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    • 3. 发明公开
    • MEMS device with electrosatic discharge protection
    • MEMS-Vorrichtung mit Schutz vor elektrostatischer Entladung
    • EP2316788A1
    • 2011-05-04
    • EP09174516.6
    • 2009-10-29
    • NXP B.V.
    • Koning, Jan JacobEl-Ghorba, MehdiVan Zwol, Johannes
    • B81C1/00
    • B81C1/00246
    • A method of making a bipolar transistor and/or an ESD device integrated onto the same substrate as the MEMS element uses a single additional mask and dopant step, to form the shallow well of second conductivity type. In particular, after forming a MEMS element (18) using a series of steps including forming a well of a first conductivity type and a step (24) of forming a shallow contact of the same first conductivity type at locations determined by a first mask, a bipolar transistor (16,42) and/or ESD protection device (16) is formed using a step of forming a shallow contact (8,10,40) ofopposite conductivity type at locations determined by a second mask.
    • 制造双相晶体管和/或集成在与MEMS元件相同的衬底上的ESD器件的方法使用单个附加掩模和掺杂剂步骤,以形成第二导电类型的浅阱。 特别地,在使用包括形成第一导电类型的阱的一系列步骤形成MEMS元件(18)和在由第一掩模确定的位置处形成相同的第一导电类型的浅接触的步骤(24)之后, 使用在由第二掩模确定的位置处形成具有相反导电类型的浅接触(8,10,40)的步骤来形成双极晶体管(16,42)和/或ESD保护装置(16)。