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1. 发明专利

FR2647276A1 LASER A SEMICONDUCTEURS 未知
公开(公告)号：FR2647276A1
公开(公告)日：1990-11-23
申请号：FR9006375
申请日：1990-05-22
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP , MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： YUJI ABE , ABE YUJI , HIROSHI SUGIMOTO , SUGIMOTO HIROSHI , KENICHI OHTSUKA , OHTSUKA KENICHI , TOSHIYUKI OISHI , OISHI TOSHIYUKI , TERUHITO MATSUI , MATSUI TERUHITO
IPC分类号： H01S5/12 , H01S5/00 , H01S3/19
摘要： Un laser à semiconducteurs comprend un substrat semiconducteur 1, une couche de réseau de diffraction 2a formée par croissance sur le substrat et consistant en un matériau ayant une bande d'énergie interdite inférieure à celle du substrat, des sillons à bandes parallèles de période prédéterminée qui atteignent le substrat et sont formés sur la totalité de la surface de la couche de réseau de diffraction 2a, une couche de barrière 4 ayant la même composition que le substrat, une couche active 5 ayant une bande d'énergie interdite inférieure à celle de la couche de réseau de diffraction, et un réseau de diffraction qui est constitué par la partie restante de la couche de réseau de diffraction.

2. 发明专利

FR2647276B1 未知
公开(公告)号：FR2647276B1
公开(公告)日：1995-04-21
申请号：FR9006375
申请日：1990-05-22
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： YUJI ABE , HIROSHI SUGIMOTO , KENICHI OHTSUKA , TOSHIYUKI OISHI , TERUHITO MATSUI
IPC分类号： H01S5/00 , H01S5/12 , H01S3/19
摘要： A semiconductor laser device includes an active layer, a first semiconductor layer having a larger energy band gap than the active layer, a diffraction grating layer having a larger energy band gap than the active layer and a smaller energy band gap than the first semiconductor layer, and a second semiconductor layer having the same composition as the first semiconductor layer, successively grown on the active layer, parallel stripe grooves of predetermined period reaching the first semiconductor layer produced at the entire surface of the grown layers, a cladding layer having the same composition as the first semiconductor layer which is re-grown thereon, and a diffraction grating constituted by the remainder of the diffraction grating layer. The coupling coefficient of the light is determined by the film thickness of a layer produced between the active layer and the diffraction grating layer, and the amplitude of the diffraction grating is determined by the layer thickness of the diffraction grating layer. Therefore, the coupling coefficient can be set at a design value at high precision and at high reproducibility.

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