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    • 8. 发明申请
    • STRAHLUNGSEMITTIERENDES OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
    • 辐射光电组件
    • WO2016180930A1
    • 2016-11-17
    • PCT/EP2016/060720
    • 2016-05-12
    • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
    • STOLL, IonLUGAUER, Hans-JürgenBERGBAUER, WernerSCHULTEN, DominikKUNZ, ThorstenHUCKENBECK, BarbaraSTÖPPELKAMP, VeraLANGE, Stefan
    • F21K99/00C09K11/77H01L33/50C09K11/08
    • H01L33/504C04B35/44C04B35/5154C04B2235/3206C04B2235/3208C04B2235/3213C04B2235/3224C04B2235/3262C04B2235/3287C04B2235/444C04B2235/445C09K11/665C09K11/7734C09K11/7739H01L2224/48091H01L2224/48247H01L2224/8592H01L2924/181H01L2924/00014H01L2924/00012
    • Es wird ein strahlungsemittierendes optoelektronisches Bauelement angegeben,umfassend einen ersten Halbleiterchip, der im Betrieb des Bauelements eine Primärstrahlung im UV- Bereich des elektromagnetischen Spektrums emittiert und ein Konversionselement umfassend - einen ersten Leuchtstoff der Formel (M 1 -x Eu x ) 10 (PO 4 ) 6 (Cl,F) 2 , wobei M= Sr oder M = Srund ein oder mehrere Elemente, die aus einer Gruppe ausgewählt sind, die Mg, Ca und Ba umfasst undx = 0,01-0,12 oder einen ersten Leuchtstoff der Formel M 1 -y Eu y MgAl 10 O 17 , wobei M = Ba oder M = Ba und ein oder mehrere Elemente, die aus einer Gruppe ausgewählt sind, die Mg, Ca und Sr umfasst und y = 0,01-0,9,der die von dem Halbleiterchip emittierte Primärstrahlung im Betrieb des Bauelements teilweise in eine erste Sekundärstrahlung im blauen Bereich des elektromagnetischen Spektrums konvertiert, -einenzweiten Leuchtstoff der Formel M 1 -p Eu p (Mg 1-z Mn z )Al 10 O 17 , wobei M = Ba oder M = Ba und ein oder mehrere Elemente, die aus einer Gruppe ausgewählt sind, die Mg, Ca und Sr umfasst mit p = 0,01-0,7 und z = 0,05-0,5, der die von dem Halbleiterchip emittierte Primärstrahlung im Betrieb des Bauelements teilweise in eine zweite Sekundärstrahlung im grünen Bereich des elektromagnetischen Spektrums konvertiert, - einen dritten Leuchtstoff der Formel Mg 4 Ge 1-q Mn q (O,F) 6 mit q = 0,001-0,06, der die von dem Halbleiterchip emittierte Primärstrahlung im Betrieb des Bauelements teilweise in eine dritte Sekundärstrahlung im roten Bereich des elektromagnetischen Spektrums konvertiert.
    • 本发明提供一种发射辐射的光电子器件,其包括发射在装置和包括转换元件的操作的电磁光谱的UV范围内的初级辐射的第一半导体芯片 - 下式的第一磷光体(M1-X的Eu x)的10(PO 4) 6(为Cl,F)2,其中M = Sr或Sr和M =一个或选自Mg,Ca和Ba组成的组中选择的多种元素包括和X = 0.01-0.12,或下式的第一荧光体 M1-Y铕ý的MgAl 10 O 17,其中M = Ba或Ba和M =一种或从包含Mg,Ca和Sr,且y = 0.01-0.9,所述的组中选择多种元素 转换部分地在电磁光谱的蓝色区域中的第一次级辐射的装置的操作期间从半导体芯片主辐射发射的光,式M1 p铕p(Mg的1-Z的Mn Z)的Al 10 O 17,其中M = Ba中-einenzweiten荧光体 或M = Ba和一种或多种元素 即,从由Mg,Ca的组中选择的和Sr与包括部分在装置的操作期间p值= 0.01-0.7,并且z = 0.05-0.5,由半导体芯片的初级辐射发射的辐射的 在电磁光谱的绿色区域中的第二次级辐射转换, - 下式的第三发光材料的Mg 4的Ge 1-q中的Mn q(O,F)6其中q = 0.001〜0.06,的操作期间从半导体芯片主辐射发射的光的 部件在电磁光谱的红色区域部分转化为三分之一次级辐射。
    • 10. 发明申请
    • HALBLEITERSCHICHTENFOLGE ZUR ERZEUGUNG VON SICHTBAREM LICHT UND LEUCHTDIODE
    • 半导体层序列产生可见光和发光二极管
    • WO2016087605A1
    • 2016-06-09
    • PCT/EP2015/078569
    • 2015-12-03
    • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
    • SCHOLZ, DominikMANDL, MartinSTOLL, IonSTRASSBURG, MartinHUCKENBECK, Barbara
    • H01L33/16C09K11/00H01L33/50H01L33/08H01L33/24
    • H01L33/505H01L33/08H01L33/16H01L33/24H01L33/508H01L2933/0041
    • In mindestens einer Ausführungsform ist die Halbleiterschichtenfolge (1) zur Erzeugung von Licht eingerichtet und umfasst Halbleitersäulen (2). Die Halbleitersäulen (2) weisen je einen Kern (21) aus einem Halbleitermaterial eines ersten Leitfähigkeitstyps und eine Kernumhüllung (23) um den Kern (21) herum aus einem Halbleitermaterial eines zweiten Leitfähigkeitstyps auf. Zwischen dem Kern (21) und der Kernumhüllung (23) befindet sich eine aktive Zone (22) zur Erzeugung einer Primärstrahlung mittels Elektrolumineszenz. Auf die Halbleitersäulen (2) ist je eine Konversionsumhüllung (4) aufgebracht, die die zugehörige Kernumhüllung (23) zumindest teilweise formschlüssig umgibt und die die Primärstrahlung mindestens teilweise absorbiert und über Fotolumineszenz in eine langwelligere Sekundärstrahlung umwandelt. Die Konversionsumhüllungen (4), die auf benachbarten Halbleitersäulen (2) aufgebracht sind, füllen einen Zwischenraum zwischen den Halbleitersäulen (2) nur unvollständig aus.
    • 在至少一个实施例中,用于产生光的半导体层序列(1)被设置,并包括半导体列(2)。 半导体柱(2)分别具有围绕上的第二导电类型的半导体材料制成的第一导电类型的半导体材料与芯部包裹(23)围绕芯(21)的芯(21)。 所述芯(21)之间,并且所述芯部包裹(23)位于用于通过电致发光来生成初级辐射的有源区(22)。 半导体柱(2),具有:(4)被施加围绕各芯包裹(23)至少部分形锁合和初级辐射至少部分地吸收并在更长波长的次级辐射转换上的光致发光,该转换鞘。 被施加到相邻的半导体柱(2)中转化的包装材料(4),以填充半导体柱之间的空间(2)仅部分。