专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2011020751A1 KONVERSIONS-LED MIT HOHER EFFIZIENZ 审中-公开
标题翻译：转换型LED高效率
公开(公告)号：WO2011020751A1
公开(公告)日：2011-02-24
申请号：PCT/EP2010/061674
申请日：2010-08-11
申请人： OSRAM GESELLSCHAFT MIT BESCHRÄNKTER HAFTUNG , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BAUMANN, Frank , BOENISCH, Norbert , FIEDLER, Tim , JERMANN, Frank , LANGE, Stefan , WINDISCH, Reiner
发明人： BAUMANN, Frank , BOENISCH, Norbert , FIEDLER, Tim , JERMANN, Frank , LANGE, Stefan , WINDISCH, Reiner
IPC分类号： C09K11/08 , C09K11/77
CPC分类号： C09K11/0883 , C09K11/7728 , C09K11/7774 , H01L33/504 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , Y02B20/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： Eine Konversions-LED für die Erzeugung von weiß weist eine Leuchtstoffmischung auf, mit einem ersten Leuchtstoff vom Typ LuAGaG und einem zweiten Leuchtstoff vom Typ Nitridosilikat. Damit wird eine sehr hohe Effizienz erzielt.
摘要翻译： A转换为LED白的产生具有磷光体共混物包含第一荧光体类型LuAGaG和第二磷光体类型氮化硅酸盐。因此，一个非常高的效率得以实现。

2. 发明申请

WO2011020756A1 KONVERSIONS-LED MIT HOHER FARBWIEDERGABE 审中-公开
标题翻译：转换型LED高显色
公开(公告)号：WO2011020756A1
公开(公告)日：2011-02-24
申请号：PCT/EP2010/061694
申请日：2010-08-11
申请人： OSRAM GESELLSCHAFT MIT BESCHRÄNKTER HAFTUNG , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BAUMANN, Frank , BOENISCH, Norbert , FIEDLER, Tim , JERMANN, Frank , LANGE, Stefan , WINDISCH, Reiner
发明人： BAUMANN, Frank , BOENISCH, Norbert , FIEDLER, Tim , JERMANN, Frank , LANGE, Stefan , WINDISCH, Reiner
IPC分类号： C09K11/08 , C09K11/77
CPC分类号： H01L33/504 , C04B35/581 , C04B35/584 , C04B2235/3224 , C04B2235/3281 , C04B2235/3852 , C04B2235/444 , C04B2235/445 , C04B2235/446 , C09K11/0883 , C09K11/7728 , C09K11/7774 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： Eine Konversions-LED mit hoher Farbwiedergabe weist eine Leuchtstoffmischung auf, mit einem ersten Leuchtstoff vom Typ LuAGaG und einem zweiten Leuchtstoff vom Typ Calsin. Damit wird eine sehr hohe Farbwiedergabe für warmweiß Farbtemperaturen erzielt.
摘要翻译： A变换具有高显色性的LED包括磷光体共混物包含第一荧光体类型LuAGaG和第二磷光体类型calsin。因此，一个非常高显色暖白光色温的实现。

3. 发明申请

WO2010040327A1 LEUCHTMITTEL 审中-公开
标题翻译： LAMPS
公开(公告)号：WO2010040327A1
公开(公告)日：2010-04-15
申请号：PCT/DE2009/001140
申请日：2009-08-11
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , STRAUSS, Peter , WINDISCH, Reiner , BAUMANN, Frank , PETER, Matthias
发明人： STRAUSS, Peter , WINDISCH, Reiner , BAUMANN, Frank , PETER, Matthias
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L33/08 , H01L33/50 , H01L2224/32225 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des Leuchtmittels (1) umfasst dieses mindestens ein optoelektronisches Halbleiterbauteil (2), das im Betrieb bei mindestens einer ersten Wellenlänge (L1) und mindestens einer zweiten Wellenlänge (L2) elektromagnetische Strahlung emittiert, wobei erste Wellenlänge (L1) und zweite Wellenlänge (L2) voneinander verschieden sind und unterhalb von 500 nm, insbesondere zwischen 200 nm und 500 nm, liegen. Weiterhin umfasst das Leuchtmittel (1) mindestens ein Konversionsmittel (3), das die erste Wellenlänge (L1) mindestens teilweise in Strahlung einer anderen Frequenz konvertiert. Das vom Leuchtmittel (1) im Betrieb emittierte Strahlungsspektrum ist metamer zu einem Schwarzkörperspektrum. Durch ein solches Leuchtmittel sind die erste Wellenlänge und die zweite Wellenlänge so wählbar, dass gleichzeitig eine hohe Farbwiedergabequalität und eine hohe Effizienz des Leuchtmittels realisierbar ist.
摘要翻译：在发光装置的至少一个实施例中（1）包括所述至少一个光电半导体器件（2），其操作的至少一个第一波长（L1）和至少一个第二波长（L2）发射电磁辐射时，所述第一波长（L1）和第二波长（L2）彼此和低于500nm的不同，特别是在200nm和500nm之间，是。此外，所述发光装置（1）包括至少一个转换装置（3），其将所述第一波长（L1）至少部分地成不同频率的辐射。在由光源（1）发射在操作辐射光谱是同分异构的黑体光谱。通过这样的照明装置，所述第一波长和第二波长被选择为使得在同一时间高质量的彩色再现和照明装置的高效率可以实现的。

4. 发明申请

WO2008040274A1 LED-HALBLEITERKÖRPER UND VERWENDUNG EINES LED-HALBLEITERKÖRPERS 审中-公开
标题翻译： LED半导体主体和LED半导体主体的用途
公开(公告)号：WO2008040274A1
公开(公告)日：2008-04-10
申请号：PCT/DE2007/001536
申请日：2007-08-28
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , WINDISCH, Reiner , WIRTH, Ralph
发明人： WINDISCH, Reiner , WIRTH, Ralph
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/08 , H01L2924/0002 , H01L2933/0083 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung beschreibt einen LED-Halbleiterkörper (1) mit mindestens einer ersten strahlungserzeugenden aktiven Schicht (31) und mindestens einer zweiten strahlungserzeugenden aktiven Schicht (32), wobei der LED-Halbleiterkörper (1) einen photonischen Kristall (6) aufweist. Ferner beschreibt die Erfindung die Verwendung eines derartigen LED-Halbleiterkörpers (1).
摘要翻译：本发明描述了一种具有至少一个LED半导体主体（1）的第一辐射产生活性层（31）和至少一个第二辐射产生活性层（32），其中，所述LED半导体主体（1）的光子晶体（6）。此外，本发明描述了使用这样的LED半导体主体（1）的。

5. 发明申请

WO2009094966A2 STRAHLUNGSEMPFÄNGER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNGSEMPFÄNGERS 审中-公开
标题翻译：辐射接收器和用于产生辐射接收器的方法
公开(公告)号：WO2009094966A2
公开(公告)日：2009-08-06
申请号：PCT/DE2008/002126
申请日：2008-12-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BUTENDEICH, Rainer , WINDISCH, Reiner
发明人： BUTENDEICH, Rainer , WINDISCH, Reiner
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L31/03529 , H01L31/02162 , H01L31/105 , H01L31/1844 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要： Es wird ein Strahlungsempfänger (1) mit einem Halbleiterkörper (2) angegeben, der einen ersten aktiven Bereich (210) und einen zweiten aktiven Bereich (220) aufweist, die jeweils zur Detektion von Strahlung vorgesehen sind. Der erste aktive Bereich (210) und der zweite aktive Bereich (220) sind in vertikaler Richtung voneinander beabstandet. Zwischen dem ersten aktiven Bereich (210) und dem zweiten aktiven Bereich (220) ist ein Tunnelbereich (24) angeordnet. Der Tunnelbereich (24) ist mit einer Anschlussfläche (31) elektrisch leitend verbunden, die zur externen elektrischen Kontakt ierung des Halbleiterkörpers (2) zwischen dem ersten aktiven Bereich (210) und dem zweiten aktiven Bereich (220) vorgesehen ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines Strahlungsempfängers angegeben.
摘要翻译：示出了具有半导体主体（2）的辐射接收器（1），其具有第一有源区域（210）和第二有源区域（220），每个用于检测提供辐射。第一有源区域（210）和第二有源区域（220）在垂直方向上间隔开。在第一有源区域（210）和第二有源区域（220）之间布置隧道区域（24）。隧道区（24）导电地连接到为第一有源区（210）和第二有源区（220）之间的半导体本体（2）的外部电接触提供的连接表面（31）。此外，还规定了制造辐射接收器的方法。

6. 发明申请

WO2009039804A3 STRAHLUNGSEMITTIERENDE BAUELEMENTE ZUM ERZEUGEN VON LINEAR POLARISIERTEM LICHT 审中-公开
公开(公告)号：WO2009039804A3
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：PCT/DE2008/001301
申请日：2008-08-04
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , WINDISCH, Reiner , ENGL, Karl , WIESMANN, Christopher
发明人： WINDISCH, Reiner , ENGL, Karl , WIESMANN, Christopher
IPC分类号： H01L33/00
摘要： Es wird ein strahlungsemittierendes Bauelement (B) angegeben mit einem auf einem Halbleitermaterial basierenden Schichtstapel, der eine aktive Schichtfolge (A, C1, C2) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass: auf einer letzten Schicht (C2) des Schichtenstapels in Abstrahlrichtung (e) eine Vielzahl von Metallflächen (M) aufgebracht sind, die Metallflächen (M) in einer ersten Richtung (d1) und in einer davon unterschiedlichen zweiten Richtung (d2) unterschiedliche Abmessungen (a1, a2) aufweisen, und die Metallflächen (M) periodisch in der ersten Richtung (d1) und periodisch in der zweiten Richtung (d2) angeordnet sind.

7. 发明申请

WO2008080383A1 OPTOELEKTRONISCHE ANORDNUNG UND VERFAHREN ZUM BETRIEB EINER OPTOELEKTRONISCHEN ANORDNUNG 审中-公开
标题翻译：亚光电子装置和一种用于操作光电安排
公开(公告)号：WO2008080383A1
公开(公告)日：2008-07-10
申请号：PCT/DE2007/002264
申请日：2007-12-14
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , GÜNTHER, Ewald Karl Michael , WINDISCH, Reiner , ROSE, Monika
发明人： GÜNTHER, Ewald Karl Michael , WINDISCH, Reiner , ROSE, Monika
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/00 , F21K7/00
CPC分类号： H01L25/0753 , F21K9/00 , F21Y2113/13 , F21Y2115/10 , H01L25/167 , H01L2224/48227 , H01L2924/19105 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： Eine optoelektronische Anordnung (1) umfasst eine Leistungsleuchtdiode (10) und eine Einstell-Leuchtdiode (20). Von der Leistungsleuchtdiode (10) ist eine erste Strahlung (SL) mit einem ersten Emissionsspektrum (EL) abstrahlbar. Von der Einstell-Leuchtdiode (20) ist eine zweite Strahlung (SE) mit einem zweiten Emissionsspektrum (EE) abstrahlbar. Eine Gesamtstrahlung (SO) der optoelektronischen Anordnung (1) umfasst die erste Strahlung (SL) und die zweite Strahlung (SE).
摘要翻译：的光电装置（1）包括功率发光二极管（10）和一调节发光二极管（20）。从功率发光二极管（10）是具有一个辐射第一发射光谱（EL）的第一辐射（SL）。从该组向上发光二极管（20）是具有第二发射光谱（EE）辐射的第二辐射（SE）。光电子器件（1）的总辐射（SO）包括第一辐射（SL）和第二辐射（SE）。

8. 发明申请

WO2005096394A1 STRAHLUNGSDETEKTOR 审中-公开
标题翻译：辐射探测器
公开(公告)号：WO2005096394A1
公开(公告)日：2005-10-13
申请号：PCT/DE2005/000428
申请日：2005-03-10
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , JAEGER, Arndt , STAUSS, Peter , WINDISCH, Reiner
发明人： JAEGER, Arndt , STAUSS, Peter , WINDISCH, Reiner
IPC分类号： H01L31/0216
CPC分类号： H01L31/02162 , H01L31/0687 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要： Es wird ein Strahlungsdetektor zur Detektion von Strahlung (8) gemäß einer vorgegebenen spektralen Empfindlichkeitsverteilung (9), die ein Maximum bei einer vorgegebenen Wellenlänge λ o aufweist, umfassend einen Halbleiterkörper (1) mit einem der Detektorsignalerzeugung dienenden und zum Strahlungsempfang vorgesehenen aktiven Bereich (5) angegeben, wobei der aktive Bereich (5) gemäß einer Ausführungsform eine Mehrzahl von Funktionsschichten (4a, 4b, 4c, 4d) umfasst, die unterschiedliche Bandlücken und/oder Dicken aufweisen und derart ausgebildet sind, dass sie (4a, 4b, 4c, 4d) zumindest teilweise Strahlung in einem Wellenlängenbereich größer als λ0 absorbieren. Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist dem aktiven Bereich eine Filterschichtstruktur (70) nachgeordnet, die zumindest eine Filterschicht (7, 7a, 7b, 7c) umfasst, wobei die Filterschichtstruktur die kurzwellige Seite (101) der Detektorempfindlichkeit (10) gemäß der vorgegebenen spektralen Empfindlichkeitsverteilung (9) durch Absorption von Wellenlängen kleiner als λ o bestimmt. Weiterhin wird ein Strahlungsdetektor zur Detektion von Strahlung (8) gemäß der spektralen Empfindlichkeitsverteilung (9) des menschlichen Auges angegeben. Der Halbleiterkörper kann monolithisch integriert sein.
摘要翻译：它正在服务的放射线检测器，用于检测辐射（8）根据其具有在预定波长lambdao最大包括半导体主体（1）与所述检测器信号生成中的一个和用于接收辐射有源区域中的预定光谱灵敏度分布（9）（5）指定的，其中，根据一个实施例的有源区（5）包括多个功能层（4A，4B，4C，4D），其具有不同带隙和/或厚度和被形成为使得它们（图4a，4b，4c，4d的的波长范围内大于lambda0更大吸收）至少部分辐射。根据进一步的实施例中，过滤层结构（70）被设置在有源区的下游，所述至少一个滤光层（7，图7A，7B，7C），其中，所述过滤器层结构中的给定的光谱灵敏度分布的检测器灵敏度（10）的短波长侧（101）（ 9）通过波长的吸收来测定比lambdao小。此外，提供用于检测根据人眼的光谱灵敏度分布（9）辐射（8）的放射线检测器。半导体本体可以单片集成。

9. 发明申请

WO2005024961A1 STRAHLUNGEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：辐射的半导体器件
公开(公告)号：WO2005024961A1
公开(公告)日：2005-03-17
申请号：PCT/DE2004/001708
申请日：2004-07-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , STEIN, Wilhelm , WINDISCH, Reiner , WIRTH, Ralph , PIETZONKA, Ines
发明人： STEIN, Wilhelm , WINDISCH, Reiner , WIRTH, Ralph , PIETZONKA, Ines
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/40 , H01L33/02
摘要： Strahlungemittierendes Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper, umfassend eine erste Hauptfläche (5), eine zweite Hauptfläche (9) und eine Halbleiterschichtenfolge (4) mit einer elektromagnetische Strahlung erzeugenden aktiven Zone (7), wobei die Halbleiterschichtenfolge (4) zwischen der ersten und der zweiten Hauptfläche (5,9) angeordnet ist, eine erste Stromaufweitungsschicht (3) auf der ersten Hauptfläche (5) angeordnet und mit der Halbleiterschichtenfolge (4) elektrisch leitend verbunden ist sowie eine zweite Stromaufweitungsschicht (10) auf der zweiten Hauptfläche (9) angeordnet und mit der Halbleiterschichtenfolge (4) elektrisch leitend verbunden ist.
摘要翻译：发射辐射的半导体元件具有半导体主体，其包括第一主表面（5），一个第二主表面（9）和一个半导体层序列（4）与电磁辐射产生活性区（7），其中，所述半导体层序列（4）在第一和第二主表面之间（5,9）被布置设置在第一主表面上的第一电流扩展层（3）（5）和与该半导体层序列（4）导电连接，并且在第二主表面（9）的第二电流扩展层（10）和设置有半导体层序列（4）导电连接。

10. 发明申请

WO2009086808A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：光电组件
公开(公告)号：WO2009086808A1
公开(公告)日：2009-07-16
申请号：PCT/DE2008/002150
申请日：2008-12-22
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LINDER, Norbert , WIESMANN, Christopher , WINDISCH, Reiner
发明人： LINDER, Norbert , WIESMANN, Christopher , WINDISCH, Reiner
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/387 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01S5/1046
摘要： Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper (1), der eine Strahlungsdurchtrittsfläche (2) umfasst, einer Zwischenschicht (4), die direkt auf der Strahlungsdurchtrittsfläche (2) des Halbleiterkörpers (1) angeordnet ist und einen niedrigeren optischen Brechungsindex (n4) als das an sie grenzende Halbleitermaterial des Halbleiterkörpers (1) aufweist, und einer strukturierten Metallschicht (3), die auf der dem Halbleiterkörper (1) gegenüberliegenden Oberfläche der Zwischenschicht (4) angeordnet ist, angegeben.
摘要翻译：它与一个半导体主体（1），包括辐射穿透表面（2），中间层的光电子半导体装置（4）直接在辐射穿透表面（2）的半导体主体（1）和一个下光学折射率（N4），作为（3）形成为具有连续的给它的半导体本体（1）的半导体材料，以及图案化金属层的半导体主体（1）（4）被布置成规定的中间层的相对表面上。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式