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1. 发明专利

TW200917356A 處理基板之裝置及處理基板之方法审中-公开
简体标题：处理基板之设备及处理基板之方法
公开(公告)号：TW200917356A
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：TW097148157
申请日：2004-09-15
申请人： NEC液晶科技股份有限公司 NEC LCD TECHNOLOGIES, LTD.
发明人：城戶秀作 SHUSAKU KIDO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67028 , H01L21/0274 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L21/67173
摘要：一種用於處理基板之裝置,包括:一基板載具、一施加化學品單元、以及一顯影單元,其中基板載具用於傳送該基板,施加化學品單元用於施加化學品於基板,而顯影單元用於顯影基板。
简体摘要：一种用于处理基板之设备,包括:一基板载具、一施加化学品单元、以及一显影单元,其中基板载具用于发送该基板,施加化学品单元用于施加化学品于基板,而显影单元用于显影基板。

2. 发明专利

TWI260677B 處理基板之方法及用於該方法之化學品 METHOD OF PROCESSING SUBSTRATE AND CHEMICAL USED IN THE SAME 有权
简体标题：处理基板之方法及用于该方法之化学品 METHOD OF PROCESSING SUBSTRATE AND CHEMICAL USED IN THE SAME
公开(公告)号：TWI260677B
公开(公告)日：2006-08-21
申请号：TW093127741
申请日：2004-09-14
申请人： NEC液晶科技股份有限公司 NEC LCD TECHNOLOGIES, LTD.
发明人：城戶秀作 SHUSAKU KIDO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C07C239/10 , C07D213/04 , G03F7/40 , G03F7/425 , H01L21/02063 , H01L21/02071 , H01L21/0273 , H01L21/31133 , H01L21/31138 , H01L21/32138 , H01L21/67161 , H01L21/67207
摘要：一種處理基板上之有機薄膜圖案的方法，包括：一移除步驟，以移除該有機薄膜圖案上的一變質層；以及一融合/變形步驟，以將該有機薄膜圖案融合變形。其中，該移除步驟至少部分是利用一化學品處理該有機薄膜圖案來實現。
简体摘要：一种处理基板上之有机薄膜图案的方法，包括：一移除步骤，以移除该有机薄膜图案上的一变质层；以及一融合/变形步骤，以将该有机薄膜图案融合变形。其中，该移除步骤至少部分是利用一化学品处理该有机薄膜图案来实现。

3. 发明专利

TWI313030B 處理基板之裝置及處理基板之方法 APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE AND METHOD OF DOING THE SAME 有权
简体标题：处理基板之设备及处理基板之方法 APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE AND METHOD OF DOING THE SAME
公开(公告)号：TWI313030B
公开(公告)日：2009-08-01
申请号：TW093127850
申请日：2004-09-15
申请人： NEC液晶科技股份有限公司 NEC LCD TECHNOLOGIES, LTD.
发明人：城戶秀作 SHUSAKU KIDO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67028 , H01L21/0274 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L21/67173
摘要：一種用於處理基板之裝置,包括:一基板載具、一施加化學品單元、以及一顯影單元,其中基板載具用於傳送該基板,施加化學品單元用於施加化學品於基板,而顯影單元用於顯影基板。
简体摘要：一种用于处理基板之设备,包括:一基板载具、一施加化学品单元、以及一显影单元,其中基板载具用于发送该基板,施加化学品单元用于施加化学品于基板,而显影单元用于显影基板。

4. 发明专利

TW200813212A 化學溶液及使用該溶液處理基板之方法 CHEMICAL SOLUTION, AND METHOD OF PROCESSING SUBSTRATE THROUGH THE USE OF THE SAME 失效
简体标题：化学溶液及使用该溶液处理基板之方法 CHEMICAL SOLUTION, AND METHOD OF PROCESSING SUBSTRATE THROUGH THE USE OF THE SAME
公开(公告)号：TW200813212A
公开(公告)日：2008-03-16
申请号：TW096131459
申请日：2007-08-24
申请人： NEC液晶科技股份有限公司 NEC LCD TECHNOLOGIES, LTD. , 長瀨化成股份有限公司 NAGASE CHEMTEX CORPORATION
发明人：城戶秀作 SHUSAKU KIDO , 鈴木聖二 SEIJI SUZUKI , 安江秀 HIDEKUNI YASUE , 西佳孝 YOSHITAKA NISHIZIMA
IPC分类号： C11D , G03F , H01L
摘要：揭露用以至少去除於基板之有機薄膜圖案表面上形成的阻隔層,阻隔層至少包括因有機薄膜圖案表面變化而形成之變形層,與沉積物沉積於有機薄膜圖案表面而形成之沉積層之一,化學溶液包含至少具有羥基胺衍生物衍生物之一的第一成分水溶液,以及具顯影功能之第二成分。
简体摘要：揭露用以至少去除于基板之有机薄膜图案表面上形成的阻隔层,阻隔层至少包括因有机薄膜图案表面变化而形成之变形层,与沉积物沉积于有机薄膜图案表面而形成之沉积层之一,化学溶液包含至少具有羟基胺衍生物衍生物之一的第一成分水溶液,以及具显影功能之第二成分。

5. 发明专利

TW200734450A 化學液 CHEMICAL SOLUTION 审中-公开
简体标题：化学液 CHEMICAL SOLUTION
公开(公告)号：TW200734450A
公开(公告)日：2007-09-16
申请号：TW096110538
申请日：2005-04-11
申请人： NEC液晶科技股份有限公司 NEC LCD TECHNOLOGIES, LTD.
发明人：城戶秀作 SHUSAKU KIDO
IPC分类号： C11D , H01L
CPC分类号： H01L21/0273 , H01L21/32139 , H01L21/67063
摘要： (問題點)為提供一種新的蝕刻方法,此方法可準確控制且調整被蝕刻基膜圖案的斜角,並避免在利用有機罩幕蝕刻基膜時使有機罩幕的剝離,但調節過的有機罩幕雖然在其中間部分對基膜具有足夠的附著强度,但在其周圍部分的附著强度卻太小。(解決此問題的方法)藉由有機圖案與有機溶劑的接觸,可降低基膜與位於有機圖案周圍的有機溶劑滲入部分底部間的附著强度,之後,藉由執行一熱處理,來調整此附著强度,以形成周圍之附著强度已調整過的有機圖案,再利用此有機圖案作為一罩幕,進行等向性蝕刻,如此即可使被蝕刻基膜準確達到所欲之角度,此外,尚可利用一熱處理來控制附著强度,以調整被蝕刻基膜的斜角。
简体摘要： (问题点)为提供一种新的蚀刻方法,此方法可准确控制且调整被蚀刻基膜图案的斜角,并避免在利用有机罩幕蚀刻基膜时使有机罩幕的剥离,但调节过的有机罩幕虽然在其中间部分对基膜具有足够的附着强度,但在其周围部分的附着强度却太小。(解决此问题的方法)借由有机图案与有机溶剂的接触,可降低基膜与位于有机图案周围的有机溶剂渗入部分底部间的附着强度,之后,借由运行一热处理,来调整此附着强度,以形成周围之附着强度已调整过的有机图案,再利用此有机图案作为一罩幕,进行等向性蚀刻,如此即可使被蚀刻基膜准确达到所欲之角度,此外,尚可利用一热处理来控制附着强度,以调整被蚀刻基膜的斜角。

6. 发明专利

TW200616012A 基板處理方法及使用於該方法之藥液(一) METHOD OF PROCESSING SUBSTRATE AND CHEMICAL USED IN THE SAME (1) 审中-公开
简体标题：基板处理方法及使用于该方法之药液(一) METHOD OF PROCESSING SUBSTRATE AND CHEMICAL USED IN THE SAME (1)
公开(公告)号：TW200616012A
公开(公告)日：2006-05-16
申请号：TW094107697
申请日：2005-03-14
申请人： NEC液晶科技股份有限公司 NEC LCD TECHNOLOGIES, LTD.
发明人：城戶秀作 SHUSAKU KIDO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G03F7/40
摘要：一種形成在基板上之有機薄膜圖形的處理方法，依序包含：一加熱步驟(S00)，係加熱該有機薄膜圖案；以及一主要步驟(S12，S13)，係收縮至少一部份該有機薄膜圖形或移除一部份該有機薄膜圖形。
简体摘要：一种形成在基板上之有机薄膜图形的处理方法，依序包含：一加热步骤(S00)，系加热该有机薄膜图案；以及一主要步骤(S12，S13)，系收缩至少一部份该有机薄膜图形或移除一部份该有机薄膜图形。

7. 发明专利

TW200522158A 處理基板之裝置及處理基板之方法 APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE AND METHOD OF DOING THE SAME 审中-公开
简体标题：处理基板之设备及处理基板之方法 APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE AND METHOD OF DOING THE SAME
公开(公告)号：TW200522158A
公开(公告)日：2005-07-01
申请号：TW093127850
申请日：2004-09-15
申请人： NEC液晶科技股份有限公司 NEC LCD TECHNOLOGIES, LTD.
发明人：城戶秀作 SHUSAKU KIDO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67028 , H01L21/0274 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L21/67173
摘要：一種用於處理基板之裝置，包括：一基板載具、一施加化學品單元、以及一顯影單元，其中基板載具用於傳送該基板，施加化學品單元用於施加化學品於基板，而顯影單元用於顯影基板。
简体摘要：一种用于处理基板之设备，包括：一基板载具、一施加化学品单元、以及一显影单元，其中基板载具用于发送该基板，施加化学品单元用于施加化学品于基板，而显影单元用于显影基板。

8. 发明专利

TW200919092A 圖案成形製程 PROCESS FOR FORMING PATTERN 审中-公开
简体标题：图案成形制程 PROCESS FOR FORMING PATTERN
公开(公告)号：TW200919092A
公开(公告)日：2009-05-01
申请号：TW097148507
申请日：2002-02-21
申请人： NEC液晶科技股份有限公司 NEC LCD TECHNOLOGIES, LTD.
发明人：城戶秀作 SHUSAKU KIDO
IPC分类号： G03F , G02F , H01L
CPC分类号： H01L27/1288 , G02F1/13458 , G02F1/136286 , G02F2001/136236 , G03F7/095 , H01L21/0274 , H01L21/31138 , H01L27/1214 , H01L29/66765
摘要：一只經由一道微影步驟所形成之感光膜圖案,其在欲蝕刻之膜上使用照射不同的光亮度,而形成具有不同的膜厚度,且蝕刻欲蝕刻之膜兩次,以使用不同膜厚度的感光膜圖案,在其中形成複數個圖案,因而降低整個製造製程的數目。在此例中,在蝕刻並移除感光膜外之薄感光膜時,感光膜圖案外之厚感光膜的上層已修正成幾乎不受乾蝕刻影響的氧化矽膜,且因此厚感光膜可維持幾乎等於厚感光膜在蝕刻薄感光膜前的平面形狀,因此蝕刻欲蝕刻之膜,藉由使用氧化矽膜當作遮罩,而具有幾乎等於設計圖案之圖案。
简体摘要：一只经由一道微影步骤所形成之感光膜图案,其在欲蚀刻之膜上使用照射不同的光亮度,而形成具有不同的膜厚度,且蚀刻欲蚀刻之膜两次,以使用不同膜厚度的感光膜图案,在其中形成复数个图案,因而降低整个制造制程的数目。在此例中,在蚀刻并移除感光膜外之薄感光膜时,感光膜图案外之厚感光膜的上层已修正成几乎不受干蚀刻影响的氧化硅膜,且因此厚感光膜可维持几乎等于厚感光膜在蚀刻薄感光膜前的平面形状,因此蚀刻欲蚀刻之膜,借由使用氧化硅膜当作遮罩,而具有几乎等于设计图案之图案。

9. 发明专利

TWI299513B 基板處理方法及使用於該方法之藥液(一) METHOD OF PROCESSING SUBSTRATE AND CHEMICAL USED IN THE SAME (1) 有权
简体标题：基板处理方法及使用于该方法之药液(一) METHOD OF PROCESSING SUBSTRATE AND CHEMICAL USED IN THE SAME (1)
公开(公告)号：TWI299513B
公开(公告)日：2008-08-01
申请号：TW095124473
申请日：2005-03-14
申请人： NEC液晶科技股份有限公司 NEC LCD TECHNOLOGIES, LTD.
发明人：城戶秀作 SHUSAKU KIDO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G03F7/40
摘要：一種形成在基板上之有機薄膜圖形的處理方法,依序
包含:一加熱步驟(S00),係加熱該有機薄膜圖案;以及
一主要步驟(S12,S13),係收縮至少一部份該有機薄膜
圖形或移除一部份該有機薄膜圖形。
简体摘要：一种形成在基板上之有机薄膜图形的处理方法,依序包含:一加热步骤(S00),系加热该有机薄膜图案;以及一主要步骤(S12,S13),系收缩至少一部份该有机薄膜图形或移除一部份该有机薄膜图形。

10. 发明专利

TW200710944A 基板處理方法及使用於該方法之藥液(一) METHOD OF PROCESSING SUBSTRATE AND CHEMICAL USED IN THE SAME (一) 审中-公开
简体标题：基板处理方法及使用于该方法之药液(一) METHOD OF PROCESSING SUBSTRATE AND CHEMICAL USED IN THE SAME (一)
公开(公告)号：TW200710944A
公开(公告)日：2007-03-16
申请号：TW095124473
申请日：2005-03-14
申请人： NEC液晶科技股份有限公司 NEC LCD TECHNOLOGIES, LTD.
发明人：城戶秀作 SHUSAKU KIDO
IPC分类号： H01L , G03F
CPC分类号： G03F7/40
摘要：一種形成在基板上之有機薄膜圖形的處理方法,依序包含:一加熱步驟(S00),係加熱該有機薄膜圖案;以及一主要步驟(S12,S13),係收縮至少一部份該有機薄膜圖形或移除一部份該有機薄膜圖形。
简体摘要：一种形成在基板上之有机薄膜图形的处理方法,依序包含:一加热步骤(S00),系加热该有机薄膜图案;以及一主要步骤(S12,S13),系收缩至少一部份该有机薄膜图形或移除一部份该有机薄膜图形。

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