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1. 发明专利

JP2016184611A 半導体レーザ审中-公开
标题翻译：半导体激光器
公开(公告)号：JP2016184611A
公开(公告)日：2016-10-20
申请号：JP2015063201
申请日：2015-03-25
申请人： NTTエレクトロニクス株式会社 , 日本電信電話株式会社
发明人：廣野卓夫 , 幸前篤郎 , 川口悦弘 , 内田敏昭 , 湯田正宏 , 大手康義 , 浅岡淳一 , 東盛裕一 , 小林亘 , 小木曽義弘 , 進藤隆彦 , 三条広明 , 藤原直樹
IPC分类号： H01S5/227
摘要：【課題】SI−BH構造の半導体レーザであって、SI埋め込み層への電流リークを長期間、安定的に低減可能な半導体レーザを提供すること。【解決手段】n−InP基板101の上部に、n−InPクラッド層102、n側SCH層103、活性層104、p側SCH層105、p−InPクラッド層106、コンタクト層107が順次積層し、ドライエッチングによりn−InP基板101の一部までエッチング除去してメサストライプ構造作製後、メサストライプ構造の両側を半絶縁性InPで埋め込む構造(SI−BH)の半導体レーザである。本実施例1の付加層108はn−InP基板101とSI埋め込み(SI−InP)層109との間に形成されている。付加層108はInPよりバンドギャップが広く、格子定数が等しい半導体であり、例えば、In 0.52 Al 0.48 Asである。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供具有SI-BH结构的半导体激光器，其能够稳定地减少长时间的SI嵌入层的电流泄漏。解决方案：提供一种具有结构（SI-BH）的半导体激光器，通过将n-InP包层102，n侧SCH层103，有源层104，p侧SCH层105，p-InP覆盖层106和接触层107依次层叠而得到 -InP衬底101，通过干蚀刻将它们去除n-InP衬底101的一部分以产生台面条状结构，然后用半绝缘InP填充台面条状结构的两侧。在n-InP衬底101和SI嵌入（SI-InP）层109之间形成根据实施例1的附加层108.附加层108由具有比InP宽的带隙的半导体形成，并且具有晶格常数等于InP，并由InAlAs形成，例如。图1

2. 发明专利

JP5694075B2 半導体レーザ有权
标题翻译：半导体激光器
公开(公告)号：JP5694075B2
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：JP2011153434
申请日：2011-07-12
申请人：日本電信電話株式会社 , NTTエレクトロニクス株式会社
发明人：藤原直樹 , 神徳正樹 , 小林亘 , 門脇佳世
IPC分类号： H01S5/227 , G02B6/12 , G02F1/025 , H01S5/026

3. 发明专利

JP6761392B2 半導体光集積素子有权
公开(公告)号：JP6761392B2
公开(公告)日：2020-09-23
申请号：JP2017179548
申请日：2017-09-19
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：進藤隆彦 , 小林亘 , 藤原直樹 , 金澤慈
IPC分类号： H01S5/12 , G02F1/025 , H01S5/026

4. 发明专利

JP6761390B2 半導体光集積素子有权
公开(公告)号：JP6761390B2
公开(公告)日：2020-09-23
申请号：JP2017179540
申请日：2017-09-19
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：進藤隆彦 , 小林亘 , 藤原直樹 , 金澤慈
IPC分类号： H01S5/026

5. 发明专利

JP6443955B2 半導体レーザ装置有权
公开(公告)号：JP6443955B2
公开(公告)日：2018-12-26
申请号：JP2017542755
申请日：2016-09-29
申请人：日本電信電話株式会社 , 国立大学法人東北大学
发明人：石井啓之 , 藤原直樹 , 渡邉啓 , 井藤幹隆 , 葛西恵介 , 中沢正隆
IPC分类号： H01S5/12 , G02B6/12 , G02B6/42 , G02B6/125 , H01S5/022

6. 发明专利

JP2016201474A リッジ導波路型半導体レーザ审中-公开
标题翻译：脊形波导型半导体激光
公开(公告)号：JP2016201474A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：JP2015080951
申请日：2015-04-10
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：小林亘 , 伊藤敏夫 , 藤原直樹 , 金井拓也 , 進藤隆彦
IPC分类号： H01S5/343 , H01S5/223 , H01S5/22
摘要：【課題】従来技術のリッジ導波路型半導体レーザでは、コア層の導波路における電界強度分布の形状の歪みのために、外部の光ファイバと結合する際の損失が大きいという問題があった。メサストライプにおける横方向の急激な屈折率変化は、コアの加工が不要なリッジ導波路による光閉じ込めを実現する一方で、電界強度分布の形状に凹みやくぼみなどの形状歪みを生じさせ、この歪みが光ファイバと発振光を結合する際の損失となっていた。【解決手段】本発明のリッジ導波路型半導体レーザは、メサストライプ構造の全体を覆うように、メサストライプの側壁およびコア層の上部に、半導体基板と同じ組成の半導体緩衝層を形成する。この緩衝層によって、メサストライプの横方向における屈折率の急激な変化を緩和し、電界強度分布の形状に生じる歪みを軽減する。この緩衝層によって、半導体レーザと光ファイバとの結合効率を改善することができる。【選択図】図3
摘要翻译：现有技术的A中的脊形波导半导体激光器，在波导核心层的电场强度分布的形状的失真，有一个问题，即在耦合损失与外部光纤是大的。在台面条折射率横向急剧变化，而芯的加工，以实现光限制由于不必要的脊形波导，引起形状变形，例如在电场强度分布的形状凹陷和凹陷，变形出现了振荡光耦合到所述光纤的损耗。脊形波导半导体激光器本发明涉及，以覆盖整个台面条纹结构，侧壁的上部和台面条纹的核心层，具有相同组成的半导体衬底中的半导体缓冲层。该缓冲层，并在台面条的横向方向上的折射率平滑突然变化，以减小电场强度分布的形状发生的失真。该缓冲层可以提高半导体激光器和光纤之间的耦合效率。点域

7. 发明专利

JP6761391B2 半導体光集積素子有权
公开(公告)号：JP6761391B2
公开(公告)日：2020-09-23
申请号：JP2017179545
申请日：2017-09-19
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：進藤隆彦 , 小林亘 , 藤原直樹 , 金澤慈
IPC分类号： H01S5/0683 , H01S5/062 , H01S5/026

8. 发明专利

JP2019212888A 光送信機および多波長光送信機审中-公开
公开(公告)号：JP2019212888A
公开(公告)日：2019-12-12
申请号：JP2018212353
申请日：2018-11-12
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：進藤隆彦 , 藤原直樹 , 石井啓之
IPC分类号： H01S5/125 , H01S5/22 , H01S5/062 , H01S5/026
摘要：【課題】高出力動作時においても高い戻り光耐性を有しており、光波形品質と伝送特性の劣化を抑制することが可能な光送信機を提供する。【解決手段】電流を注入し光利得を生じる活性領域440およびその両端に形成された2つのDBR領域441、442からなるDBRレーザ44と、DBRレーザからのレーザ光を光変調するEA変調器42と、EA変調器からの変調光を導波するパッシブ光導波路49と、パッシブ光導波路からの変調光を光増幅するSOA43とを、同一基板上にモノリシック集積された光送信機とした。【選択図】図4

9. 发明专利

JP2019160840A 半導体光集積素子およびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019160840A
公开(公告)日：2019-09-19
申请号：JP2018040912
申请日：2018-03-07
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：進藤隆彦 , 藤原直樹 , 佐野公一 , 石井啓之 , 松崎秀昭 , 山田貴 , 堀越建吾
IPC分类号： H01S5/026 , H01S5/12 , H01S5/227 , H01S5/50 , H01S5/042
摘要：【課題】半導体光集積素子の更なる高出力化において、検査工程を追加することなく製造コストの増大を防ぐ。【解決手段】DFBレーザ51と、EA変調器52と、SOA53とが、光出射方向にこの順に配置され同一基板上にモノリシック集積された半導体光集積素子を、光軸方向を揃えて複数二次元配列して半導体ウエハを形成するステップと、半導体ウエハを光出射方向に直交する面で劈開して、隣接する半導体光集積素子が同一の劈開端面を光出射面として共有する半導体バーを形成するステップと、半導体バーの各半導体光集積素子を、SOAの電極とDFBレーザの電極を電気的に接続する接続配線部513dを介して通電駆動して検査するステップと、検査後に半導体バーの各半導体光集積素子を、隣接する半導体光集積素子との境界線で分離することにより接続配線部を切断して電気的に分離するステップとから構成されている。【選択図】図5

10. 发明专利

JP6543188B2 波長多重光送信器及びその制御方法有权
公开(公告)号：JP6543188B2
公开(公告)日：2019-07-10
申请号：JP2015254663
申请日：2015-12-25
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：小林亘 , 藤原直樹 , 伊藤敏夫
IPC分类号： H01S5/026 , H01S5/0683

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