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1. 发明专利

DE112014006630T5 Siliziumcarbidhalbleiterbauteil 未知
公开(公告)号：DE112014006630T5
公开(公告)日：2017-02-09
申请号：DE112014006630
申请日：2014-12-15
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： KOYAMA AKIHIRO , KOKETSU HIDENORI , NAGAE AKEMI , KAWAHARA KOTARO , WATANABE HIROSHI , TAGUCHI KENSUKE , HINO SHIRO , EBIHARA KOHEI
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/47 , H01L29/78
摘要： Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Siliziumcarbidhalbleiterbauteil bereitzustellen, bei dem das elektrische Feld zum Schaltzeitpunkt entspannt ist und die Elementstehspannung gesteigert werden kann. Ein Siliziumcarbidhalbleiterbauteil 100 umfasst eine Feldisolierschicht 3, die auf der Oberfläche eines Siliziumcarbidsubstrats 1 ausgebildet ist, eine erste Flächenelektrode 4, die dazu gebracht wird, auf der auszubildenden Feldisolierschicht 3 zu verlaufen, eine zweite Flächenelektrode 5, welche die erste Flächenelektrode 4 abdeckt und sich über das äußere Umfangsende der ersten Flächenelektrode 4 hinaus auf die Feldisolierschicht 3 erstreckt, und eine anschlussendseitige Wannenzone 2 eines zweiten Leitfähigkeitstyps, die sich mehr zur äußeren Umfangsseite erstreckt als das äußere Umfangsende der zweiten Flächenelektrode 5 im Siliziumcarbidsubstrat 1, und der Abstand zwischen dem äußeren Umfangsende der zweiten Flächenelektrode 5 und dem inneren Umfangsende der Feldisolierschicht 3 zu dem Zeitpunkt kleiner ist als der Abstand zwischen einem äußeren Umfangsende der zweiten Flächenelektrode 5 und einem inneren Umfangsende der Feldisolierschicht 3, zu dem die Stärke des elektrischen Felds, das am äußeren umfänglichen unteren Ende der zweiten Flächenelektrode 5 anliegt, gleich der kleineren dielektrischen Durchbruchfestigkeit von dielektrischen Durchbruchfestigkeiten eines Isoliermaterials, das die Feldisolierschicht 3 bildet, und eines Isoliermaterials wird, das eine Oberflächenschutzschicht 6 bildet.

2. 发明专利

DE112020000853T5 Leistungshalbleiterbauelement und Stromrichtervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE112020000853T5
公开(公告)日：2021-11-11
申请号：DE112020000853
申请日：2020-02-05
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： NAKATA KAZUNARI , TAGUCHI KENSUKE
IPC分类号： H01L23/29 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L29/06 , H01L29/41 , H02M1/00
摘要： Eine Leistungshalbleiterkomponente (101) weist einen Anschlussbereich (RT), der eine Ecke (CN) umfasst, und innerhalb des Anschlussbereichs (RT) einen Komponentenbereich (RE) auf. Ein SiC-Substrat (10) erstreckt sich über den Komponentenbereich (RE) und den Anschlussbereich (RT). Eine isolierende Zwischenschicht (52) besitzt auf dem SiC-Substrat (10) im Anschlussbereich (RT) eine Außenkante (B1). Eine Sourceelektrode (21) kontaktiert das SiC-Substrat (10) im Komponentenbereich (RE) und weist im Anschlussbereich (RT) auf der isolierenden Zwischenschicht (52) eine Außenkante (B3) auf. Eine isolierende Schutzschicht (60) bedeckt die Außenkante (B1) der isolierenden Zwischenschicht (52) und die Außenkante (B3) der Sourceelektrode (21) und weist auf der Sourceelektrode (21) eine Innenkante (B2) auf. An der Ecke (CN) des Anschlussbereichs (RT) weist die Außenkante (B1) der isolierenden Zwischenschicht (52) einen Krümmungsradius (R1) und die Innenkante (B2) der isolierenden Schutzschicht (60) einen Krümmungsradius (R2) auf. Der Krümmungsradius (R2) ist größer als der Krümmungsradius (R1).

3. 发明专利

DE102014208306B4 Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE102014208306B4
公开(公告)日：2021-06-17
申请号：DE102014208306
申请日：2014-05-02
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： KAMIBABA RYU , TAGUCHI KENSUKE
IPC分类号： H01L29/06
摘要： Halbleitervorrichtung mit einem Abschlussbereich (21), der so vorgesehen ist, dass er einen Elementbereich (20) in der Draufsicht umgibt, wobei der Abschlussbereich (21) einen geraden Abschnitt (22, 23) und einen Eckenabschnitt (24) aufweist, wobei die Halbleitervorrichtung im Abschlussbereich (21) Folgendes umfasst:einen Durchbruchspannungshaltebereich (7), der in einer vorbestimmten Tiefenrichtung von einer Oberfläche (9) eines Substrats (1) eines ersten Leitfähigkeitstyps ausgebildet ist, wobei der Durchbruchspannungshaltebereich (7) ein Störstellenbereich mit niedriger Konzentration von einem zweiten Leitfähigkeitstyp ist;einen ersten Isolationsfilm (10) auf dem Substrat (1), wobei der erste Isolationsfilm (10) so ausgebildet ist, dass er zumindest den Durchbruchspannungshaltebereich (7) bedeckt;eine erste Feldplatte (11), die auf dem ersten Isolationsfilm (10) ausgebildet ist;einen zweiten Isolationsfilm (12), der so ausgebildet ist, dass er die gesamte erste Feldplatte (11) und die gesamte obere Oberfläche des ersten Isolationsfilms (10) bedeckt; undeine zweite Feldplatte (13), die auf dem zweiten Isolationsfilm (12) ausgebildet ist,dadurch gekennzeichnet, dass der erste Isolationsfilm (10) direkt unter der zweiten Feldplatte (13) im Eckenabschnitt (24) dicker ist als im geraden Abschnitt (22, 23).

4. 发明专利

DE102020114810A1 Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE102020114810A1
公开(公告)日：2020-12-17
申请号：DE102020114810
申请日：2020-06-04
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： MATSUNO YOSHINORI , TAKAKI YASUSHI , TAGUCHI KENSUKE , MIYAZAKI KOSUKE
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/872
摘要： Eine Halbleitervorrichtung umfasst eine Isolierschicht, die auf einer Seite eines Abschlussbereichs auf einer ersten Störstellenschicht und einer zweiten Störstellenschicht vorgesehen ist, eine metallisierte Schicht, die auf der ersten Störstellenschicht und der zweiten Störstellenschicht, die von der Isolierschicht freigelegt sind, und auf der Isolierschicht vorgesehen ist, und eine Elektrode, die auf der metallisierten Schicht vorgesehen ist. Eine Position eines ersten Endes der metallisierten Schicht auf der Seite des Abschlussbereichs und eine Position eines zweiten Endes der Elektrode auf der Seite des Abschlussbereichs sind in einer Draufsicht gleich.

5. 发明专利

DE112015004374B4 HALBLEITERVORRICHTUNG 未知
公开(公告)号：DE112015004374B4
公开(公告)日：2019-02-14
申请号：DE112015004374
申请日：2015-09-09
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： FUKUI YUTAKA , KAGAWA YASUHIRO , TAGUCHI KENSUKE , FUJIWARA NOBUO , SUGAWARA KATSUTOSHI , TANAKA RINA
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/161 , H01L29/739
摘要： Halbleitervorrichtung, die Folgendes aufweist:- eine Driftschicht (3) eines ersten Leitfähigkeitstyps;- einen Wannenbereich (4) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, der in einer Oberflächenschicht der Driftschicht (3) in einem Zellenbereich (30) gebildet ist;- einen ersten Dotierstoffbereich (5) des ersten Leitfähigkeitstyps, der in einer Oberflächenschicht des Wannenbereichs (4) partiell gebildet ist;- einen Gate-Graben (6), der den Wannenbereich (4) von einer Oberfläche des ersten Dotierstoffbereichs (5) bis zum Erreichen eines inneren Teils der Driftschicht (3) durchsetzt;- einen äußeren Graben (6a), der außenseitig von dem Zellenbereich (30) sowie in der Driftschicht (3) gebildet ist;- eine Gate-Elektrode (8), die durch eine Gate-Isolierschicht (7) hindurch im Inneren des Gate-Grabens (6) gebildet ist;- eine Gateleitung (20), die durch eine Isolierschicht (22) hindurch im Inneren des äußeren Grabens (6a) gebildet ist; und- einen Gateleitungs-Führungsbereich (14), der durch die Isolierschicht (22) hindurch derart gebildet ist, dass er eine näher bei dem Zellenbereich (30) befindliche Ecke an einem offenen Ende des äußeren Grabens (6a) bedeckt, wobei der Gateleitungs-Führungsbereich (14) die Gate-Elektrode (8) mit der Gateleitung (20) elektrisch verbindet,wobei es sich bei dem ersten Leitfähigkeitstyp um n-Leitfähigkeit handelt und bei dem zweiten Leitfähigkeitstyp um p-Leitfähigkeit handelt, wobei die Oberflächenschicht der Driftschicht (3), die mit der Ecke in Kontakt steht, einen zweiten Dotierstoffbereich (25) des zweiten Leitfähigkeitstyps aufweist,wobei es sich bei dem zweiten Dotierstoffbereich (25) um einen Teil des Wannenbereichs (4) handelt, undwobei die Distanz in dem Zellenbereich (30) von einer Seitenfläche des Gate-Grabens (6) in einer äußersten umfangsmäßigen Zelle (31b) des Zellenbereichs (30) bis zu einer näher bei dem Zellenbereich (30) befindlichen Seitenfläche des äußeren Grabens (6a) kürzer ist als die Zellenbeabstandung von Zelleneinheiten (31a), die innenseitig von der äußersten umfangsmäßigen Zelle (31b) angeordnet sind.

6. 发明专利

DE112019002203T5 HALBLEITEREINHEIT UND LEISTUNGSWANDLER 未知
公开(公告)号：DE112019002203T5
公开(公告)日：2021-01-07
申请号：DE112019002203
申请日：2019-04-26
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： YOKOGAWA MASAHIRO , TAGUCHI KENSUKE
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/312 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L29/739 , H02M7/48
摘要： Eine erste Elektrodenschicht (91) ist mit einem Source-Bereich (4) eines Halbleitersubstrats (50) elektrisch verbunden und ist über einer Hauptoberfläche (S2) des Halbleitersubstrats (50) angeordnet. Eine zweite Elektrodenschicht (92) ist mit einer Gate-Elektrode (6) elektrisch verbunden und ist über der Hauptoberfläche (S2) des Halbleitersubstrats (50) angeordnet. Eine dritte Elektrodenschicht (93) ist über der Hauptoberfläche (S2) des Halbleitersubstrats (50) entfernt von der ersten Elektrodenschicht (91) angeordnet. Eine dielektrische Schutzschicht (20) ist über der Hauptoberfläche (S2) angeordnet, bedeckt lediglich einen Bereich von jeder von der ersten Elektrodenschicht (91) und der zweiten Elektrodenschicht (92) und bedeckt zumindest einen Bereich der dritten Elektrodenschicht (93) und besteht aus einem wärmehärtenden Harz. Die Hauptoberfläche (S2) weist einen peripheren Bereich (RA) und einen inneren Bereich (RB) auf, der durch den peripheren Bereich (RA) eingeschlossen ist, und die dielektrische Schutzschicht (20) weist einen peripheren Bereich (29) auf, der den peripheren Bereich (RA) bedeckt, und weist einen ersten inneren Bereich (21) auf, der den inneren Bereich (RB) kreuzt und zumindest einen Bereich der dritten Elektrodenschicht (93) bedeckt.

7. 发明专利

DE102019216654A1 Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung und Leistungsumwandlungseinrichtung 未知
公开(公告)号：DE102019216654A1
公开(公告)日：2020-05-07
申请号：DE102019216654
申请日：2019-10-29
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： ISHIBASHI KAZUYA , NARAZAKI ATSUSHI , KAGAWA YASUHIRO , TAGUCHI KENSUKE
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/161 , H02M1/00
摘要： Eine Driftschicht (21) enthält Störstellen eines ersten Leitfähigkeitstyps. Ein Wannenbereich (22) enthält Störstellen eines zweiten Leitfähigkeitstyps. Ein Sourcebereich (23) ist auf dem Wannenbereich (22) vorgesehen und enthält die Störstellen eines ersten Leitfähigkeitstyps. Ein Wannenkontaktbereich (24) ist mit dem Wannenbereich (22) in Kontakt, enthält die Störstellen eines zweiten Leitfähigkeitstyps und weist eine Störstellenkonzentration auf der zweiten Oberfläche auf, die höher als die Störstellenkonzentration auf der zweiten Oberfläche im Wannenbereich (22) ist. Eine Gateelektrode (42) ist auf einem Gate-Isolierfilm (41) vorgesehen. Eine Schottky-Elektrode (51) ist mit der Driftschicht (21) in Kontakt. Eine ohmsche Sourceelektrode (52) ist mit dem Sourcebereich (23) in Kontakt. Ein Widerstand (53) ist mit dem Wannenkontaktbereich (24) in Kontakt und hat einen höheren Widerstandswert pro Einheitsfläche als die ohmsche Sourceelektrode (52).

8. 发明专利

DE112016006160T5 Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE112016006160T5
公开(公告)日：2018-09-20
申请号：DE112016006160
申请日：2016-01-05
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： TADOKORO CHIHIRO , TAGUCHI KENSUKE
IPC分类号： H01L29/872
摘要： Ein Siliziumcarbidsubstrat (50) ist mit einer ersten Oberfläche (S1) und einer der ersten Oberfläche (S1) gegenüberliegenden zweiten Oberfläche (S2) versehen. Das Siliziumcarbidsubstrat (50) enthält einen Bereich (10) vom n-Typ, der die erste Oberfläche (S1) und die zweite Oberfläche (S2) verbindet, und einen Bereich (20) vom p-Typ, der mit ersten Oberfläche (S1) in Kontakt steht und die erste Oberfläche (S1) und die zweite Oberfläche (S2) verbindet. Eine erste Anodenelektrode (32) ist auf der ersten Oberfläche (S1) mit dem Bereich (10) vom n-Typ Schottky-verbunden. Eine erste Kathodenelektrode (31) ist auf der zweiten Oberfläche (S2) mit dem Bereich (10) vom n-Typ ohmsch verbunden. Eine zweite Anodenelektrode (41) ist auf der ersten Oberfläche (S1) mit dem Bereich (20) vom p-Typ ohmsch verbunden. Eine zweite Kathodenelektrode (42) ist auf der zweiten Oberfläche (S2) mit dem Bereich (20) vom p-Typ Schottky-verbunden.

9. 发明专利

DE112019001359T5 HALBLEITEREINHEIT UND LEISTUNGSWANDLEREINHEIT 未知
公开(公告)号：DE112019001359T5
公开(公告)日：2020-12-03
申请号：DE112019001359
申请日：2019-02-19
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： NAKATA KAZUNARI , TAGUCHI KENSUKE
IPC分类号： H01L29/417 , C23C18/16 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/161 , H01L29/78
摘要： Auch wenn aufgrund einer Energiezuführung oder eines Schaltvorgangs Spannungen anliegen, kann ein Verbindungszustand von Elektrodenschichten adäquat aufrechterhalten werden. Eine Halbleitereinheit weist Folgendes auf: eine Halbleiterschicht mit einem ersten Leitfähigkeitstyp, eine obere Oberflächenstruktur, die auf einer Oberflächenschicht der Halbleiterschicht ausgebildet ist, sowie eine obere Oberflächenelektrode, die über der oberen Oberflächenstruktur ausgebildet ist. Die obere Oberflächenelektrode weist eine erste Elektrode auf, die auf einer oberen Oberfläche der Halbleiterschicht ausgebildet ist, und sie weist eine zweite Elektrode auf, die über einer oberen Oberfläche der ersten Elektrode ausgebildet ist. Der erste konkave Bereich ist auf der oberen Oberfläche der ersten Elektrode ausgebildet. Eine seitliche Oberfläche des ersten konkaven Bereichs weist eine sich verjüngende Gestalt auf. Die zweite Elektrode ist über der oberen Oberfläche der ersten Elektrode einschließlich des Inneren des ersten konkaven Bereichs ausgebildet.

10. 发明专利

DE102019219688A1 Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben 未知
公开(公告)号：DE102019219688A1
公开(公告)日：2020-06-25
申请号：DE102019219688
申请日：2019-12-16
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： TERASHIMA TOMOHIDE , KAGAWA YASUHIRO , TAGUCHI KENSUKE
IPC分类号： H01L23/62 , H01L21/336 , H01L29/78
摘要： Es wird eine Technik geschaffen zum Unterdrücken des Betriebs eines parasitären Transistors in einer Halbleitervorrichtung mit einer Spannungs-Abfühlstruktur. Die Halbleitervorrichtung umfasst: eine Halbleiterschicht (2); einen ersten Störstellenbereich (3A); einen zweiten Störstellenbereich (3B); einen ersten Halbleiterbereich (4A); einen zweiten Halbleiterbereich (4B); eine erste Elektrode (6); eine zweite Elektrode (S1); und eine dritte Elektrode (S2). Der zweite Störstellenbereich enthält einen Bereich (1000) mit geringer Lebensdauer zumindest unter dem zweiten Halbleiterbereich. Der Bereich mit geringer Lebensdauer ist ein Bereich, der eine höhere Defektdichte als diejenige in einer Oberflächenschicht des zweiten Störstellenbereichs aufweist, oder ein Bereich, in welchem ein schweres Metall diffundiert ist.

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