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    • 1. 发明专利
    • 硬質被膜及硬質被膜被覆構件
    • 硬质被膜及硬质被膜被覆构件
    • TW201716609A
    • 2017-05-16
    • TW105125614
    • 2016-08-11
    • OSG股份有限公司OSG CORPORATION
    • 櫻井正俊SAKURAI, MASATOSHI王媺WANG, MEI
    • C23C14/24C23C14/06C23C14/34C23C14/48C23C14/54
    • B23B27/14B23B51/00B23C5/16C23C14/06
    • 一種用以被覆在工具母材表面之硬質被膜,其係藉由物理蒸鍍法而構成A層與奈米薄膜交替層交替層積且形成0.5~20μm之總膜厚,其中該奈米薄膜交替層係由B層及C層以奈米等級厚度交替層積而成;A層係以組成式為Al1-W-XCrW(SiC)X]N且原子比W為0.20~0.80、原子比X為0.01~0.20表示之AlCr(SiC)氮化物,而且具有50~1000nm的厚度;B層係以組成式為[Ti1-YAlY]N且原子比Y為0.30~0.85表示之TiAl氮化物,而且具有1~100nm的厚度;C層係以組成式為[Ti1-Z(SiC)Z]N且原子比Z為0.05~0.45表示之Ti(SiC)氮化物,而且具有1~100nm的厚度;奈米薄膜交替層係具有50~1000nm的厚度。
    • 一种用以被覆在工具母材表面之硬质被膜,其系借由物理蒸镀法而构成A层与奈米薄膜交替层交替层积且形成0.5~20μm之总膜厚,其中该奈米薄膜交替层系由B层及C层以奈米等级厚度交替层积而成;A层系以组成式为Al1-W-XCrW(SiC)X]N且原子比W为0.20~0.80、原子比X为0.01~0.20表示之AlCr(SiC)氮化物,而且具有50~1000nm的厚度;B层系以组成式为[Ti1-YAlY]N且原子比Y为0.30~0.85表示之TiAl氮化物,而且具有1~100nm的厚度;C层系以组成式为[Ti1-Z(SiC)Z]N且原子比Z为0.05~0.45表示之Ti(SiC)氮化物,而且具有1~100nm的厚度;奈米薄膜交替层系具有50~1000nm的厚度。
    • 3. 发明专利
    • 硬質被膜及硬質被膜被覆構件
    • 硬质被膜及硬质被膜被覆构件
    • TW201823489A
    • 2018-07-01
    • TW106135512
    • 2017-10-17
    • 日商OSG股份有限公司OSG CORPORATION
    • 櫻井正俊SAKURAI, MASATOSHI王媺WANG, MEI
    • C23C14/06B82Y30/00B23C5/00
    • 一種被覆在工具母材表面的硬質被膜係利用物理蒸鍍法將A層、B層及奈米薄膜交替層交替積層而成並構成為膜厚0.5~20μm,該奈米薄膜交替層係奈米薄膜A層或奈米薄膜B層及C層以奈米等級厚度交替積層而成,且奈米薄膜A層或奈米薄膜B層與A層或B層具有相同組成;A層係組成式為(AlaTibCrcαd)N且具有0.5~1000nm之厚度;B層係組成式為(AleTifCrgβh)CXN1-X且具有0.5~1000nm之厚度,奈米薄膜交替層具有1~1000nm之厚度;C層係組成式為[AliCrj(SiC)kγl]CYN1-Y;且奈米薄膜A層或奈米薄膜B層及C層具有0.5~500nm之厚度。
    • 一种被覆在工具母材表面的硬质被膜系利用物理蒸镀法将A层、B层及奈米薄膜交替层交替积层而成并构成为膜厚0.5~20μm,该奈米薄膜交替层系奈米薄膜A层或奈米薄膜B层及C层以奈米等级厚度交替积层而成,且奈米薄膜A层或奈米薄膜B层与A层或B层具有相同组成;A层系组成式为(AlaTibCrcαd)N且具有0.5~1000nm之厚度;B层系组成式为(AleTifCrgβh)CXN1-X且具有0.5~1000nm之厚度,奈米薄膜交替层具有1~1000nm之厚度;C层系组成式为[AliCrj(SiC)kγl]CYN1-Y;且奈米薄膜A层或奈米薄膜B层及C层具有0.5~500nm之厚度。