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    • 4. 发明申请
    • ANORDNUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HOCHREINEN KRISTALLEN
    • 安排和方法生产高纯晶体
    • WO2009138055A1
    • 2009-11-19
    • PCT/DE2009/000603
    • 2009-04-29
    • HAPILA GMBHGRAWE, DetlefEILERS, RobertGLIESING, Sabine
    • GRAWE, DetlefEILERS, RobertGLIESING, Sabine
    • B01D9/00
    • B01D9/0022B01D9/004B01D9/0059B01D9/0063
    • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Anordnung und ein Verfahren zur Herstellung von hochreinen Kristallen, bspw. von thermisch sensiblen pharmazeutischen Wirkstoffen, im Gegenstromkristallisationsprozess. Die Aufgabe der Erfindung, eine Anordnung und ein Verfahren zur Herstellung von hochreinen Kristallen, insbesondere von thermisch sensiblen pharmazeutischen Wirkstoffen, im Gegenstromkristallisationsprozess anzugeben, welche die Nachteile des Standes der Technik nicht aufweisen, wird dadurch gelöst, dass die Anordnung eine Vielzahl von Kristallisatoren (R0 bis Rn, wobei n ganzzahlig und ≥ 2 ist), n Mutterlaugenleitungen (11 bis 1n) mit je einem Absperrventil und n+1 Kristallisatleitungen (20 bis 2n) mit je einem Absperrventil umfasst, wobei ein Mutterlaugenfluss generierbar ist, der von einem Kristallisator zu dem übernächsten Kristallisator in Richtung abnehmender Reinheit gerichtet ist, und ein Kristallisatfluss generierbar ist, der von einem gelösten, vor der Kristallisation stehenden Kristallisat in den nächsten Kristallisator in Richtung höherer Reinheit gerichtet ist.
    • 本发明涉及一种装置和一种用于制造高纯度的晶体,例如方法。热敏活性药物成分的,在逆流结晶过程。 本发明的目的是提供一种装置和一种用于制备高纯度的晶体的方法,特别是热敏感的活性药物成分以提供逆流其不具有现有技术的缺点是这样解决的结晶过程的多个结晶器的布置(R0 至Rn,其中n是整数,为2,(11至1n)(每个具有截止阀,和n + 1 Kristallisatleitungen包括)N母液线20至2n),每个具有一个截止阀,其特征在于,能够产生母液流,成为一个结晶器的 下一但有结晶器被定向在降低纯度的方向,和一个Kristallisatfluss产生,其由溶解属性结晶晶体之前引导到更高纯度的方向的下一个结晶器中。