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1. 外观设计

USD655262S1 Side wall for reactor for manufacturing semiconductor 有权
标题翻译：用于制造半导体的反应堆的侧壁
公开(公告)号：USD655262S1
公开(公告)日：2012-03-06
申请号：US29389569
申请日：2011-04-13
申请人： Manabu Honma , Katsuyuki Hishiya
设计人： Manabu Honma , Katsuyuki Hishiya

2. 外观设计

USD655261S1 Gas-separating plate for reactor for manufacturing semiconductor 有权
公开(公告)号：USD655261S1
公开(公告)日：2012-03-06
申请号：US29389566
申请日：2011-04-13
申请人： Manabu Honma , Katsuyuki Hishiya
设计人： Manabu Honma , Katsuyuki Hishiya

3. 外观设计

USD655260S1 Gas-separating plate for reactor for manufacturing semiconductor 有权
公开(公告)号：USD655260S1
公开(公告)日：2012-03-06
申请号：US29389564
申请日：2011-04-13
申请人： Manabu Honma , Katsuyuki Hishiya
设计人： Manabu Honma , Katsuyuki Hishiya

4. 外观设计

USD654882S1 Gas-separating plate for reactor for manufacturing semiconductor 有权
标题翻译：用于制造半导体的反应堆用气体分离板
公开(公告)号：USD654882S1
公开(公告)日：2012-02-28
申请号：US29389555
申请日：2011-04-13
申请人： Manabu Honma , Katsuyuki Hishiya
设计人： Manabu Honma , Katsuyuki Hishiya

5. 外观设计

USD655258S1 Side wall for reactor for manufacturing semiconductor 有权
公开(公告)号：USD655258S1
公开(公告)日：2012-03-06
申请号：US29389557
申请日：2011-04-13
申请人： Manabu Honma , Katsuyuki Hishiya
设计人： Manabu Honma , Katsuyuki Hishiya

6. 外观设计

USD655257S1 Top plate for reactor for manufacturing semiconductor 有权
标题翻译：用于制造半导体的反应堆的顶板
公开(公告)号：USD655257S1
公开(公告)日：2012-03-06
申请号：US29389553
申请日：2011-04-13
申请人： Manabu Honma , Katsuyuki Hishiya
设计人： Manabu Honma , Katsuyuki Hishiya

7. 外观设计

USD654884S1 Top plate for reactor for manufacturing semiconductor 有权
公开(公告)号：USD654884S1
公开(公告)日：2012-02-28
申请号：US29389562
申请日：2011-04-13
申请人： Manabu Honma , Katsuyuki Hishiya
设计人： Manabu Honma , Katsuyuki Hishiya

8. 外观设计

USD654883S1 Top plate for reactor for manufacturing semiconductor 有权
公开(公告)号：USD654883S1
公开(公告)日：2012-02-28
申请号：US29389558
申请日：2011-04-13
申请人： Manabu Honma , Katsuyuki Hishiya
设计人： Manabu Honma , Katsuyuki Hishiya

9. 发明申请

US20120094011A1 FILM DEPOSITION APPARATUS AND FILM DEPOSITION METHOD 审中-公开
标题翻译：膜沉积装置和膜沉积方法
公开(公告)号：US20120094011A1
公开(公告)日：2012-04-19
申请号：US13270288
申请日：2011-10-11
申请人： Katsuyuki HISHIYA , Manabu Honma , Tsuneyuki Okabe
发明人： Katsuyuki HISHIYA , Manabu Honma , Tsuneyuki Okabe
IPC分类号： C23C16/52
CPC分类号： C23C16/40 , C23C16/45548
摘要： A film deposition apparatus includes a partitioning member that forms, in a chamber, a film deposition space including a turntable on which a substrate is placed, a first reactive gas supplying portion for supplying a first reactive gas toward the turntable, and a second reactive gas supplying portion for supplying a second reactive gas toward the turntable. The partitioning member is fabricated with material superior to material forming the chamber in corrosion resistance. The film deposition apparatus includes a pressure measurement portion that measures a pressure of the film deposition space, and a pressure measurement portion that measures a pressure of a space outside the film deposition space, so that the pressure of the space outside the film deposition space is kept slightly higher than the pressure of the film deposition space based on the pressure measurements.
摘要翻译：一种成膜装置包括：分隔构件，其在腔室中形成包括其上放置基板的转盘的成膜空间，用于向转台供应第一反应气体的第一反应气体供给部分和第二反应气体供应部分，用于向转台提供第二反应气体。分隔件采用优于耐腐蚀性形成室的材料制成。膜沉积设备包括测量成膜空间的压力的压力测量部分和测量膜沉积空间外部的空间的压力的压力测量部分，使得膜沉积空间外部的空间的压力为基于压力测量保持略高于膜沉积空间的压力。

10. 外观设计

USD655259S1 Top plate for reactor for manufacturing semiconductor 有权
公开(公告)号：USD655259S1
公开(公告)日：2012-03-06
申请号：US29389563
申请日：2011-04-13
申请人： Manabu Honma , Katsuyuki Hishiya
设计人： Manabu Honma , Katsuyuki Hishiya

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