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1. 发明专利

SG11202109961RA AL BONDING WIRE 未知
公开(公告)号：SG11202109961RA
公开(公告)日：2021-10-28
申请号：SG11202109961R
申请日：2020-03-12
申请人： NIPPON MICROMETAL CORP , NIPPON STEEL CHEMICAL & MATERIAL CO LTD
发明人： YAMADA TAKASHI , NISHIBAYASHI AKIHITO , HAIBARA TERUO , ODA DAIZO , ETO MOTOKI , OYAMADA TETSUYA , KOBAYASHI TAKAYUKI , UNO TOMOHIRO
IPC分类号： H01L21/60
摘要： There is provided an Al bonding wire which can provide a sufficient bonding reliability of bonded parts of the bonding wire under a high temperature state where a semiconductor device using the Al bonding wire is operated. The bonding wire is composed of Al or Al alloy, and is characterized in that an average crystal grain size in a cross-section of a core wire in a direction perpendicular to a wire axis of the bonding wire is 0.01 to 50 µm, and when measuring crystal orientations on the cross-section of the core wire in the direction perpendicular to the wire axis of the bonding wire, a crystal orientation angled at 15 degrees or less to a wire longitudinal direction has a proportion of 30 to 90% among crystal orientations in the wire longitudinal direction.

2. 发明专利

SG11202007956YA CU ALLOY BONDING WIRE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE 未知
公开(公告)号：SG11202007956YA
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：SG11202007956Y
申请日：2019-09-20
申请人： NIPPON STEEL CHEMICAL & MATERIAL CO LTD , NIPPON MICROMETAL CORP
发明人： OYAMADA TETSUYA , UNO TOMOHIRO , YAMADA TAKASHI , ODA DAIZO
IPC分类号： H01L21/60 , C22C9/00 , C22C9/06
摘要： It is an object to provide a Cu alloy bonding wire for a semiconductor device that can satisfy required performance in high-density LSI applications. In the Cu alloy bonding wire for a semiconductor device according to the present invention, each of abundance ratios of crystal orientations , and having an angular difference of 15 degrees or less from a direction perpendicular to one plane including a wire center axis out of crystal orientations on a wire surface is 3% or more and less than 27% in average area percentage.

3. 发明专利

SG11202109960TA BONDING WIRE 未知
公开(公告)号：SG11202109960TA
公开(公告)日：2021-10-28
申请号：SG11202109960T
申请日：2020-03-12
申请人： NIPPON MICROMETAL CORP , NIPPON STEEL CHEMICAL & MATERIAL CO LTD
发明人： YAMADA TAKASHI , NISHIBAYASHI AKIHITO , HAIBARA TERUO , ODA DAIZO , ETO MOTOKI , OYAMADA TETSUYA , KOBAYASHI TAKAYUKI , UNO TOMOHIRO
IPC分类号： H01L21/60
摘要： There is provided a metal-coated Al bonding wire which can provide a sufficient bonding reliability of bonded parts of the bonding wire under a high temperature state where a semiconductor device using the metal-coated Al bonding wire is operated. The bonding wire includes a core wire of Al or Al alloy, and a coating layer of Ag, Au or an alloy containing them formed on the outer periphery of the core wire, and the bonding wire is characterized in that when measuring crystal orientations on a cross-section of the core wire in a direction perpendicular to a wire axis of the bonding wire, a crystal orientation angled at 15 degrees or less to a wire longitudinal direction has a proportion of 30 to 90% among crystal orientations in the wire longitudinal direction. Preferably, the surface roughness of the wire is 2 µm or less in terms of Rz.

4. 发明专利

SG11202001124YA Cu ALLOY BONDING WIRE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE 未知
公开(公告)号：SG11202001124YA
公开(公告)日：2020-03-30
申请号：SG11202001124Y
申请日：2018-08-07
申请人： NIPPON STEEL CHEMICAL & MATERIAL CO LTD , NIPPON MICROMETAL CORP
发明人： OYAMADA TETSUYA , UNO TOMOHIRO , YAMADA TAKASHI , ODA DAIZO
IPC分类号： H01L21/60
摘要： The present invention provides a bonding wire for a semiconductor device, where the bonding wire can inhibit wear of capillary. In a Cu alloy bonding wire for a semiconductor device, a total of abundance ratios of a crystal orientations and having an angular difference of 15 degrees or less from a direction perpendicular to one plane including a wire center axis is to crystal orientations on a wire surface 40% or more and 90% or less, in average area percentage.

5. 发明专利

SG11201811428WA BONDING WIRE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE 未知
公开(公告)号：SG11201811428WA
公开(公告)日：2019-01-30
申请号：SG11201811428W
申请日：2018-02-14
申请人： NIPPON STEEL CHEMICAL & MATERIAL CO LTD , NIPPON MICROMETAL CORP
发明人： OYAMADA TETSUYA , UNO TOMOHIRO , YAMADA TAKASHI , ODA DAIZO , ETO MOTOKI
IPC分类号： C22C9/00 , H01L21/60 , C22C9/06 , C22F1/00 , C22F1/08
摘要： BONDING WIRE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE The present invention provides a bonding wire for a semiconductor device suitable for cutting-edge high- density LSIs and on-vehicle LSIs by improving the formation rate of Cu-Al IMC in ball bonds. A bonding wire for a semiconductor device contains Pt of 0.1 mass% to 1.3 mass%, at least one dopant selected from a first dopant group consisting of In, Ga, and Ge, for a total of 0.05 mass% to 1.25 mass%, and a balance being made up of Cu and incidental impurities.

6. 发明专利

SG11202001066VA Cu ALLOY BONDING WIRE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE 未知
公开(公告)号：SG11202001066VA
公开(公告)日：2020-03-30
申请号：SG11202001066V
申请日：2018-08-07
申请人： NIPPON STEEL CHEMICAL & MATERIAL CO LTD , NIPPON MICROMETAL CORP
发明人： OYAMADA TETSUYA , UNO TOMOHIRO , YAMADA TAKASHI , ODA DAIZO
IPC分类号： H01L21/60
摘要： The present invention provides a Cu alloy bonding wire for a semiconductor device, where the bonding wire can satisfy requirements of high-density LSI applications. In the Cu alloy bonding wire for a semiconductor device, the abundance ratio of a crystal orientation having an angular difference of 15 degrees or less from a direction perpendicular to one plane including a wire center axis to crystal orientations on a wire surface is 25% or more and 70% or less in average area percentage.

7. 发明专利

PH12020500284A1 CU ALLOY BONDING WIRE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE 未知
公开(公告)号：PH12020500284A1
公开(公告)日：2021-01-25
申请号：PH12020500284
申请日：2020-02-07
申请人： NIPPON STEEL CHEMICAL AND MAT CO LTD , NIPPON MICROMETAL CORP
发明人： OYAMADA TETSUYA , UNO TOMOHIRO , YAMADA TAKASHI , ODA DAIZO;
IPC分类号： H01L21/60
摘要： Provided is a bonding wire for a semiconductor device that can suppress capillary wear. A Cu alloy bonding wire for a semiconductor device is characterized in that, among crystal orientations of a wire surface, the total of the abundance ratio of a [110] crystal orientation and a [111] crystal orientation in which the angle difference with respect to the direction perpendicular to one plane including the wire center axis is 15 degrees or less is 40 to 90 pcnt in terms of average area ratio.

8. 发明专利

DE112018000061T5 Bonddraht für Halbleiterbauelement 未知
公开(公告)号：DE112018000061T5
公开(公告)日：2019-03-14
申请号：DE112018000061
申请日：2018-02-14
申请人： NIPPON MICROMETAL CORP , NIPPON STEEL CHEMICAL & MAT CO LTD
发明人： OYAMADA TETSUYA , UNO TOMOHIRO , YAMADA TAKASHI , ODA DAIZO , ETO MOTOKI
IPC分类号： H01L23/49 , C22C9/00 , C22C9/06 , C22F1/00 , C22F1/08 , H01L21/60
摘要： Durch die vorliegende Erfindung wird ein Bonddraht für ein Halbleiterbauelement bereitgestellt, der für moderne LSIs mit hoher Dichte und für fahrzeugmontierte LSIs geeignet ist, indem die Ausbildungsrate einer Cu-Al-IMC in Ballbond-Verbindungen verbessert wird. Ein Bonddraht für ein Halbleiterbauelement enthält 0,1 Masse-% bis 1,3 Masse-% Pt, 0,05 Masse-% bis 1,25 Masse-% mindestens eines Dotierstoffs, der ausgewählt ist aus einer ersten Dotierstoffgruppe bestehend aus In, Ga und Ge, und einen Rest aus Cu und zufälligen Verunreinigungen.

9. 发明专利

DE112016005747B4 Bonddrähte für eine Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE112016005747B4
公开(公告)日：2022-05-05
申请号：DE112016005747
申请日：2016-06-24
申请人： NIPPON MICROMETAL CORP , NIPPON STEEL CHEMICAL & MAT CO LTD
发明人： OYAMADA TETSUYA , UNO TOMOHIRO , ODA DAIZO , YAMADA TAKASHI
IPC分类号： H01L23/49 , C22C9/00 , C22C9/04 , C22C9/06 , H01L21/60
摘要： Bonddraht für eine Halbleitervorrichtung, mit:einem Cu-Legierungskernmaterial;einer auf einer Oberfläche des Cu-Legierungskernmaterials ausgebildeten Pd-Überzugschicht; undeiner auf einer Oberfläche der Pd-Überzugschicht ausgebildeten Cu-Oberflächenschicht,wobei der Bonddraht Ni enthält, die Konzentration des Ni im Bonddraht 0,1 bis 1,2 Gew.-% beträgt, die Dicke der Pd-Überzugschicht 0,015 bis 0,150 µm beträgt und die Dicke der Cu-Oberflächenschicht 0,0005 bis 0,0070 µm beträgt, und die Cu-Konzentration in der Cu-Oberflächenschicht 3 Atom-% oder mehr und weniger als 50 Atom-% beträgt,wobei eine Grenze zwischen dem Cu-Legierungskernmaterial und der Pd-Überzugschicht basierend auf einer Pd-Konzentration bestimmt wird, ein Bereich mit einer Pd-Konzentration von weniger als 70 Atom-% als das Cu-Legierungskernmaterial bestimmt wird, während ein Bereich mit einer Pd-Konzentration von 70 Atom-% oder mehr als die Pd-Überzugschicht bestimmt wird, und eine Grenze zwischen der Pd-Überzugschicht und der Cu-Oberflächenschicht basierend auf der Cu-Konzentration bestimmt wird, ein Bereich mit einer Cu-Konzentration von weniger als 3 Atom-% als die Pd-Überzugschicht bestimmt wird, während ein Bereich mit der Cu-Konzentration von 3 Atom-% oder mehr als die Cu-Oberflächenschicht bestimmt wird.

10. 发明专利

DE112016005580T5 Bonddraht für Halbleiterbauelemente 未知
公开(公告)号：DE112016005580T5
公开(公告)日：2018-09-20
申请号：DE112016005580
申请日：2016-09-23
申请人： NIPPON MICROMETAL CORP , NIPPON STEEL & SUMIKIN MAT CO
发明人： ODA DAIZO , OHKABE TAKUMI , HAIBARA TERUO , YAMADA TAKASHI , OYAMADA TETSUYA , UNO TOMOHIRO
IPC分类号： H01L23/49 , H01L21/60
摘要： Die vorliegende Erfindung hat als ihre Aufgabe die Bereitstellung eines Bonddrahts für Halbleiterbauelemente, der hauptsächlich Ag umfasst, wobei bei diesem Bonddraht für Halbleiterbauelemente die Bondzuverlässigkeit, die für hochdichte Montierung gefordert wird, sichergestellt ist und gleichzeitig eine ausreichende, stabile Bond-Festigkeit an einem Ball-Bond verwirklicht wird, selbst bei einem niedrigen Loop kein Schaden an der Verjüngung auftritt, die Neigungseigenschaft ausgezeichnet ist und die FAB-Form ausgezeichnet ist.Um dieses Problem zu lösen, enthält der Bonddraht für Halbleiterbauelemente gemäß der vorliegenden Erfindung eines oder mehr aus Be, B, P, Ca, Y, La und Ce mit einer Gesamtmenge 0,031 At.-% bis 0,180 At.-%, enthält ferner eines oder mehr aus In, Ga und Cd mit einer Gesamtmenge von 0,05 At.-% bis 5,00 At.-% und weist einen Rest von Ag und unvermeidbaren Verunreinigungen auf. Auf Grund dessen ist es möglich, einen Bonddraht für Halbleiterbauelemente zu erhalten, der in ausreichender Weise eine Schicht von intermetallischer Verbindung an einer Ball-Bond-Grenzfläche bildet, um die Bond-Festigkeit des Ball-Bonds zu gewährleisten, der sogar bei einem niedrigen Loop keine Schäden an der Verjüngung verursacht, der eine gute Neigungseigenschaft aufweist und der eine gute FAB-Form aufweist.

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