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1. 发明申请

WO2007107306A1 VERWENDUNG VON HETEROCYCLISCHEN RADIKALEN ZUR DOTIERUNG VON ORGANISCHEN HALBEITERN 审中-公开
标题翻译：杂环基的兴奋剂有机半导体溃烂的使用
公开(公告)号：WO2007107306A1
公开(公告)日：2007-09-27
申请号：PCT/EP2007/002359
申请日：2007-03-16
申请人： NOVALED AG , ZEIKA, Olaf , LIMMERT, Michael , GRÜSSING, André , LUX, Andrea , HARTMANN, Horst , WERNER, Ansgar
发明人： ZEIKA, Olaf , LIMMERT, Michael , GRÜSSING, André , LUX, Andrea , HARTMANN, Horst , WERNER, Ansgar
IPC分类号： H01L51/00
CPC分类号： H01L51/002 , C08G61/00 , H01L51/0051 , H01L51/0067 , H01L51/0071 , H01L51/0081 , Y02E10/549
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft die Verwendung von heterocyclischen Radikalen oder Diradikalen, deren Dimeren, Oligomeren, Polymeren, Dispiroverbindungen und Polycyclen zur Verwendung als Dotand zur Dotierung eines organischen halbleitenden Matrixmaterials wobei die Dotanden eine Struktur gemäß der folgenden Formeln afweisen.
摘要翻译：本发明涉及使用杂环基团和二价基团的，作为用于掺杂有机半导体基质材料，其中掺杂剂根据下列公式afweisen它们的二聚体，低聚物，聚合物，二螺化合物和多环中使用的结构的掺杂剂。

2. 发明申请

WO2007107356A1 METHOD FOR PREPARING DOPED ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIALS AND FORMULATION UTILIZED THEREIN 审中-公开
标题翻译：用于制备掺杂有机半导体材料的方法及其制备方法
公开(公告)号：WO2007107356A1
公开(公告)日：2007-09-27
申请号：PCT/EP2007/002510
申请日：2007-03-21
申请人： NOVALED AG , ZEIKA, Olaf , LUX, Andrea , LIMMERT, Michael , HARTMANN, Horst , GRUESSING, André , WERNER, Ansgar , AMMANN, Martin
发明人： ZEIKA, Olaf , LUX, Andrea , LIMMERT, Michael , HARTMANN, Horst , GRUESSING, André , WERNER, Ansgar , AMMANN, Martin
IPC分类号： H01L51/00 , C07D233/24 , C07D235/02 , C07D235/20 , C07D277/66
CPC分类号： H01L51/002 , C07D271/107 , C07D285/10 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , C09K2211/1088 , H01L51/0053 , H01L51/0054 , H01L51/0062 , H01L51/0067 , H01L51/007 , H01L51/0081 , H01L51/5052 , H05B33/14 , H05B33/20 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： Method for preparing doped organic semiconductor materials comprising the steps: (i) preparing a solution or suspension containing at least one dopant precursor, at least one organic material to be doped and a solvent, (ii) applying the solution or suspension onto a substrate and removing the solvent, (iii) converting the dopant precursor into a dopant by application of activation energy, wherein the dopant precursor is a dimer, oligomer, polymer, dispiro compound or polycycle of the dopant into which the dopant precursor is cleaved by application of activation energy.
摘要翻译：制备掺杂有机半导体材料的方法，包括以下步骤：（i）制备含有至少一种掺杂剂前体，至少一种待掺杂的有机材料和溶剂的溶液或悬浮液，（ii）将溶液或悬浮液施加到基底上，去除溶剂，（iii）通过施加活化能将掺杂剂前体转化为掺杂剂，其中掺杂剂前体是通过施加激活而掺杂剂前体被切割的掺杂剂的二聚体，低聚物，聚合物，靛红化合物或多环能源。

3. 发明申请

WO2010075836A2 HETEROCYCLISCHE VERBINDUNGEN UND DEREN VERWENDUNG IN ELEKTRONISCHEN UND OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTEN 审中-公开
标题翻译：杂环化合物及其在电子和光电子组件中的用途
公开(公告)号：WO2010075836A2
公开(公告)日：2010-07-08
申请号：PCT/DE2009/001744
申请日：2009-12-14
申请人： NOVALED AG , ZEIKA, Olaf , HARTMANN, Horst , HEGGEMANN, Ulrich , DOROK, Sascha , BLOCHWITZ-NIMOTH, Jan , WERNER, Ansgar , HOFMANN, Michael , ROTHE, Carsten
发明人： ZEIKA, Olaf , HARTMANN, Horst , HEGGEMANN, Ulrich , DOROK, Sascha , BLOCHWITZ-NIMOTH, Jan , WERNER, Ansgar , HOFMANN, Michael , ROTHE, Carsten
IPC分类号： C09K11/06 , H01L51/00
CPC分类号： C07D497/04 , C07D497/14 , C07D497/22 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , C09K2211/1088 , C09K2211/1096 , H01B1/00 , H01L51/0071 , H05B33/10 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft die Verwendung von heterozyklischen Verbindungen als Ladungstransportmaterial, Blockermaterial, oder Lichtstreuungsmaterial in elektronischen, optoelektronischen oder elektrolumineszenten Bauelementen.
摘要翻译：本发明涉及杂环化合物在电子，光电子或电致发光组件中作为电荷输送材料，阻挡材料或光散射材料的用途。

4. 发明申请

WO2008061518A2 DITHIOLENÜBERGANGSMETALLKOMPLEXE UND SELEN-ANALOGE VERBINDUNGEN, DEREN VERWENDUNG ALS DOTAND, ORGANISCHES HALBLEITENDES MATERIAL ENTHALTEND DIE KOMPLEXE, SOWIE ELEKTRONISCHE ODER OPTOELEKTRONISCHE BAUELEMENT ENTHALTEND EINEN KOMPLEX 审中-公开
标题翻译： DITHIOLENÜBERGANGSMETALLKOMPLEXE和硒的易模拟连接，它们的使用AS掺杂有机材料含有该复合导电半和电子或光电子器件含有复合
公开(公告)号：WO2008061518A2
公开(公告)日：2008-05-29
申请号：PCT/DE2007/002109
申请日：2007-11-20
申请人： NOVALED AG , ZEIKA, Olaf , WERNER, Ansgar , HARTMANN, Horst , WILLMANN, Steffen
发明人： ZEIKA, Olaf , WERNER, Ansgar , HARTMANN, Horst , WILLMANN, Steffen
IPC分类号： C07F11/00 , H01L51/00
CPC分类号： C07C323/03 , H01L51/002 , H01L51/0083 , H01L51/0084 , H01L51/0091 , H01L51/5016 , Y02E10/549
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft Dithiolenübergangsmetallkomplexe und deren Selenanalogen Verbindungen gemäß den Strukturen (1) und (2), sowie deren Verwendung insbesondere als Dotand zur Dotierung eines organischen halbleitenden Matrixmaterials, das organische halbleitende Matrixmaterial sowie elektronische und optoelektronische Bauelemente enthaltend die Verbindunen.
摘要翻译：本发明涉及Dithiolenübergangsmetallkomplexe并根据结构他们的硒类似物的化合物（1）和（2），和它们的用途特别是含有作为用于掺杂有机半导体基质材料，有机半导体基质材料，以及电子和光电子器件的Verbindunen的掺杂剂。

5. 发明申请

WO2008061517A2 VERWENDUNG VON DITHIOLENÜBERGANGSMETALLKOMPLEXEN UND SELEN- ANALOGER VERBINDUNGEN ALS DOTAND 审中-公开
标题翻译：作者DITHIOLENÜBERGANGSMETALLKOMPLEXEN和模拟连接硒作为掺杂剂使用
公开(公告)号：WO2008061517A2
公开(公告)日：2008-05-29
申请号：PCT/DE2007/002108
申请日：2007-11-20
申请人： NOVALED AG , ZEIKA, Olaf , WERNER, Ansgar , HARTMANN, Horst , WILLMANN, Steffen
发明人： ZEIKA, Olaf , WERNER, Ansgar , HARTMANN, Horst , WILLMANN, Steffen
IPC分类号： H01L51/44
CPC分类号： H01L51/441 , H01L27/301 , H01L51/447 , Y02E10/549
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft die Verwendung von Dithiolenübergangsmetallkomplexen, Selen-analoger Verbindungen derselben als Dotand zur Dotierung eines organischen halbleitenden Matrixmaterials.
摘要翻译：本发明涉及使用Dithiolenübergangsmetallkomplexen，硒 - 模拟化合物及其作为用于掺杂有机半导体基质材料的掺杂剂。

6. 发明申请

WO2009003455A1 CHINOIDE VERBINDUNGEN UND DEREN VERWENDUNG IN HALBLEITENDEN MATRIXMATERIALIEN, ELEKTRONISCHEN UND OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTEN 审中-公开
标题翻译：醌型化合物及其用途一半的铅基体材料，电子和光电电子元件
公开(公告)号：WO2009003455A1
公开(公告)日：2009-01-08
申请号：PCT/DE2008/001080
申请日：2008-07-02
申请人： NOVALED AG , ZEIKA, Olaf , FALTIN, Ina , LUX, Andrea , WILLMANN, Steffen
发明人： ZEIKA, Olaf , FALTIN, Ina , LUX, Andrea , WILLMANN, Steffen
IPC分类号： H01L51/00
CPC分类号： H01L51/005 , C07C22/08 , C07C255/51 , C09K11/025 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , C09K2211/1044 , C09K2211/1074 , C09K2211/1092 , H01L51/002 , H01L51/0051 , H01L51/5012 , H01L51/5072 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , H01L51/5096 , H01L51/5203 , Y02E10/549
摘要： Die Erfindung betrifft chinoide Verbindungen und deren Verwendung in halbleitenden Matrixmaterialien, elektronischen und optoelektronischen Bauelementen.
摘要翻译：本发明涉及一种醌型化合物和它们在半导电的基体材料，电子和光电子器件中使用。

7. 发明申请

WO2008043515A2 VERFAHREN ZUR RÄUMLICHEN STRUKTURIERUNG DER LEUCHTDICHTE VON LICHTEMITTIERENDEN ORGANISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTEN, DANACH HERGESTELLTES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERWENDUNG DESSELBEN 审中-公开
标题翻译：发光有机半导体元件的亮度的空间结构方法，然后做半导体元件及其用途
公开(公告)号：WO2008043515A2
公开(公告)日：2008-04-17
申请号：PCT/EP2007/008758
申请日：2007-10-09
申请人： NOVALED AG , ZEIKA, Olaf , BIRNSTOCK, Jan , LIMMERT, Michael , VEHSE, Martin
发明人： ZEIKA, Olaf , BIRNSTOCK, Jan , LIMMERT, Michael , VEHSE, Martin
IPC分类号： H01L51/54
CPC分类号： H01L51/5052 , H01L51/002 , H01L51/0026 , H01L51/0027 , H01L51/0062 , H01L51/5076
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur räumlichen Strukturierung der Leuchtdichte von lichtemittierenden organischen Halbleiterbauelementen, umfassend die Schritte: i) Herstellen eines lichtemittierenden organischen Bauelements umfassend eine elektronenleitende Schicht aus organischem Matrixmaterial und im wesentlichen homogen darin eingebetteten n-Dotandenprecursorn oder n-Dotanden und/oder eine lochleitende Schicht aus organischem Matrixmaterial und im wesentlichen homogen darin eingebetteten p-Dotandenprecursorn oder p-Dotanden; iia) Bestrahlen oder thermisches Anregen zumindest eines oder mehrerer Teilbereiche des Bauelements zur Aktivierung der Dotandenprecursor im bestrahlten Bereich, oder iib) Bestrahlen oder thermisches Anregen zumindest eines oder mehrerer Teilbereiche des Bauelements zur Deaktivierung der Dotanden im bestrahlten Bereich, wobei der Dotand ein heterocyclisches Radikal oder Diradikal ist und der Dotandenprecursor ein Dimer, Oligomer, Polymer, eine Dispiroverbindung oder ein Polycyclus oder eine Leukobase eines heterocyclischen Radikals oder Diradikals ist; und ein danach hergestelltes lichtemittierendes organisches Bauelement und dessen Verwendung.
摘要翻译：
本发明涉及一种用于R＆AUML的处理;有机发光半导体器件的亮度的umlichen结构，其包括以下步骤：i。制备的有机发光装置），其包括有机基质材料的电子传导层和基本上均匀地嵌入其中 n型掺杂剂前体或n型掺杂剂和/或有机基体材料的空穴传导层和基本上均匀地嵌入其中的p型掺杂剂前体或p型掺杂剂; IIA）照射或装置中的至少一个或多个部分的热激发，以激活在照射区域中的掺杂剂前体，或IIB）照射或用于在照射区域中的掺杂剂的失活，所述设备中的至少一个或多个部分的热激发，其特征在于所述掺杂剂是杂环基团或是双自由基的并且掺杂剂前体是杂环基或双基的二聚体，低聚物，聚合物，二螺旋化合物或多环或隐色碱; 以及之后制造并使用它的发光有机器件。

8. 发明申请

WO2008128519A3 ARYL- UND/ODER HETEROARYL-SUBSTITUIERTE HAUPTGRUPPENELEMENTHALOGENIDE UND/ODER -PSEUDOHALOGENIDE, VERWENDUNG VON HAUPTGRUPPENELEMENTHALOGENIDEN UND/ODER -PSEUDOHALOGENIDEN, ORGANISCHES HALBLEITENDES MATRIXMATERIAL, ELEKTRONISCHE UND OPTOELEKTRONISCHE BAUELEMENTE 审中-公开
公开(公告)号：WO2008128519A3
公开(公告)日：2008-10-30
申请号：PCT/DE2008/000645
申请日：2008-04-16
申请人： NOVALED AG , ZEIKA, Olaf , LIMMERT, Michael , WILLMANN, Steffen
发明人： ZEIKA, Olaf , LIMMERT, Michael , WILLMANN, Steffen
IPC分类号： C07F9/92 , C09K11/00 , H01L51/00 , H05B33/00
摘要： Die Erfindung betrifft Aryl- und/oder Heteroaryl-substituierte Hauptgruppenelementhalogenide und/oder -pseudohalogenide, die Verwendung von Hauptgruppenelementhalogeniden und -pseudohalogeniden als Dotand zur Dotierung eines organischen halbleitenden Matrixmaterials, als Ladungsinjektionsschicht, als Löcherblockerschicht, als Elektrodenmaterial, als Transportmaterial selbst, als Speichermaterial in elektronischen oder optoelektronischen Bauelementen, sowie ein organisches halbleitendes Material und elektronische oder optoelektronische Bauelemente.

9. 发明申请

WO2007134873A1 VERWENDUNG VON QUADRATISCH PLANAREN ÜBERGANGSMETALLKOMPLEXEN ALS DOTAND 审中-公开
标题翻译：使用正方平面过渡金属络合物作为掺杂剂
公开(公告)号：WO2007134873A1
公开(公告)日：2007-11-29
申请号：PCT/EP2007/004638
申请日：2007-05-24
申请人： NOVALED AG , ZEIKA, Olaf , DATHE, Rene , WILLMANN, Steffen , WERNER, Ansgar
发明人： ZEIKA, Olaf , DATHE, Rene , WILLMANN, Steffen , WERNER, Ansgar
IPC分类号： H01L51/00
CPC分类号： H01L51/0083 , H01L51/002 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0077 , Y02B10/10 , Y02E10/549
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft die Verwendung eines quadratisch planaren Übergangsmetallkomplexes als Dotand, Ladungsinjektionsschicht, Elektrodenmaterial oder Speichermaterial.
摘要翻译：本发明涉及使用一个正方形平面过渡金属络合物作为掺杂剂时，电荷注入层，电极材料或记忆材料。

10. 发明申请

WO2008138580A1 IMIDAZOLDERIVATE UND DEREN VERWENDUNG ALS DOTAND ZUR DOTIERUNG EINES ORGANISCHEN HALBLEITENDEN MATRIXMATERIALS 审中-公开
标题翻译：咪唑衍生物及其作为掺杂用于掺杂有机半导体基质材料
公开(公告)号：WO2008138580A1
公开(公告)日：2008-11-20
申请号：PCT/EP2008/003792
申请日：2008-05-09
申请人： NOVALED AG , AMMAN, Martin , ZEIKA, Olaf , DATHE, Rene , HARTMANN, Horst
发明人： AMMAN, Martin , ZEIKA, Olaf , DATHE, Rene , HARTMANN, Horst
IPC分类号： H01L51/54
CPC分类号： H01L51/5052 , C07D207/44 , H01L51/0067 , H01L51/506 , H01L51/5092 , Y02E10/549
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft Imidazolderivate und deren Verwendung als Dotand zur Dotierung eines organischen halbleitenden Matrixmaterials, organische halbleitende Materialien und elektronische oder optoelektronische Bauelemente.
摘要翻译：本发明涉及咪唑衍生物和它们作为用于掺杂有机半导体基质材料，有机半导体材料和电子或光电器件的掺杂剂使用。

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