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1. 发明公开

KR20180072545A 기상 성장 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20180072545A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：KR20170165025
申请日：2017-12-04
申请人： NUFLARE TECHNOLOGY INC
发明人： TAKAHASHI HIDESHI , MIYANO KIYOTAKA , TSUKUI MASAYUKI , NAGO HAJIME , IYECHIKA YASUSHI
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/324
CPC分类号： C23C16/325 , C23C16/45504 , C23C16/45565 , C23C16/4584 , C23C16/46 , H01L21/02167 , H01L21/02271 , H01L21/02381 , H01L21/02447 , H01L21/02458
摘要： 실시형태의기상성장방법은, 기판상에기판과다른조성의막을형성하는기상성장방법이며, 1매의기판을자전시켜서제1 온도로가열하고, 기판의표면에대하여대략수직인방향의층류로서실리콘및 탄소를포함하는제1 프로세스가스를공급하고, 기판의표면에막 두께가 10㎚이상 200㎚이하인탄화규소막을형성한다.

2. 发明公开

KR20180025194A 기상 성장 방법 审中-公开
标题翻译：蒸气沉积方法
公开(公告)号：KR20180025194A
公开(公告)日：2018-03-08
申请号：KR20170104071
申请日：2017-08-17
申请人： NUFLARE TECHNOLOGY INC
发明人： TAKAHASHI HIDESHI , IYECHIKA YASUSHI , TSUKUI MASAYUKI
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/324
CPC分类号： C23C16/452 , H01L21/0271
摘要： 반응실내에설치된지지부(7)에기판 W를적재하고, 상기기판의중심을통과하는회전축 A를중심으로 1300rpm 이상 2000rpm 이하의회전속도로지지부(7)와함께기판 W를회전시키면서, 반응실상방으로부터기판 W 위에유기금속을함유하는원료가스를공급하고, 기판 W 위에Ⅲ-Ⅴ족반도체층을성장시킨다.
摘要翻译：将基板W载置于设置于反应室2内的支承部7上。基板W与支承部7一起以通过基板W的中心的旋转轴A为中心以1300rpm的旋转速度旋转，更高且2000rpm或更低时，将包括有机金属的源气体从反应室2上方的部分供应到衬底W上，以在衬底W上生长III-V族半导体层。

3. 发明专利

DE102021200213A1 Verwölbungsmessvorrichtung, Gasphasenabscheidungsvorrichtung und Verwölbungsmessverfahren 未知
公开(公告)号：DE102021200213A1
公开(公告)日：2021-07-29
申请号：DE102021200213
申请日：2021-01-12
申请人： NUFLARE TECHNOLOGY INC
发明人： IYECHIKA YASUSHI
IPC分类号： G01B11/24 , C30B25/02 , G01B11/30 , H01L21/205
摘要： Eine Verwölbungsmessvorrichtung weist auf: eine Lichtemissionseinrichtung, welche zwei optische Signale mit unterschiedlichen Polarisationsrichtungen zu einem zu messenden Objekt emittiert; eine Lichtempfangseinrichtung, welche die zwei von dem zu messenden Objekt reflektierten optischen Signale zu unterschiedlichen Zeitpunkten empfängt; einen Verwölbungsdetektor, welcher auf Grundlage von Positionen, an denen die zwei optischen Signale empfangen werden, auf der Lichtempfangseinrichtung eine Verwölbung des zu messenden Objekts detektiert; und eine Lichtauswahleinrichtung, welche in einem Strahlengang der zwei optischen Signale angeordnet ist, die zwei optischen Signale abwechselnd auswählt und die zwei optischen Signale in den Strahlengang leitet.

4. 发明专利

DE102020203192A1 WACHSTUMSGESCHWINDIGKEITS -DETEKTIONSVORRICHTUNG, AUFDAMPFVORRICHTUNG UND AUFDAMPFGESCHWINDIGKEITS-DETEKTIONSVERFAHREN 未知
公开(公告)号：DE102020203192A1
公开(公告)日：2020-09-17
申请号：DE102020203192
申请日：2020-03-12
申请人： NUFLARE TECHNOLOGY INC
发明人： IYECHIKA YASUSHI
IPC分类号： G01B11/06 , C23C16/00 , C30B25/02 , H01L21/205
摘要： Eine Wachstumsgeschwindigkeits-Detektionsvorrichtung weist einen Reflexionsmesser zum Messen des Reflexionsvermögens eines Dünnfilms auf, indem er reflektiertes Licht von Licht empfängt, das mit dem Dünnfilm ausgestrahlt wird, einen Wachstumsgeschwindigkeitskandidaten-Rechner zum Berechnen einer ersten Wachstumsgeschwindigkeit und einer zweiten Wachstumsgeschwindigkeit, die Kandidaten für eine Wachstumsgeschwindigkeit des Dünnfilms sind, basierend auf einem temporären Variationszeitraum des Reflexionsvermögens und einem Brechungsindex des Dünnfilms in einem Fall, in dem der Reflexionsmesser den Dünnfilm mit Licht einer ersten Wellenlänge bestrahlt, und zum Berechnen einer dritten Wachstumsgeschwindigkeit und einer vierten Wachstumsgeschwindigkeit, die Kandidaten für die Wachstumsgeschwindigkeit des Dünnfilms sind, basierend auf dem temporären Variationszeitraum und dem Brechungsindex in einem Fall, in dem der Reflexionsmesser den Dünnfilm mit Licht einer zweiten Wellenlänge bestrahlt, und einem Wachstumsgeschwindigkeitsselektor zum Auswählen einer gemeinsamen Wachstumsgeschwindigkeit.

5. 发明专利

DE102018205188A1 Wachstumsratenmessvorrichtung und Wachstumsratenmessverfahren 未知
公开(公告)号：DE102018205188A1
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：DE102018205188
申请日：2018-04-06
申请人： NUFLARE TECHNOLOGY INC
发明人： IYECHIKA YASUSHI
IPC分类号： G01B11/06 , C30B25/02 , G01N21/55
摘要： Eine Wachstumsratenmessvorrichtung weist ein Refraktometer zum Abstrahlen von Licht einer Vielzahl von verschiedenen Wellenlängen auf eine Oberfläche eines Substrats, um die Reflektivität der Oberfläche des Substrats für verschiedene Wellenlängen zu messen, einen Anpasser, um die Reflektivität, welche mittels einer im Voraus erhaltenen Modellfunktion berechnet worden ist, an einen gemessenen Wert der Reflektivität für mindestens eine Dünnfilmschicht, die einzeln auf das Substrat laminiert sind, mit einem Brechungsindex und/oder einer Wachstumsrate als ein Anpassparameter, anzupassen, einen Parameterextrahierer zum Extrahieren von Sätzen von Anpassparametern für jede Wellenlänge in den verschiedenen Wellenlängen, für die ein Fehler zwischen der durch die Modellfunktion berechneten Reflektivität und dem gemessenen Wert der Reflektivität minimal ist, und einen Parameterwähler auf, um einen optimalen Satz von Werten der Anpassparameter unter den Anpassparametern auszuwählen, die für die verschiedenen Wellenlängen extrahiert worden sind.

6. 发明专利

DE112016004604T5 Dampfphasenwachstumsraten-Messvorrichtung, Dampfphasenwachstumsvorrichtung, und Wachstumsdetektionsverfahren 未知
公开(公告)号：DE112016004604T5
公开(公告)日：2018-06-28
申请号：DE112016004604
申请日：2016-09-30
申请人： NUFLARE TECHNOLOGY INC
发明人： IYECHIKA YASUSHI
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/44 , C23C16/52 , G01N21/41
摘要： Um eine Dampfphasenwachstumsvorrichtung und ein Wachstumsratendetektionsverfahrens bereitzustellen, die in der Lage sind, einfach und genau eine Wachstumsrate eines dünnen Films auf einem Substrat zu detektieren:Eine Dampfphasenwachstumsvorrichtung enthält eine Anfangsparametereinstelleinheit, die Anfangswerte von Anpassungsparametern, einen komplexen Brechungsindex des Substrats, einen Brechungsindex jedes auf dem Substrat zu bildenden dünnen Films, eine Wachstumsrate jedes dünnen Films, und mindestens einen Parameter mit Temperaturabhängigkeit einstellt, eine Filmdickenberechnungseinheit, die eine Filmdicke jedes dünnen Films basierend auf einer Wachstumszeit jedes dünnen Films und der eingestellten Wachstumsrate jedes dünnen Films berechnet, eine Parameterauswahleinheit, die einen Wert gemäß einer Wachstumstemperatur für den Parameter mit der Temperaturabhängigkeit auswählt, ein Reflektometer, das einen Reflexionsgrad des Substrats misst, auf dem die dünnen Filme gebildet werden, eine Reflexionsgradberechnungseinheit, die einen Reflexionsgrad jedes dünnen Films unter Verwendung des Wertes des Anpassungsparameters berechnet, eine Fehlerberechnungseinheit, die einen Fehler zwischen dem von der Reflexionsgradberechnungseinheit berechneten Reflexionsgrad und einem tatsächlichen Messwert des durch das Reflektometer gemessenen Reflexionsgrades des entsprechenden dünnen Films zu mehreren Zeitpunkten nach Beginn der Filmbildung jedes dünnen Films berechnet, eine Parameteränderungseinheit, die mindestens einen Teil der Parameter mit der Temperaturabhängigkeit in einem Fall ändert, in dem der Fehler gleich oder größer als ein vorbestimmter Wert ist, und eine Wachstumsratenausgabeeinheit, die die Wachstumsrate jedes dünnen Films basierend auf den Werten der Anpassungsparameter zu der Zeit ausgibt, wenn der Fehler kleiner als der vorbestimmte Wert ist.

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