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1. 发明公开

KR20180008245A 반도체 장치용 본딩 와이어 审中-公开
公开(公告)号：KR20180008245A
公开(公告)日：2018-01-24
申请号：KR20167029046
申请日：2015-07-22
申请人： NIPPON MICROMETAL CORP , NIPPON STEEL & SUMIKIN MAT CO
发明人： YAMADA TAKASHI , ODA DAIZO , HAIBARA TERUO , OISHI RYO , SAITO KAZUYUKI , UNO TOMOHIRO
IPC分类号： H01L23/00
CPC分类号： H01L24/45 , B23K35/0227 , B23K35/3013 , B23K35/302 , B23K2201/40 , C22C5/04 , C22C9/00 , C22C9/04 , C22C9/06 , H01L24/05 , H01L24/43 , H01L24/48 , H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/4312 , H01L2224/43125 , H01L2224/4321 , H01L2224/4382 , H01L2224/43848 , H01L2224/43986 , H01L2224/45 , H01L2224/45005 , H01L2224/45015 , H01L2224/45105 , H01L2224/45109 , H01L2224/45111 , H01L2224/45113 , H01L2224/45118 , H01L2224/4512 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/45169 , H01L2224/45173 , H01L2224/45178 , H01L2224/45541 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48227 , H01L2224/4845 , H01L2224/48463 , H01L2224/48824 , H01L2224/78 , H01L2224/78251 , H01L2224/85 , H01L2224/85065 , H01L2224/85075 , H01L2224/85203 , H01L2224/85444 , H01L2924/01005 , H01L2924/01012 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01034 , H01L2924/01052 , H01L2924/01057 , H01L2924/0665 , H01L2924/0705 , H01L2924/10253 , H01L2924/186 , H01L2924/01028 , H01L2924/0103 , H01L2924/01045 , H01L2924/01049 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01031 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01083 , H01L2924/01079 , H01L2924/01046 , H01L2924/01029 , H01L2924/01202 , H01L2924/01203 , H01L2924/01204 , H01L2924/00015 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/20752 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2924/013 , H01L2924/00013 , H01L2924/20105 , H01L2924/01001 , H01L2924/01007 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： Cu 합금코어재와그 표면에형성된 Pd 피복층을갖는반도체장치용본딩와이어에있어서, 175℃∼200℃의 HTS에서의볼 접합부의접합신뢰성향상과, 내력비(=최대내력/0.2% 내력): 1.1∼1.6의양립을도모한다. 와이어중에 Ni, Zn, Rh, In, Ir, Pt 중 1종이상을총계로 0.03∼2질량% 함유함으로써 HTS에서의볼 접합부의접합신뢰성을향상시키고, 또한본딩와이어의와이어축에수직방향인코어재단면에대해결정방위를측정한결과에있어서, 와이어길이방향의결정방위중, 와이어길이방향에대해각도차가 15도이하인결정방위 의방위비율을 50% 이상으로하고, 본딩와이어의와이어축에수직방향인코어재단면에있어서의평균결정입경을 0.9∼1.3㎛로함으로써, 내력비를 1.6 이하로한다.

2. 发明公开

KR20180029946A 반도체 장치용 본딩 와이어 审中-公开
标题翻译：半导体器件的接合线
公开(公告)号：KR20180029946A
公开(公告)日：2018-03-21
申请号：KR20177018735
申请日：2015-09-17
申请人： NIPPON MICROMETAL CORP , NIPPON STEEL & SUMIKIN MAT CO
发明人： ODA DAIZO , ETO MOTOKI , SAITO KAZUYUKI , HAIBARA TERUO , OISHI RYO , YAMADA TAKASHI , UNO TOMOHIRO
IPC分类号： H01L23/00 , H01L21/48 , H01L23/495
CPC分类号： H01L24/45 , C22C5/04 , C22C9/00 , H01L24/43 , H01L2224/05624 , H01L2224/4312 , H01L2224/43125 , H01L2224/43825 , H01L2224/43826 , H01L2224/43827 , H01L2224/43848 , H01L2224/43986 , H01L2224/45015 , H01L2224/45105 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48465 , H01L2224/48507 , H01L2224/48824 , H01L2224/85045 , H01L2224/85065 , H01L2224/85075 , H01L2224/85439 , H01L2924/00011 , H01L2924/10253 , H01L2924/1576 , H01L2924/181 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/00014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01005 , H01L2924/01015 , H01L2924/01012 , H01L2924/01029 , H01L2924/00012 , H01L2224/4321 , H01L2924/01202 , H01L2924/01203 , H01L2924/01204 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/20752 , H01L2924/013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01007 , H01L2924/01001 , H01L2924/00013 , H01L2224/45639 , H01L2224/45669 , H01L2224/45655 , H01L2224/45657 , H01L2224/45671 , H01L2924/01004 , H01L2924/01046 , H01L2924/01033
摘要： 표면에 Pd 피복층을갖는 Cu 본딩와이어에있어서, 고온고습환경에서의볼 접합부의접합신뢰성을개선하고, 차량탑재용디바이스에적합한본딩와이어를제공한다. Cu 합금코어재와, 상기 Cu 합금코어재의표면에형성된 Pd 피복층을갖는반도체장치용본딩와이어에있어서, 본딩와이어가 Ga, Ge을합계로 0.011 내지 1.2질량% 포함한다. 이에의해, 고온고습환경하에서의볼 접합부의접합수명을향상시켜, 접합신뢰성을개선할수 있다. Pd 피복층의두께가 0.015 내지 0.150㎛이면바람직하다. 본딩와이어가 Ni, Ir, Pt의 1종이상을각각 0.011 내지 1.2질량% 더함유하면, 175℃이상의고온환경에서의볼 접합부신뢰성을향상시킬수 있다. 또한, Pd 피복층의표면에 Au과 Pd을더 포함하는합금표피층을형성하면웨지접합성이개선된다.
摘要翻译：本发明提供一种在表面具有Pd被覆层的Cu接合线，提高球接合部在高温高湿环境下的接合可靠性，适用于车载装置。本发明的半导体装置用接合线具备Cu合金芯材和形成在该Cu合金芯材的表面上的Pd被覆层，该接合线总计含有0.011〜1.2质量％的Ga和Ge。由此，能够提高球接合部在高温高湿环境下的接合寿命，提高接合可靠性。 Pd涂层的厚度优选为0.015〜0.150μm。当接合线还含有一种或多种Ni，Ir和Pt元素，其量为每种元素为0.011至1.2质量％时，可以提高球接合部分在高温下的可靠性环境温度在175°C或更高。当在Pd涂层的表面上进一步形成含有Au和Pd的合金表层时，楔形键合性提高。

3. 发明专利

SG10201705029XA BONDING WIRE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE 未知
公开(公告)号：SG10201705029XA
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：SG10201705029X
申请日：2015-09-17
申请人： NIPPON MICROMETAL CORP , NIPPON STEEL & SUMIKIN MAT CO
发明人： ODA DAIZO , ETO MOTOKI , SAITO KAZUYUKI , HAIBARA TERUO , OISHI RYO , YAMADA TAKASHI , UNO TOMOHIRO
摘要： There is provided a Cu bonding wire having a Pd coating layer on a surface thereof, that improves bonding reliability of a ball bonded part in a high-temperature, high-humidity environment and is suitable for on-vehicle devices. The bonding wire for a semiconductor device includes a Cu alloy core material and a Pd coating layer formed on a surface of the Cu alloy core material, and the bonding wire contains Ga and Ge of 0.011 to 1.2% by mass in total. With this configuration, it is able to increase bonding longevity of the ball bonded part in the high-temperature, high-humidity environment, and thus to improve the bonding reliability. The thickness of the Pd coating layer is preferably 0.015 to 0.150 µm. When the bonding wire further contains one or more elements of Ni, Ir, and Pt in an amount, for each element, of 0.011 to 1.2% by mass, it is able to improve the reliability of the ball bonded part in a high-temperature environment at 175°C or more. When an alloy skin layer containing Au and Pd is further formed on a surface of the Pd coating layer, wedge bondability improves.

4. 发明专利

SG11201606185QA BONDING WIRE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE 未知
公开(公告)号：SG11201606185QA
公开(公告)日：2017-02-27
申请号：SG11201606185Q
申请日：2015-12-28
申请人： NIPPON MICROMETAL CORP , NIPPON STEEL & SUMIKIN MAT CO
发明人： YAMADA TAKASHI , ODA DAIZO , OISHI RYO , UNO TOMOHIRO
IPC分类号： H01L21/60
摘要： There is provided a bonding wire for a semiconductor device including a coating layer having Pd as a main component on a surface of a Cu alloy core material and a skin alloy layer containing Au and Pd on a surface of the coating layer, the bonding wire further improving 2nd bondability on a Pd-plated lead frame and achieving excellent ball bondability even in a high-humidity heating condition. The bonding wire for a semiconductor device including the coating layer having Pd as a main component on the surface of the Cu alloy core material and the skin alloy layer containing Au and Pd on the surface of the coating layer has a Cu concentration of 1 to 10 at% at an outermost surface thereof and has the core material containing either or both of Pd and Pt in a total amount of 0.1 to 3.0% by mass, thereby achieving improvement in the 2nd bondability and excellent ball bondability in the high-humidity heating condition. Furthermore, a maximum concentration of Au in the skin alloy layer is preferably 15 at% to 75 at%.

5. 发明专利

SG11201604432SA BONDING WIRE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE 未知
公开(公告)号：SG11201604432SA
公开(公告)日：2017-01-27
申请号：SG11201604432S
申请日：2015-07-22
申请人： NIPPON MICROMETAL CORP , NIPPON STEEL & SUMIKIN MAT CO
发明人： YAMADA TAKASHI , ODA DAIZO , HAIBARA TERUO , OISHI RYO , SAITO KAZUYUKI , UNO TOMOHIRO
IPC分类号： H01L21/60
摘要： There is provided a bonding wire for a semiconductor device, the bonding wire including a Cu alloy core material and a Pd coating layer formed on a surface thereof, achieving simultaneously improvement in bonding reliability of a ball bonded part in high temperature and an strength ratio (= ultimate strength/0.2% offset yield strength) of 1.1 to 1.6. Containing an element that provides bonding reliability in a high-temperature environment improves the bonding reliability of the ball bonded part in high temperature. Furthermore, making an orientation proportion of a crystal orientation angled at 15 degrees or less to a wire longitudinal direction among crystal orientations in the wire longitudinal direction 30% or more when measuring crystal orientations on a cross-section of the core material in a direction perpendicular to a wire axis of the bonding wire, and making an average crystal grain size in the cross-section of the core material in the direction perpendicular to the wire axis of the bonding wire 0.9 to 1.5 µm provides a strength ratio of 1.6 or less.

6. 发明专利

SG11201604378VA BONDING WIRE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE 未知
公开(公告)号：SG11201604378VA
公开(公告)日：2016-12-29
申请号：SG11201604378V
申请日：2015-09-18
申请人： NIPPON MICROMETAL CORP , NIPPON STEEL & SUMIKIN MAT CO
发明人： HAIBARA TERUO , UNO TOMOHIRO , ODA DAIZO , YAMADA TAKASHI
IPC分类号： H01L21/60
摘要： There is provided a Cu bonding wire having a Pd coating layer on a surface thereof, that improves bonding reliability of a ball bonded part in a high-temperature and high-humidity environment and is suitable for on-vehicle devices. The bonding wire for a semiconductor device includes a Cu alloy core material and a Pd coating layer formed on a surface thereof, and the boding wire contains one or more elements of As, Te, Sn, Sb, Bi and Se in a total amount of 0.1 to 100 ppm by mass. With this configuration, it is able to increase the bonding longevity of a ball bonded part in a high-temperature and high-humidity environment, and thus to improve the bonding reliability. When the Cu alloy core material further contains one or more of Ni, Zn, Rh, In, Ir, Pt, Ga and Ge in an amount, for each, of 0.011 to 1.2% by mass, it is able to increase the reliability of a ball bonded part in a high-temperature environment of 170°C or more. When an alloy skin layer containing Au and Pd is further formed on a surface of the Pd coating layer, wedge bondability improves.

7. 发明专利

SG10201401960RA SEMICONDUCTOR DEVICE BONDING WIRE 未知
公开(公告)号：SG10201401960RA
公开(公告)日：2014-06-27
申请号：SG10201401960R
申请日：2008-07-24
申请人： NIPPON STEEL & SUMIKIN MAT CO , NIPPON MICROMETAL CORP
发明人： UNO TOMOHIRO , KIMURA KEIICHI , TERASHIMA SHINICHI , YAMADA TAKASHI , NISHIBAYASHI AKIHITO
摘要： It is an object of the present invention to provide a copper-based bonding wire whose material cost is low, having excellent ball bondability, reliability in a heat cycle test or reflow test, and storage life, enabling an application to thinning of a wire used for fine pitch connection. The bonding wire includes a core material having copper as a main component and an outer layer which is provided on the core material and contains at least one of palladium and gold, and copper . The outer layer is 0.021 to 0.12µm in thickness.

8. 发明专利

DE112016005580T5 Bonddraht für Halbleiterbauelemente 未知
公开(公告)号：DE112016005580T5
公开(公告)日：2018-09-20
申请号：DE112016005580
申请日：2016-09-23
申请人： NIPPON MICROMETAL CORP , NIPPON STEEL & SUMIKIN MAT CO
发明人： ODA DAIZO , OHKABE TAKUMI , HAIBARA TERUO , YAMADA TAKASHI , OYAMADA TETSUYA , UNO TOMOHIRO
IPC分类号： H01L23/49 , H01L21/60
摘要： Die vorliegende Erfindung hat als ihre Aufgabe die Bereitstellung eines Bonddrahts für Halbleiterbauelemente, der hauptsächlich Ag umfasst, wobei bei diesem Bonddraht für Halbleiterbauelemente die Bondzuverlässigkeit, die für hochdichte Montierung gefordert wird, sichergestellt ist und gleichzeitig eine ausreichende, stabile Bond-Festigkeit an einem Ball-Bond verwirklicht wird, selbst bei einem niedrigen Loop kein Schaden an der Verjüngung auftritt, die Neigungseigenschaft ausgezeichnet ist und die FAB-Form ausgezeichnet ist.Um dieses Problem zu lösen, enthält der Bonddraht für Halbleiterbauelemente gemäß der vorliegenden Erfindung eines oder mehr aus Be, B, P, Ca, Y, La und Ce mit einer Gesamtmenge 0,031 At.-% bis 0,180 At.-%, enthält ferner eines oder mehr aus In, Ga und Cd mit einer Gesamtmenge von 0,05 At.-% bis 5,00 At.-% und weist einen Rest von Ag und unvermeidbaren Verunreinigungen auf. Auf Grund dessen ist es möglich, einen Bonddraht für Halbleiterbauelemente zu erhalten, der in ausreichender Weise eine Schicht von intermetallischer Verbindung an einer Ball-Bond-Grenzfläche bildet, um die Bond-Festigkeit des Ball-Bonds zu gewährleisten, der sogar bei einem niedrigen Loop keine Schäden an der Verjüngung verursacht, der eine gute Neigungseigenschaft aufweist und der eine gute FAB-Form aufweist.

9. 发明专利

DE112016000133T5 Bonddraht für Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE112016000133T5
公开(公告)日：2017-08-17
申请号：DE112016000133
申请日：2016-05-19
申请人： NIPPON MICROMETAL CORP , NIPPON STEEL & SUMIKIN MAT CO
发明人： YAMADA TAKASHI , ODA DAIZO , HAIBARA TERUO , OISHI RYO , UNO TOMOHIRO , SAITO KAZUYUKI
IPC分类号： H01L21/60
摘要： Bereitgestellt wird ein Bonddraht für eine Halbleitervorrichtung, wobei der Bonddraht ein Cu-Legierungskernmaterial und eine auf einer Oberfläche davon gebildete Pd-Überzugschicht aufweist und Verbesserung der Bondzuverlässigkeit eines Kugelbondteils bei hoher Temperatur sowie gleichzeitig ein Festigkeitsverhältnis (= Bruchfestigkeit/0,2-%-Fließfestigkeit) von 1,1 bis 1,6 erreicht. Indem er ein Element enthält, das für Bondzuverlässigkeit in einer Umgebung mit hoher Temperatur sorgt, ist die Bondzuverlässigkeit des Kugelbondteils bei hoher Temperatur verbessert. Indem außerdem bewirkt wird, dass ein Orientierungsanteil einer Kristallorientierung im Winkel von höchstens 15 Grad zu einer Drahtlängsrichtung unter Kristallorientierungen in Drahtlängsrichtung mindestens 30% bei Messung von Kristallorientierungen auf einem Querschnitt des Kernmaterials in senkrechter Richtung zu einer Drahtachse des Bonddrahts beträgt, und indem bewirkt wird, dass eine mittlere Kristallkorngröße im Querschnitt des Kernmaterials in senkrechter Richtung zur Drahtachse des Bonddrahts 0,9 bis 1,5 μm beträgt, ist für ein Festigkeitsverhältnis von höchstens 1,6 gesorgt.

10. 发明专利

DE112015004422T5 Bonddraht für Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE112015004422T5
公开(公告)日：2017-08-10
申请号：DE112015004422
申请日：2015-07-22
申请人： NIPPON MICROMETAL CORP , NIPPON STEEL & SUMIKIN MAT CO
发明人： ODA DAIZO , HAIBARA TERUO , SAITO KAZUYUKI , UNO TOMOHIRO , YAMADA TAKASHI , OISHI RYO
IPC分类号： H01L21/60
摘要： Es wird ein Bonddraht für eine Halbleitervorrichtung bereitgestellt, wobei der Bonddraht ein Cu-Legierungskernmaterial und eine Pd-Überzugschicht, die auf einer Oberfläche davon ausgebildet ist, aufweist, der gleichzeitig eine Verbesserung der Verbindungszuverlässigkeit eines kugelgebondeten Teils im HTS bei 175°C bis 200°C und ein Streckgrenzenverhältnis (= maximale Streckgrenze/0,2%-Versatzstreckgrenze) von 1,1 bis 1,6 erreicht. Das Aufweisen von einem oder mehreren Elementen aus Ni, Zn, Rh, In, Ir und Pt in dem Draht in einer Gesamtmenge von 0,03 bis 2 Massen-% verbessert die Verbindungszuverlässigkeit des kugelgebondeten Teils im HTS, und außerdem wird ein Streckgrenzenverhältnis von 1,6 oder weniger bereitgestellt, indem ein Orientierungsanteil einer Kristallorientierung mit 15 Grad oder weniger zu einer Drahtlängsrichtung an Kristallorientierungen in der Drahtlängsrichtung zu 50% oder mehr gemacht wird, wenn Kristallorientierungen auf einem Querschnitt des Kernmaterials in einer Richtung senkrecht zu einer Drahtachse des Bonddrahts gemessen werden, und indem eine mittlere Kristallkorngröße in dem Querschnitt des Kernmaterials in der Richtung senkrecht zu der Drahtachse des Bonddrahts zu 0,9 bis 1,3 μm gemacht wird.

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