专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

DE112011103782T5 Halbleiterelement, Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterelemts 未知
公开(公告)号：DE112011103782T5
公开(公告)日：2013-08-22
申请号：DE112011103782
申请日：2011-04-18
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： OHTSU KENJI , YAMADA AKIRA , KUROIWA TAKEHARU , TARUTANI MASAYOSHI , KUSUNOKI TAKU
IPC分类号： H01L21/58 , H01L21/28
摘要： Es wird ein Halbleiterelement mit einer Elektrode angegeben, wobei das Halbleiterelement und eine Metall-Nanopartikel aufweisende gesinterte Schicht in stabiler Weise für eine ausreichend lange Zeitdauer haftend miteinander verbunden sind, selbst wenn das Halbleiterelement bei einer hohen Temperatur, insbesondere einer Temperatur von 175°C oder mehr, betrieben wird. Das Halbleiterelement besitzt eine Elektrode, die folgendes aufweist: eine Nickel enthaltende Metallschicht (4), die auf einer Seite von mindestens einer Oberfläche des Halbleiterelement-Ausbildungsteils gebildet ist; eine Nickelbarrieren-Metallschicht (5), die an einer Außenseite der Nickel enthaltenden Metallschicht (4) gegenüber von der Seite zu dem Halbleiterelement-Ausbildungsteil hin gebildet ist; und eine Oberflächen-Metallschicht (6), die an einer Außenseite der Nickelbarrieren-Metallschicht (5) gegenüber von der Seite zu dem Halbleiterelement-Ausbildungsteil hin gebildet ist und mit der Metall-Nanopartikel gesinterten Schicht (9) zu verbinden ist; dabei enthält die Nickelbarrieren-Metallschicht (5) ein Metall zum Unterdrücken der Diffusion von Nickel in Richtung auf die Oberflächen-Metallschicht (6).

2. 发明专利

DE112011103782B4 Halbleiterelement, Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterelements 未知
公开(公告)号：DE112011103782B4
公开(公告)日：2019-05-09
申请号：DE112011103782
申请日：2011-04-18
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： OHTSU KENJI , KUSUNOKI TAKU , YAMADA AKIRA , KUROIWA TAKEHARU , TARUTANI MASAYOSHI
IPC分类号： H01L29/45 , H01L21/28 , H01L21/58 , H01L29/161 , H01L29/201
摘要： Halbleiterelement (1), das über eine Metall-Nanopartikel enthaltende gesinterte Schicht (9) an einer Montageplatte (15) anzubringen ist und eine Elektrode besitzt, wobei die Elektrode Folgendes aufweist:- eine Nickel enthaltende Metallschicht (4), die Nickel enthält und auf einer Seite mindestens einer Oberfläche eines Halbleiterelement-Ausbildungsteils des Halbleiterelements (1) gebildet ist;- eine Nickelbarrieren-Metallschicht (5), die an einer Außenseite der Nickel enthaltenden Metallschicht (4) gegenüber von der Seite zu dem Halbleiterelement-Ausbildungsteil hin gebildet ist; und- eine Oberflächen-Metallschicht (6), die an einer Außenseite der Nickelbarrieren-Metallschicht (5) gegenüber von der Seite zu dem Halbleiterelement-Ausbildungsteil hin gebildet ist und mit der Metall-Nanopartikel enthaltenden gesinterten Schicht (9) zu verbinden ist; wobei die Nickelbarrieren-Metallschicht (5) Kupfer enthält, das zum Unterdrücken einer Diffusion des Nickels in Richtung auf die Oberflächen-Metallschicht (6) dient.

3. 发明专利

DE102006035661B4 Magnetfelderfassungsvorrichtung und Verfahren zu deren Einstellung 未知
公开(公告)号：DE102006035661B4
公开(公告)日：2014-09-04
申请号：DE102006035661
申请日：2006-07-31
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： FURUKAWA TAISUKE , KOBAYASHI HIROSHI , TAKENAGA TAKASHI , KUROIWA TAKEHARU , BEYSEN SADEH , TAKI MASAKAZU
IPC分类号： G01R33/09 , G11B5/00 , H01L43/08
摘要： Magnetfelderfassungsvorrichtung, die Folgendes umfasst: ein Magnetwiderstandseffektelement (2) mit einer ersten ferromagnetischen Schicht (12) und einer zweiten ferromagnetischen Schicht (16), die mit einer dazwischenliegenden ersten nichtmagnetischen Schicht (14, 15) aufeinandergesetzt sind; und eine Erfassungsschaltung (6), um ein externes Magnetfeld, das an das Magnetwiderstandseffektelement (2) angelegt wird, auf Grundlage des Widerstandswerts des Magnetwiderstandseffektelements (2) zu erfassen, wobei die Magnetisierungsrichtung der ersten ferromagnetischen Schicht (12) ungeachtet des externen Magnetfelds feststeht, sich die Magnetisierungsrichtung der zweiten ferromagnetischen Schicht (16) mit dem externen Magnetfeld ändert, sich das Magnetwiderstandseffektelement (2) im Widerstandswert in Übereinstimmung mit der Korrelation zwischen den Magnetisierungsrichtungen der ersten und zweiten ferromagnetischen Schicht ändert, die Magnetfelderfassungsvorrichtung darüber hinaus eine Vormagnetisiereinheit (4) umfasst, um ein Vormagnetisierungsfeld, das eine magnetische Feldkomponente senkrecht zur Magnetisierungsrichtung der ersten ferromagnetischen Schicht aufweist, an das Magnetwiderstandseffektelement anzulegen und eine Kennlinie des Widerstandswerts des Magnetwiderstandseffektelements (2) auf das externe Magnetfeld abzuändern, und die Erfassungsschaltung (6) konfiguriert ist, um das externe magnetische Feld zu detektieren, basierend auf dem Widerstandswert des Magnetwiderstandseffektelements (2) und einer Erfassungsempfindlichkeit in Abhängigkeit von dem Wert der magnetischen Feldkomponente senkrecht auf die Magnetisierungsrichtung der ersten ferromagnetischen Schicht.

4. 发明专利

DE102006024722A1 未知
公开(公告)号：DE102006024722A1
公开(公告)日：2007-04-12
申请号：DE102006024722
申请日：2006-05-26
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： FURUKAWA TAISUKE , KOBAYASHI HIROSHI , TAKENAGA TAKASHI , KUROIWA TAKEHARU , SADEH BEYSEN , TAKI MASAKAZU
IPC分类号： G01R33/09 , H01L43/08
摘要： A magnetic field detector includes: a magnet; a detecting magnetic resistance element having a layer structure containing a ferromagnetic layer, the resistance being changed when a direction of magnetization of the ferromagnetic layer is changed; and a reference magnetic resistance element having substantially the same layer structure as that of the detecting magnetic resistance element. A magnetic field, the magnetic intensity of which is higher than the saturation magnetic field, is impressed by the magnet in a direction which is sensed by the ferromagnetic layer of the reference magnetic resistance element.

5. 发明公开

EP1720027A4 MAGNETIC FIELD DETECTOR, AND CURRENT DETECTION DEVICE, POSITION DETECTION DEVICE AND ROTATION DETECTION DEVICES USING THE MAGNETIC FIELD DETECTOR 失效转让
标题翻译： MAGNETFELDDETEKTOR UND STROMDETEKTIONSEIRICHTUNG，POSITIONSDETEKTIONSEINRICHTUNG UND ROTATIONSDETEKTIONSEINRICHTUNGEN MIT DEM MAGNETFELDDETEKTOR
公开(公告)号：EP1720027A4
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：EP04788007
申请日：2004-09-22
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： TAKENAGA TAKASHI , KOBAYASHI HIROSHI , KUROIWA TAKEHARU , BEYSEN SADEH , FURUKAWA TAISUKE
IPC分类号： G01R33/09 , H01L43/08
CPC分类号： G01R33/09 , B82Y25/00 , G01R15/205 , G01R33/093
摘要： A magnetic field detector comprising a magnetoresistive element for reference and a magnetoresistive element for detecting magnetic field. Each of the magnetoresistive element for reference and the magnetoresistive element for detecting magnetic field has a laminate structure of an antiferromagnetic layer, a bonding layer of a magnetic body having a magnetization direction fixed by the antiferromagnetic layer, a nonmagnetic layer, and a free layer of a magnetic body having a magnetization direction varying by the external magnetic field. The magnetization direction of the bonding layer in the magnetoresistive element for reference is parallel or anti-parallel with the magnetization direction of the free layer under no magnetic field. The magnetization direction of the bonding layer in the magnetoresistive element for detecting magnetic field is different from the magnetization direction of the free layer under no magnetic field. Thus, it is possible to obtain a magnetic field detector whose sensitivity and resolution can be calibrated as a single unit at any time.
摘要翻译：具有参考磁阻元件和磁场检测磁阻元件的磁场检测器。参考磁阻元件和磁场检测磁阻元件各自具有堆叠结构，其包括反铁磁层，铁磁材料的固定层，具有由反铁磁层固定的磁化方向，非磁性层和铁磁性层的自由层具有适于由外部磁场改变的磁化方向的材料。参考磁阻元件使得固定层的磁化方向和非磁场中的自由层的磁化方向彼此平行或反平行，并且磁场检测磁阻元件使得磁化方向和非磁场中的自由层的磁化方向彼此不同。因此，可以提供能够在需要时单独地校准检测器的灵敏度和分辨率的磁场检测器。

6. 发明专利

DE112013006661B4 Verfahren zum Herstellen eines SIC-Epitaxialwafers 未知
公开(公告)号：DE112013006661B4
公开(公告)日：2023-01-19
申请号：DE112013006661
申请日：2013-12-26
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： TOMITA NOBUYUKI , MITANI YOICHIRO , TANAKA TAKANORI , KAWABATA NAOYUKI , TOYODA YOSHIHIKO , KUROIWA TAKEHARU , HAMANO KENICHI , ONO AKIHITO , OCHI JUNJI , KAWAZU ZEMPEI
IPC分类号： H01L21/205 , C30B29/36
摘要： Verfahren zum Herstellen eines SiC-Epitaxialwafers, Folgendes umfassend:einen ersten Schritt des Bewirkens, indem ein Si-Zufuhrgas und ein C-Zufuhrgas als Rohmaterialgase zugeführt werden, dass ein erstes Epitaxialwachstum auf einem SiC-Massivsubstrat mit einer 4H-SiC (0001)-Ebene mit einem Versatzwinkel von weniger als 5° als einer Hauptfläche bei einer ersten Temperatur von 1480 °C oder höher und 1530 °C oder niedriger vonstatten geht;einen zweiten Schritt des Stoppens der Zufuhr des Si-Zufuhrgases und des C-Zufuhrgases während eines Zeitraums des Erhöhens der Temperatur des SiC-Massivsubstrats von der ersten Temperatur auf eine zweite Temperatur, die höher ist als die erste Temperatur; undeinen dritten Schritt des Bewirkens, indem das Si-Zufuhrgas und das C-Zufuhrgas zugeführt werden, dass ein zweites Epitaxialwachstum auf dem SiC-Massivsubstrat mit der im zweiten Schritt erhöhten Temperatur bei der zweiten Temperatur vonstatten geht,wobei der zweite Schritt in einer Atmosphäre aus einem Reduktionsgas erfolgt, dem ein Chlorgas zugesetzt wird.

7. 发明专利

DE112016005558B4 Siliciumcarbid-Halbleitereinheit 未知
公开(公告)号：DE112016005558B4
公开(公告)日：2023-01-12
申请号：DE112016005558
申请日：2016-09-29
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： TANAKA RINA , FUKUI YUTAKA , SUGAWARA KATSUTOSHI , KUROIWA TAKEHARU , KAGAWA YASUHIRO
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/161 , H01L29/739
摘要： Siliciumcarbid-Halbleitereinheit, die Folgendes aufweist:- eine Siliciumcarbid-Driftschicht (2) eines ersten Leitfähigkeitstyps, die an einer oberen Oberfläche eines Siliciumcarbid-Halbleitersubstrats (1) ausgebildet ist, das einen Versatzwinkel aufweist;- einen Körperbereich (5) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, der an einer oberen Oberfläche der Siliciumcarbid-Driftschicht (2) ausgebildet ist;- einen Source-Bereich (3) des ersten Leitfähigkeitstyps, der teilweise an einer Oberflächenschicht des Körperbereichs (5) ausgebildet ist;- eine Mehrzahl von Gräben (7), die den Körperbereich (5) von einer oberen Oberfläche des Source-Bereichs (3) aus durchdringen und bis zu der Siliciumcarbid-Driftschicht (2) reichen;- eine Gate-Isolierschicht (9), die an einer Wandoberfläche im Inneren von jedem der Mehrzahl von Gräben (7) ausgebildet ist;- eine Gate-Elektrode (10), die so im Inneren von jedem der Mehrzahl von Gräben (7) ausgebildet ist, dass sie die Gate-Isolierschicht (9) bedeckt;- eine Source-Elektrode (11), die so ausgebildet ist, dass sie den Source-Bereich (3) bedeckt;- eine Drain-Elektrode (12), die auf der Seite einer unteren Oberfläche der Siliciumcarbid-Driftschicht (2) ausgebildet ist;- eine die Verarmung unterbindende Schicht (6, 6B) des ersten Leitfähigkeitstyps, die an einer unteren Oberfläche des Körperbereichs (5) ausgebildet ist und eine Störstellenkonzentration aufweist, die höher als jene der Siliciumcarbid-Driftschicht (2) ist, wobei- die die Verarmung unterbindende Schicht (6, 6B) so positioniert ist, dass sie in einer Draufsicht sandwichartig zwischen der Mehrzahl von Gräben (7) angeordnet ist, und- sich der Abstand zwischen der die Verarmung unterbindenden Schicht (6, 6B) und dem einen der Gräben (7) benachbart zu der die Verarmung unterbindenden Schicht (6, 6B) von dem Abstand zwischen der die Verarmung unterbindenden Schicht (6, 6B) und dem anderen der Gräben (7) benachbart zu der die Verarmung unterbindenden Schicht (6, 6B) in einer Richtung mit dem Versatzwinkel des Siliciumcarbid-Halbleitersubstrats (1) unterscheidet.

8. 发明专利

DE112011101625B4 Epitaktische Siliciumcarbid-Wafer und Herstellungsverfahren für diese, Siliciumcarbid-Massensubstrat für epitaktisches Wachstum und Herstellungsverfahren für dieses 未知
公开(公告)号：DE112011101625B4
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：DE112011101625
申请日：2011-03-18
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： TOMITA NOBUYUKI , HAMANO KENICHI , KUROIWA TAKEHARU , SUMITANI HIROAKI , TARUTANI MASAYOSHI , MITANI YOICHIRO , IMAIZUMI MASAYUKI , OHTSUKA KENICHI , FURUSHO TOMOAKI , SAWADA TAKAO , ABE YUJI
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/42 , C30B25/18 , C30B29/36 , H01L29/161
摘要： Verfahren zur Herstellung eines epitaktischen Siliciumcarbid-Wafers, das Folgendes aufweist: – einen ersten Schritt des Temperns eines Siliciumcarbid-Massensubstrats, das um weniger als 5 Grad von einer Fläche aus geneigt ist, in einer Reduziergas enthaltenden Atmosphäre bei einer ersten Temperatur T1 über eine Behandlungszeit t; – einen zweiten Schritt des Senkens der Temperatur des Substrats in der Reduziergasatmosphäre; und – einen dritten Schritt des Durchführens eines epitaktischen Wachstums bei einer zweiten Temperatur T2 unter der Tempertemperatur T1 des ersten Schritts, wobei ein Gas zugeführt wird, das ein Siliciumatome beinhaltendes Gas und/oder ein Kohlenstoffatome beinhaltendes Gas enthält.

9. 发明专利

DE102006024722B4 未知
公开(公告)号：DE102006024722B4
公开(公告)日：2009-04-30
申请号：DE102006024722
申请日：2006-05-26
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： FURUKAWA TAISUKE , KOBAYASHI HIROSHI , TAKENAGA TAKASHI , KUROIWA TAKEHARU , SADEH BEYSEN , TAKI MASAKAZU
IPC分类号： G01R33/09 , H01L43/08
摘要： A magnetic field detector includes: a magnet; a detecting magnetic resistance element having a layer structure containing a ferromagnetic layer, the resistance being changed when a direction of magnetization of the ferromagnetic layer is changed; and a reference magnetic resistance element having substantially the same layer structure as that of the detecting magnetic resistance element. A magnetic field, the magnetic intensity of which is higher than the saturation magnetic field, is impressed by the magnet in a direction which is sensed by the ferromagnetic layer of the reference magnetic resistance element.

10. 发明专利

DE112013006661T5 Verfahren zum Herstellen eines SIC-Epitaxialwafers 未知
公开(公告)号：DE112013006661T5
公开(公告)日：2015-11-26
申请号：DE112013006661
申请日：2013-12-26
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： TOMITA NOBUYUKI , MITANI YOICHIRO , TANAKA TAKANORI , KAWABATA NAOYUKI , TOYODA YOSHIHIKO , KUROIWA TAKEHARU , HAMANO KENICHI , ONO AKIHITO , OCHI JUNJI , KAWAZU ZEMPEI
IPC分类号： H01L21/205 , C30B29/36
摘要： Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Herstellen eines SiC-Epitaxialwafers bereitzustellen, das in der Lage ist, ein Auftreten von Oberflächendefekten wie etwa einer Stufenbündelung während eines Temperaturanstiegs zu unterbinden, wenn ein SiC-Epitaxialwachstum bei einer ersten Temperatur und einer zweiten Temperatur erfolgt. Das Verfahren zum Herstellen eines SiC-Epitaxialwafers umfasst: einen ersten Schritt des Bewirkens, indem ein Si-Zufuhrgas und ein C-Zufuhrgas zugeführt werden, dass ein erstes Epitaxialwachstum auf einem SiC-Massivsubstrat mit einer 4H-SiC(0001) mit einem Versatzwinkel von weniger als 5° als einer Hauptfläche bei einer ersten Temperatur von 1480°C oder höher und 1530°C oder niedriger vonstatten geht; einen zweiten Schritt des Stoppens der Zufuhr des Si-Zufuhrgases und des C-Zufuhrgases und des Erhöhens einer Temperatur des SiC-Massivsubstrats von der ersten Temperatur auf die zweite Temperatur; und einen dritten Schritt des Bewirkens, indem das Si-Zufuhrgas und das C-Zufuhrgas zugeführt werden, dass ein zweites Epitaxialwachstum auf dem SiC-Massivsubstrat mit der im zweiten Schritt erhöhten Temperatur bei der zweiten Temperatur vonstatten geht.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式