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1. 发明专利

DE102011012297A1 Beleuchtungsvorrichtung 未知
公开(公告)号：DE102011012297A1
公开(公告)日：2012-08-30
申请号：DE102011012297
申请日：2011-02-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： BRICK PETER DR
IPC分类号： F21V13/12 , G09F13/14
摘要： Es wird eine Beleuchtungsvorrichtung (10) angegeben, mit einer mehrstufigen Optik (1, 2, 3), welche das durchtretende Licht (5, 6) spektral und räumlich kollimiert. Die Beleuchtungsvorrichtung eignet sich besonders gut zur Verwendung in einer Anzeigevorrichtung.

2. 发明专利

DE102007051315B4 Strahlungsemittierendes Bauelement 未知
公开(公告)号：DE102007051315B4
公开(公告)日：2018-04-05
申请号：DE102007051315
申请日：2007-10-26
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： BRICK PETER DR
IPC分类号： H01S5/20 , H01S5/065 , H01S5/40
摘要： Strahlungsemittierendes Bauelement umfassend einen Halbleiterkörper mit Halbleiterschichten mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (21), das eine Hauptabstrahlungsrichtung und senkrecht zur Hauptabstrahlungsrichtung ein Brechungsindexprofil aufweist, wobei – das Brechungsindexprofil senkrecht zur Abscheiderichtung der Halbleiterschichten des Halbleiterkörpers (2) verläuft, – der Halbleiterkörper Ausnehmungen (4) aufweist, die sich senkrecht zu der Hauptabstrahlungsrichtung in den Halbleiterkörper (2) hinein erstrecken, so dass das entlang der Hauptabstrahlungsrichtung gemittelte Brechungsindexprofil im Bereich der Ausnehmungen (4) zum Rand hin abnimmt, und – an einer Grenzfläche zwischen dem Halbleiterkörper und einer an diesen angrenzenden Schicht (6) ein sprunghafter Übergang (24) ausgebildet ist, an dem der Brechungsindex des Brechungsindexprofils vom Inneren des Halbleiterkörpers aus gesehen sprunghaft ansteigt.

3. 发明专利

DE102010018029A1 Flächenlichtleiter, Leuchte und Verfahren zur Herstellung eines Flächenlichtleiters 未知
公开(公告)号：DE102010018029A1
公开(公告)日：2011-10-27
申请号：DE102010018029
申请日：2010-04-23
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： BRICK PETER DR , HILLER ULI DR , KAISER STEPHAN DR , KUHN GERHARD DR , MARKYTAN ALES DR , MUSCHAWECK JULIUS , NEUGIRG CHRISTIAN
IPC分类号： G02B6/00 , F21V7/00 , F21V8/00 , G09F13/00
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des Flächenlichtleiters (1) weist dieser zumindest eine als Abstrahlfläche gestaltete Hauptseite (2) sowie mindestens einen ersten Bereich (11) und mindestens einen zweiten Bereich (22) auf. In Draufsicht auf die Hauptseite (1) gesehen sind der erste (11) und der zweite Bereich (22) benachbart angeordnet. Ein mittlerer Lichtauskoppelkoeffizient des zweiten Bereichs (22) ist um mindestens einen Faktor 2 von einem mittleren Lichtauskoppelkoeffizienten des ersten Bereichs (11) verschieden. Für den ersten (11) und den zweiten Bereich (22) beträgt, jeweils in einer Richtung senkrecht zu der Hauptseite (2) gesehen, ein Trübheitswert höchstens 0,15 und ein Transmissionskoeffizient mindestens 0,70.

4. 发明专利

DE102010018028A1 Flächenlichtleiter und Leuchte 未知
公开(公告)号：DE102010018028A1
公开(公告)日：2011-10-27
申请号：DE102010018028
申请日：2010-04-23
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： BRICK PETER DR , MUSCHAWECK JULIUS
IPC分类号： G02B6/00 , F21V8/00
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des Flächenlichtleiters (1) weist dieser zumindest ein Streumittel (5) zur Streuung von Licht auf, wobei durch das Streumittel (5) ein Auskoppelkoeffizient hervorgerufen ist. Der Auskoppelkoeffizient ist entlang einer Hauptlichtleitrichtung (z) variierend eingestellt. In eine Richtung (L) senkrecht zu Hauptseiten (2) des Flächenlichtleiters (1) beträgt ein Trübheitswert höchstens 0,10, ein Transmissionskoeffizient mindestens 0,75 und ein Quotient aus einer minimalen Leuchtdichte und einer maximalen Leuchtdichte, gesehen über einen zusammenhängenden Abstrahlbereich (A) mindestens einer der Hauptseiten (2) hinweg, wenigstens 0,75.

5. 发明专利

DE102011012297B4 Beleuchtungsvorrichtung 未知
公开(公告)号：DE102011012297B4
公开(公告)日：2022-12-22
申请号：DE102011012297
申请日：2011-02-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： BRICK PETER DR
IPC分类号： F21V13/12 , G09F13/14
摘要： Beleuchtungsvorrichtung (10) mit- einer Lichtquelle (4), die zumindest einen Leuchtdiodenchip (41) umfasst und im Betrieb Licht (5, 6) erzeugt,- einem ersten optischen Element (1), das das durchtretende Licht (5, 6) der Lichtquelle (4) in einem vorgebbaren Winkelbereich kollimiert,- einem zweiten optischen Element (2), welches zumindest zunächst nicht in das erste optische Element (1) eintretendes Licht (5) der Lichtquelle (4) zur Lichtquelle (4) zurückreflektiert, und- einem dritten optischen Element (3), das die spektrale Bandbreite von durchtretendem Licht (5, 6) der Lichtquelle (4) zumindest stellenweise verringert, wobei- das erste optische Element (1) eine Lichteintrittsseite (1a) aufweist, die der Lichtquelle (4) zugewandt ist,- zumindest ein Teil des Lichts (5, 6) der Lichtquelle (4) an der Lichteintrittsseite in das erste optische Element eintritt,- das zweite optische Element (2) die Lichteintrittsseite (1a) des ersten optischen Elements (1) seitlich vollständig umgibt,- zumindest ein Großteil des Lichts der Lichtquelle (4), das nicht in das erste optische Element (1) eintritt auf das zweite optische Element (2) trifft,- das dritte optische Element (3) an einer der Lichteintrittseite (1a) abgewandten Lichtaustrittsseite (1b) des ersten optischen Elements (1) angeordnet ist,- zumindest ein Großteil des aus der Lichtaustrittsseite (1b) des ersten optischen Elements (1) austretenden Lichts durch das dritte optische Element (3) tritt, und- das dritte optische Element (3) das Spektrum des durchtretenden Lichts (5, 6) der Lichtquelle (4) zumindest stellenweise zu einem Peak mit einer spektralen Bandbreite von höchstens 20 nm verengt.

6. 发明专利

DE102007062050B4 Halbleiterlaser und Verfahren zum Herstellen des Halbleiterlasers 未知
公开(公告)号：DE102007062050B4
公开(公告)日：2019-06-27
申请号：DE102007062050
申请日：2007-12-21
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： SCHMID WOLFGANG DR , BRICK PETER DR
IPC分类号： H01S5/18 , H01S5/026 , H01S5/40
摘要： Halbleiterlaser, der als oberflächenemittierender Dünnfilm-Halbleiterlaser mit einem Halbleiterkörper (4) ausgebildet ist, der- eine erste und eine zweite planare Oberfläche (12, 14) umfasst,- zwischen den planaren Oberflächen eine eptitaktisch gewachsene Dünnfilmschichtenfolge (8) mit zumindest einer aktiven Schicht (10) zur Erzeugung von Strahlung umfasst,- zum Auskoppeln der Strahlung aus der aktiven Schicht (10) hin zu der ersten planaren Oberfläche (12) zumindest eine zu der aktiven Schicht (10) geneigte erste Spiegelfläche (26) aufweist, wobei die erste Spiegelfläche (26) passiviert ist,- eine erste Elektrode (16) an der ersten planaren Oberfläche (12) und eine zweite Elektrode (18) an der zweiten planaren Oberfläche (14) umfasst, wobei die Elektroden (16, 18) direkt an der Dünnfilmschichtenfolge (8) angebracht sind,wobei die Elektroden (16, 18) je eine Goldschicht und/oder eine Chromschicht umfassen, undwobei der Dünnfilm-Halbleiterlaser frei von einem Aufwachssubstrat ist.

7. 发明专利

DE102004047679B4 Optisches Sensormodul 未知
公开(公告)号：DE102004047679B4
公开(公告)日：2017-05-04
申请号：DE102004047679
申请日：2004-09-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： BRICK PETER DR , STEEGMÜLLER ULRICH DR , ALBRECHT TONY , PHILIPPENS MARC DR
IPC分类号： G01V8/10 , G01S17/02
摘要： Optisches Sensormodul (1) mit einem Halbleiterkörper, der – eine Halbleiterlaservorrichtung (1a) zur Emission von kohärenter Strahlung (3) mit einem Verstärkerbereich (12a), einem Resonatorspiegel (11) und einem Auskoppelspiegel (13), – ein Detektorelement (1b) mit einer strahlungsdetektierenden Zone (12b) und – einen Wellenleiterbereich (1c) mit einem Wellenleiter (12c) aufweist, wobei – das Detektorelement (1b) über den Wellenleiter (12c) mit der Halbleiterlaservorrichtung (1a) verbunden ist, – der Wellenleiter (12c) in einer Richtung senkrecht zur Hauptstrahlungsrichtung der von der Halbleiterlaservorrichtung (1a) emittierten kohärenten Strahlung (3) angeordnet ist, – die Halbleiterlaservorrichtung (1a), das Detektorelement (1b) und der Wellenleiterbereich (1c) monolithisch integriert sind, – die Reflektivität des Auskoppelspiegels (13) so optimiert ist, dass die von dem Detektor detektierte Strahlung durch die Bewegung eines von der Halbleiterlaservorrichtung (1a) beleuchteten und rückstreuenden Objekts beeinflusst wird, – das Detektorelement (1b) zur Detektion von Strahlung aus der Halbleiterlaservorrichtung (1a) eingerichtet ist, – die von dem Detektorelement (1b) detektierte Strahlung aus der Halbleiterlaservorrichtung (1a) teilweise inkohärente Strahlung (4) ist, – der Wellenleiter (12c) zwischen Halbleiterlaservorrichtung (1a) und Detektorelement (1b) unterbrochen ist.

8. 发明专利

DE102010018034A1 Flächenlichtleiter und Flächenstrahler 未知
公开(公告)号：DE102010018034A1
公开(公告)日：2011-10-27
申请号：DE102010018034
申请日：2010-04-23
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： BRICK PETER DR , FRANK JOACHIM DR , KAISER STEPHAN DR , KUHN GERHARD DR , MARKYTAN ALES DR , MUSCHAWECK JULIUS , NEUGIRG CHRISTIAN
IPC分类号： G02B6/00 , F21V8/00
摘要： Es wird ein Flächenlichtleiter (1) mit einer entlang einer Haupterstreckungsebene des Flächenlichtleiters verlaufenden Strahlungsaustrittsfläche (10) und mit einem Lichtleitbereich (3), der Streustellen (4) und eine auf einer ersten Hauptfläche (31) des Lichtleitbereichs angeordnete Beschichtung (5) aufweist, angegeben. Eine entlang der Haupterstreckungsebene eingekoppelte und nach Streuung an den Streustellen (4) auf die erste Hauptfläche (31) auftreffende Strahlung weist einen überhöhten Strahlungsanteil auf und die Beschichtung (5) reduziert einen Austritt des überhöhten Strahlungsanteils aus der Strahlungsaustrittsfläche (10) gezielt. Weiterhin wird ein Flächenstrahler (100) mit einem solchen Flächenlichtleiter angegeben.

9. 发明专利

DE102010018033A1 Flächenlichtleiter und Flächenstrahler 未知
公开(公告)号：DE102010018033A1
公开(公告)日：2011-10-27
申请号：DE102010018033
申请日：2010-04-23
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： BRICK PETER DR , KAISER STEPHAN DR , KUHN GERHARD DR , MARKYTAN ALES DR , MUSCHAWECK JULIUS , NEUGIRG CHRISTIAN
IPC分类号： G02B6/00 , F21V8/00
摘要： Es wird ein Flächenlichtleiter (1) angegeben, der eine entlang einer Haupterstreckungsebene des Flächenlichtleiters (1) verlaufende Strahlungsaustrittsfläche (10) aufweist und für eine seitliche Einkopplung von Strahlung vorgesehen ist, wobei – der Flächenlichtleiter (1) Streustellen (4) zur Streuung der eingekoppelten Strahlung aufweist; – der Flächenlichtleiter (1) eine erste Grenzfläche (15) und eine zweite Grenzfläche (16) aufweist, die eine Lichtleitung der eingekoppelten Strahlung in vertikaler Richtung begrenzen; und – zwischen der ersten Grenzfläche (31) und der zweiten Grenzfläche (32) in vertikaler Richtung eine erste Lage (11) und eine zweite Lage (12) aufeinander ausgebildet sind. Weiterhin wird ein Flächenstrahler (100) mit zumindest einem Flächenlichtleiter (1) angegeben.

10. 发明专利

DE102010018031A1 Flächenlichtleiter und Verfahren zur Herstellung eines Flächenlichtleiters 未知
公开(公告)号：DE102010018031A1
公开(公告)日：2011-10-27
申请号：DE102010018031
申请日：2010-04-23
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： BRICK PETER DR , FRANK JOACHIM DR , HILLER ULI DR , KAISER STEPHAN DR , KUHN GERHARD DR , MARKYTAN ALES DR , MUSCHAWECK JULIUS , NEUGIRG CHRISTIAN
IPC分类号： G02B6/00 , F21V8/00
摘要： Es wird ein Flächenlichtleiter (1) angegeben, der eine Vielzahl von Streuzentren (2) aufweist, wobei die Streuzentren (2) eine nicht sphärische Form aufweisen und die Streuzentren (2) im Mittel zumindest in einer Richtung eine Abmessung von mehr als 200 nm aufweisen. Bei einem Verfahren zur Herstellung des Flächenlichtleiters (1) werden die nicht sphärischen Streuzentren (2) durch ein elektrisches Feld oder magnetisches Feld (12) ausgerichtet.

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