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    • 2. 发明授权
      US07314797B2 Semiconductor device and its manufacturing method 失效
    • Semiconductor device and its manufacturing method
    • 半导体器件及其制造方法
    • US07314797B2
    • 2008-01-01
    • US11206124
    • 2005-08-18
    • Moriya Iwai , Masaaki Yoshida , Hiroaki Nakanishi
    • Moriya Iwai , Masaaki Yoshida , Hiroaki Nakanishi
    • H01L21/336
    • H01L27/11526 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L27/11534 , H01L27/11558 , H01L29/42324 , H01L29/7883
    • A semiconductor device is capable of being applied with both a positive and a negative voltage to its control gate, and writing to its memory requires a low voltage. A control gate is formed on a memory unit region of a field oxide film, and an inter-layer silicon oxide film is formed on its surface. A gate oxide film for a non-volatile memory is formed on a P substrate between N type diffusion layers. The floating gate is formed on the inter-layer silicon oxide film, the field oxide film, and the gate oxide film for the non-volatile memory. Since a large coupling ratio between the control gate and the floating gate is available on the field oxide film, memory rewriting requires only a low voltage. Further, since the control gate is formed by a poly silicon film, both a positive voltage and a negative voltage can be applied to the control gate.
    • 半导体器件能够向其控制栅极施加正电压和负电压，并且对其存储器的写入需要低电压。 在场氧化膜的存储单元区域上形成控制栅极，在其表面上形成层间氧化硅膜。 在N型扩散层之间的P基板上形成用于非易失性存储器的栅极氧化膜。 浮动栅极形成在层间氧化硅膜，场氧化膜和用于非易失性存储器的栅极氧化物膜上。 由于控制栅极和浮置栅极之间的大的耦合比可用于场氧化物膜，存储器重写仅需要低电压。 此外，由于控制栅极由多晶硅膜形成，所以可以向控制栅极施加正电压和负电压。
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    • 6. 发明授权
      US07335557B2 Semiconductor device of non-volatile memory 有权
    • Semiconductor device of non-volatile memory
    • 非易失性存储器半导体器件
    • US07335557B2
    • 2008-02-26
    • US11185006
    • 2005-07-20
    • Masaaki Yoshida , Hiroaki Nakanishi
    • Masaaki Yoshida , Hiroaki Nakanishi
    • H01L21/336 , H01L21/8238
    • H01L27/11521 , H01L27/115 , H01L27/11524 , H01L29/42328 , H01L29/66825 , H01L29/7883
    • A non-volatile memory semiconductor device includes a first insulation layer, two diffusion regions, a memory gate oxide layer, a first control gate, a second insulation layer, a floating gate of polysilicon, a third insulation layer and a second control gate. The first insulation layer is formed on a semiconductor substrate. The two diffusion regions are formed on a surface of the substrate. The memory gate oxide layer is formed over the two diffusion regions on the substrate. The first control gate including a diffusion region is formed on the surface of the substrate. The second insulation layer is formed on the first control gate. The floating gate of polysilicon is formed over the memory gate oxide layer, the first insulation layer, and the second insulation layer. The third insulation layer is formed on the floating gate. The second control gate is disposed on the floating gate.
    • 非易失性存储器半导体器件包括第一绝缘层，两个扩散区，存储栅极氧化层，第一控制栅极，第二绝缘层，多晶硅浮置栅极，第三绝缘层和第二控制栅极。 第一绝缘层形成在半导体衬底上。 两个扩散区形成在基板的表面上。 存储栅极氧化层形成在衬底上的两个扩散区上。 包括扩散区域的第一控制栅极形成在基板的表面上。 第二绝缘层形成在第一控制栅极上。 多晶硅的浮栅形成在存储栅极氧化物层，第一绝缘层和第二绝缘层上。 第三绝缘层形成在浮动栅上。 第二控制栅极设置在浮动栅极上。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 7. 发明授权
      US06952035B2 Semiconductor device of non-volatile memory 失效
    • Semiconductor device of non-volatile memory
    • 非易失性存储器半导体器件
    • US06952035B2
    • 2005-10-04
    • US10703449
    • 2003-11-10
    • Masaaki Yoshida , Hiroaki Nakanishi
    • Masaaki Yoshida , Hiroaki Nakanishi
    • H01L21/336 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/423 , H01L29/788 , H01L29/792
    • H01L27/11521 , H01L27/115 , H01L27/11524 , H01L29/42328 , H01L29/66825 , H01L29/7883
    • A non-volatile memory semiconductor device includes a first insulation layer, two diffusion regions, a memory gate oxide layer, a first control gate, a second insulation layer, a floating gate of polysilicon, a third insulation layer and a second control gate. The first insulation layer is formed on a semiconductor substrate. The two diffusion regions are formed on a surface of the substrate. The memory gate oxide layer is formed over the two diffusion regions on the substrate. The first control gate including a diffusion region is formed on the surface of the substrate. The second insulation layer is formed on the first control gate. The floating gate of polysilicon is formed over the memory gate oxide layer, the first insulation layer, and the second insulation layer. The third insulation layer is formed on the floating gate. The second control gate is disposed on the floating gate.
    • 非易失性存储器半导体器件包括第一绝缘层，两个扩散区域，存储栅极氧化物层，第一控制栅极，第二绝缘层，多晶硅浮置栅极，第三绝缘层和第二控制栅极。 第一绝缘层形成在半导体衬底上。 两个扩散区形成在基板的表面上。 存储栅极氧化层形成在衬底上的两个扩散区上。 包括扩散区域的第一控制栅极形成在基板的表面上。 第二绝缘层形成在第一控制栅极上。 多晶硅的浮栅形成在存储栅极氧化物层，第一绝缘层和第二绝缘层上。 第三绝缘层形成在浮动栅上。 第二控制栅极设置在浮动栅极上。
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    • 8. 发明申请
      US20050258473A1 Semiconductor device of non- volatile memory 有权
    • Semiconductor device of non- volatile memory
    • 非易失性存储器半导体器件
    • US20050258473A1
    • 2005-11-24
    • US11185006
    • 2005-07-20
    • Masaaki Yoshida , Hiroaki Nakanishi
    • Masaaki Yoshida , Hiroaki Nakanishi
    • H01L21/336 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/423 , H01L29/788 , H01L29/792
    • H01L27/11521 , H01L27/115 , H01L27/11524 , H01L29/42328 , H01L29/66825 , H01L29/7883
    • A non-volatile memory semiconductor device includes a first insulation layer, two diffusion regions, a memory gate oxide layer, a first control gate, a second insulation layer, a floating gate of polysilicon, a third insulation layer and a second control gate. The first insulation layer is formed on a semiconductor substrate. The two diffusion regions are formed on a surface of the substrate. The memory gate oxide layer is formed over the two diffusion regions on the substrate. The first control gate including a diffusion region is formed on the surface of the substrate. The second insulation layer is formed on the first control gate. The floating gate of polysilicon is formed over the memory gate oxide layer, the first insulation layer, and the second insulation layer. The third insulation layer is formed on the floating gate. The second control gate is disposed on the floating gate.
    • 非易失性存储器半导体器件包括第一绝缘层，两个扩散区域，存储栅极氧化物层，第一控制栅极，第二绝缘层，多晶硅浮置栅极，第三绝缘层和第二控制栅极。 第一绝缘层形成在半导体衬底上。 两个扩散区形成在基板的表面上。 存储栅极氧化层形成在衬底上的两个扩散区上。 包括扩散区域的第一控制栅极形成在基板的表面上。 第二绝缘层形成在第一控制栅极上。 多晶硅的浮栅形成在存储栅极氧化物层，第一绝缘层和第二绝缘层上。 第三绝缘层形成在浮动栅上。 第二控制栅极设置在浮动栅极上。
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