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1. 发明申请

WO2023046382A1 OPTOELEKTRONISCHE VORRICHTUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2023046382A1
公开(公告)日：2023-03-30
申请号：PCT/EP2022/073184
申请日：2022-08-19
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： WIRTH, Ralph , BECKER, Dirk , HETZL, Martin , VARGA, Horst , VARGHESE, Tansen , GOMEZ-IGLESIAS, Alvaro
IPC分类号： H01L31/167 , H01L31/0475 , H01L31/054 , H01L31/0304 , H01L31/0203 , H01S5/42 , H02M3/335
摘要： Es wird eine optoelektronische Vorrichtung angegeben mit - einem Sender (1), der dazu eingerichtet ist, elektromagnetische Strahlung (2) zu emittieren und mit einer Eingangsspannung (UI) betrieben zu werden, - einem Empfänger (3), der dazu eingerichtet ist, die elektromagnetische Strahlung (2) zu empfangen und eine Ausgangsspannung (UO) zu liefern, wobei - der Sender (1) einen Kantenemitter (10) umfasst, und - der Empfänger (3) zumindest eine Fotodiode (30) umfasst.

2. 发明申请

WO2023046373A1 OPTOELEKTRONISCHE VORRICHTUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2023046373A1
公开(公告)日：2023-03-30
申请号：PCT/EP2022/072915
申请日：2022-08-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： VON MALM, Norwin , HETZL, Martin , VARGA, Horst , BOESCKE, Tim
IPC分类号： H01L31/167 , H01L31/0475 , H01L31/054 , H01L31/0304 , H01L31/0203 , H02M3/335 , H01S5/42
摘要： Es wird eine optoelektronische Vorrichtung angegeben mit - einem Sender (1), der dazu eingerichtet ist, elektromagnetische Strahlung (2) zu emittieren und mit einer Eingangsspannung (UI) betrieben zu werden, - einem Träger (7) für den Sender (1), der eine Deckfläche (71) und eine Bodenfläche (72) aufweist,- einem ersten Empfänger (3), der dazu eingerichtet ist, zumindest einen Teil der elektromagnetischen Strahlung (2) zu empfangen und zumindest einen Teil einer Ausgangsspannung (UO) zu liefern, wobei - der Sender (1) zumindest einen Oberflächenemitter (10) umfasst, - der zumindest eine Oberflächenemitter (10) des Senders (1) an der Deckfläche (71) des Trägers (7) befestigt ist und zumindest einen Teil der elektromagnetischen Strahlung (2) durch den Träger (71) abstrahlt, - der erste Empfänger (3) zumindest eine Fotodiode (30) umfasst, und - der erste Empfänger (3) an der Bodenfläche (72) des Trägers (7) angeordnet ist.

3. 发明申请

WO2021009006A1 KANTENEMITTIERENDE HALBLEITERLASERDIODE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SOLCHEN 审中-公开
公开(公告)号：WO2021009006A1
公开(公告)日：2021-01-21
申请号：PCT/EP2020/069411
申请日：2020-07-09
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HETZL, Martin , SUNDGREN, Petrus , EBBECKE, Jens , STRAUSS, Uwe
IPC分类号： H01S5/32 , H01S5/10 , H01S5/16 , H01S5/30 , H01S5/34
摘要： Die kantenemittierende Halbleiterlaserdiode (100) umfasst ein Aufwachssubstrat (2), eine auf dem Aufwachssubstrat (2) angebrachte Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer aktiven Schicht (13) und zwei einander gegenüberliegende Facetten (4). Die Facetten (4) begrenzen die Halbleiterschichtenfolge (1) in einer lateralen Richtung (L). Die Halbleiterschichtenfolge (1) umfasst zwei an die Facetten (4) grenzende Randbereiche (R) und einen direkt an beide Randbereiche (R) grenzenden Zentralbereich (Z). Innerhalb der Randbereiche (R) ist ein Volumenanteil der aktiven Schicht (13) an der Halbleiterschichtenfolge (1) jeweils geringer als im Zentralbereich (Z).

4. 发明申请

WO2023046374A1 OPTOELEKTRONISCHE VORRICHTUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2023046374A1
公开(公告)日：2023-03-30
申请号：PCT/EP2022/072920
申请日：2022-08-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： BECKER, Dirk , VON MALM, Norwin , BOESCKE, Tim , GOMEZ-IGLESIAS, Alvaro , HETZL, Martin , VARGA, Horst , VARGHESE, Tansen
IPC分类号： H02J50/30 , H02J50/40
摘要： Es wird eine optoelektronische Vorrichtung angegeben mit - einem Sender (1), der dazu eingerichtet ist, elektromagnetische Strahlung (2) zu emittieren und mit einer Eingangsspannung (UI) betrieben zu werden, - einem Empfänger (3), der dazu eingerichtet ist, die elektromagnetische Strahlung (2) zu empfangen und eine Ausgangsspannung (UO) zu liefern, wobei - der Sender (1) zumindest einen Oberflächenemitter (10) umfasst, und - der Empfänger (3) zumindest eine Photodiode (30) umfasst.

5. 发明申请

WO2023016939A1 OPTISCHE SENSORANORDNUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2023016939A1
公开(公告)日：2023-02-16
申请号：PCT/EP2022/072092
申请日：2022-08-05
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HETZL, Martin , WINDISCH, Reiner , EBBECKE, Jens
IPC分类号： G01S7/481 , G01S17/10 , G01S17/42
摘要： Eine optische Sensoranordnung, beispielsweise für ein LiDAR-System, umfasst eine Emittereinheit (1) und eine Empfängereinheit (3). Die Emittereinheit (1) umfasst einen Halbleiterlaser (10), der eingerichtet ist, kohärente elektromagnetische Strahlung mit wenigstens zwei Wellenlängen zu emittieren. Ferner ist die Emittereinheit (1) eingerichtet, die emittierte elektromagnetische Strahlung auf ein entferntes Ziel (5) zu richten, wobei die Empfängereinheit (3) wenigstens einen optischen Sensor (31, 32) umfasst, der eingerichtet ist, elektromagnetische Strahlung in Abhängigkeit der wenigstens zwei Wellenlängen selektiv zu detektieren. Die Empfängereinheit (3) ist so zur Emittereinheit (1) angeordnet und eingerichtet, dass von dem entfernten Ziel (5) gestreute oder reflektierte elektromagnetische Strahlung auf den optischen Sensor (31, 32) detektierbar ist.

6. 发明申请

WO2022248297A1 STRAHLUNG EMITTIERENDE VORRICHTUNG, MESSSYSTEM UND FAHRZEUG MIT MESSSYSTEM 审中-公开
公开(公告)号：WO2022248297A1
公开(公告)日：2022-12-01
申请号：PCT/EP2022/063398
申请日：2022-05-18
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： BRICK, Peter , WINDISCH, Reiner , KLAFTA, Thomas , GHASEMI AFSHAR, Farhang , HETZL, Martin , LANKES, Simon
IPC分类号： G01S7/484 , G01S7/4911 , G01S17/931
摘要： Es wird eine Strahlung emittierende Vorrichtung (100) angegeben, die auf einer sich in lateralen Richtungen (x, y) erstreckenden Montageebene (6) angeordnet ist und dazu vorgesehen ist, Licht entlang einer Abstrahlrichtung (z) abzustrahlen, wobei die Abstrahlrichtung (z) eine Richtung senkrecht zur Montageebene (6) umfasst. Die Strahlung emittierende Vorrichtung (100) weist zumindest eine Laserlichtquelle (1) auf, und ein der zumindest einen Laserlichtquelle (1) nachgeordnetes und zumindest ein Optikelement (21, 22, 23) umfassendes nichtabbildendes Optiksystem (2) zur Formung eines Strahlprofils der Strahlung emittierenden Vorrichtung (100) entlang der lateralen Richtungen (x, y). In einem Ausführungsbeispiel sind die auf einem Trägersubstrat (7) angeordnete Laserlichtquelle (1) und ein Licht reflektierende Optikelement (21), das als gekrümmte oder facettierte Reflektoroberfläche ausgebildet sein kann, auf der Montageebene (6) innerhalb eines Gehäusekörpers (5) angeordnet. Die Ebene, in der das Strahlprofil den größten Öffnungswinkel aufweist wird als schnelle Achse (13) ("fast axis") bezeichnet, während die Ebene, in der das Strahlprofil den kleinsten Öffnungswinkel aufweist als langsame Achse (14) ("slow axis") bezeichnet wird. Die Laserlichtquelle (1) kann eine kantenemittierende Laserdiode (1) oder eine vertikal emittierende Laserdiode mit horizontaler Kavität und mit integrierter Spiegelschicht aufweisen. Die Laserlichtquelle (1) kann auch eine oberflächenemittierende Laserdiode mit vertikaler Kavität (vertical cavity surface emitting laser, VCSEL) umfassen. Das Optiksystem kann ein kollimierendes Optikelement (22) und ein divergierendes Optikelement (23) aufweisen. Weiterhin werden ein Messsystem mit der Strahlung emittierenden Vorrichtung (100) und ein Fahrzeug mit dem Messsystem angegeben.

7. 发明申请

WO2022053406A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
公开(公告)号：WO2022053406A1
公开(公告)日：2022-03-17
申请号：PCT/EP2021/074389
申请日：2021-09-03
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： BEHRES, Alexander , LAUER, Christian , HETZL, Martin
IPC分类号： H01S5/16 , H01S5/22 , H01S5/223
摘要： Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) angegeben umfassend zumindest einen Schichtenstapel (2) aufweisend - eine aktive Zone (4) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung, - zumindest eine aluminiumhaltige Stromeinengungsschicht (5), die einen ersten Bereich (5A) und einen zweiten Bereich (5B) umfasst, wobei der zweite Bereich (5B) eine geringere elektrische Leitfähigkeit aufweist als der erste Bereich (5A), und - eine Seitenfläche (2A), die den Schichtenstapel (2) lateral begrenzt und an der der zweite Bereich (5B) angeordnet ist, wobei der zweite Bereich (5B) ein oxidierter Bereich ist. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements (1) angegeben.

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