002B4 Bauelemente mit verbesserter Effizienz und Verfahren zur Herstellung von Bauelementen 未知
公开(公告)号：DE102016113002B4
公开(公告)日：2022-09-29
申请号：DE102016113002
申请日：2016-07-14
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HIRMER MARIKA , HUPPMANN SOPHIA , KATZ SIMEON
IPC分类号： H01L33/10 , H01L33/08
摘要： Bauelement (100) aufweisend ein Substrat (1), einen ersten Halbleiterkörper (2) mit einer ersten aktiven Schicht (23), einen zweiten Halbleiterkörper (4) mit einer zweiten aktiven Schicht (43) und eine erste Übergangszone (3), wobei- die erste aktive Schicht (23) zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung erster Peakwellenlänge eingerichtet ist und die zweite aktive Schicht (43) zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung zweiter Peakwellenlänge eingerichtet ist,- die erste Übergangszone (3) in vertikaler Richtung zwischen dem ersten Halbleiterkörper (2) und dem zweiten Halbleiterkörper (4) angeordnet ist und unmittelbar an den ersten Halbleiterkörper (2) sowie unmittelbar an den zweiten Halbleiterkörper (4) angrenzt,- die erste Übergangszone (3) ein strahlungsdurchlässiges, zumindest für die Strahlung erster Peakwellenlänge teilweise transparentes und elektrisch leitfähiges Material aufweist, sodass der erste Halbleiterkörper (2) über die erste Übergangszone (3) mit dem zweiten Halbleiterkörper (4) elektrisch leitend verbunden ist, und- die erste Übergangszone (3) eine strukturierte Hauptfläche aufweist, wobei- der erste Halbleiterkörper (2) eine dem Substrat (1) abgewandte zweite Hauptfläche (202) umfasst, die strukturiert ausgebildet ist,- die erste Übergangszone (3) eine erste Anschlussschicht (31) aufweist, die unmittelbar auf die zweite Hauptfläche (202) aufgebracht ist, sodass die erste Anschlussschicht (31) eine dem Halbleiterkörper (2) zugewandte erste Hauptfläche (301) mit einer invertierten Struktur der zweiten Hauptfläche (202) des ersten Halbleiterkörpers (2) aufweist, und- die strukturierte Hauptfläche der ersten Übergangszone (3) eine gemeinsame strukturierte Grenzfläche der ersten Hauptfläche (301) der ersten Anschlussschicht (31) und der zweiten Hauptfläche (202) des ersten Halbleiterkörpers (2) ist, und- die erste Übergangszone (3) zusätzlich eine erste teilweise transparente und teilweise wellenlängenselektiv reflektierende Spiegelstruktur (33) aufweist, wobei die erste Spiegelstruktur (33) als Bragg-Spiegel ausgebildet ist, der elektromagnetische Strahlung erster Peakwellenlänge durchlässt und elektromagnetische Strahlung zweiter Peakwellenlänge streut oder reflektiert.

4. 发明专利

DE102014113380A1 Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips 未知
公开(公告)号：DE102014113380A1
公开(公告)日：2016-03-17
申请号：DE102014113380
申请日：2014-09-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： GOMEZ-IGLESIAS ALVARO , HIRMER MARIKA , FREY ALEXANDER , ZINI LORENZO , LAUX HARALD
IPC分类号： H01S5/34 , H01L21/268 , H01L33/12 , H01L33/32
摘要： Das Verfahren ist zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips eingerichtet und umfasst die Schritte: A) Bereitstellen eines Trägersubstrats (1), B) Aufbringen einer Halbleiterschichtenfolge (2) auf das Trägersubstrat (1), und C) Ablösen der fertig hergestellten Halbleiterschichtenfolge (2) von dem Trägersubstrat (1) mittels Laserstrahlung (R) mit einer Wellenlänge (L) durch das Trägersubstrat (1) hindurch, wobei – die Halbleiterschichtenfolge (2) einen Pufferschichtenstapel (20) und einen Funktionsstapel mit einer aktiven Schicht (21) zur Erzeugung von Licht (22) aufweist, – die Absorberschicht (23) innerhalb des Pufferschichtenstapels (20) aus einem Material zur Absorption der Laserstrahlung (R) gewachsen wird und alle verbleibenden Schichten (24, 25) des Pufferschichtenstapels (20) für die Laserstrahlung (R) durchlässig sind, – bevorzugt ein Material des Funktionsstapels (23) für die Laserstrahlung (R) absorbierend wirkt, und – im Schritt C) ein Ablösen der Halbleiterschichtenfolge (2) im Bereich der Absorberschicht (23) erfolgt

5. 发明专利

DE102016113002A1 Bauelement mit verbesserter Effizienz und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements 未知
公开(公告)号：DE102016113002A1
公开(公告)日：2018-01-18
申请号：DE102016113002
申请日：2016-07-14
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HIRMER MARIKA , HUPPMANN SOPHIA , KATZ SIMEON
IPC分类号： H01L33/10 , H01L33/08
摘要： Es wird ein Bauelement mit einem Substrat (1), einem ersten Halbleiterkörper (2), einem zweiten Halbleiterkörper (4) und eine erster Übergangszone (3), wobei eine erste aktive Schicht (23) des ersten Halbleiterkörpers zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung erster Peakwellenlänge eingerichtet ist und eine zweite aktive Schicht (43) des zweiten Halbleiterkörpers zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung zweiter Peakwellenlänge eingerichtet ist. Die erste Übergangszone ist in vertikaler Richtung zwischen dem ersten Halbleiterkörper und dem zweiten Halbleiterkörper angeordnet und grenzt unmittelbar an den ersten sowie an den zweiten Halbleiterkörper an. Die erste Übergangszone weist ein strahlungsdurchlässiges und elektrisch leitfähiges Material auf, sodass der erste Halbleiterkörper über die erste Übergangszone mit dem zweiten Halbleiterkörper elektrisch leitend verbunden ist. Außerdem weist die erste Übergangszone eine strukturierte Hauptfläche (301, 302) und/oder eine erste teilweise transparente und teilweise wellenlängenselektiv reflektierende Spiegelstruktur (33) auf. Des Weiteren wird ein Verfahren angegeben, das zur Herstellung eines hier beschriebenen Bauelements besonders geeignet ist, bei dem der erste und der zweite Halbleiterkörper insbesondere mittels Direktbondens mechanisch und elektrisch miteinander verbunden werden.

6. 发明专利

DE112015001767A5 Verfahren zum Ablösen einer abzulösenden Schicht von einem Substrat 未知
公开(公告)号：DE112015001767A5
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：DE112015001767
申请日：2015-03-05
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HERTKORN JOACHIM , FREY ALEXANDER , WEIMAR ANDREAS , HIRMER MARIKA , LAUX HARALD , BAUER ADAM , WALTER ALEXANDER
IPC分类号： H01L21/268 , H01L33/00

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