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1. 发明专利

DE10222678A1 未知
公开(公告)号：DE10222678A1
公开(公告)日：2003-06-26
申请号：DE10222678
申请日：2002-05-22
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： KIMURA MICHITAKA , IWASAKI TOSHIHIRO , HATANAKA YASUMICHI , WAKAMIYA KEIICHIRO
IPC分类号： H01L23/12 , H01L21/4763 , H01L21/58 , H01L21/60 , H01L23/00 , H01L23/32 , H01L23/48 , H01L23/50 , H01L23/52
摘要： The semiconductor device has a flip chip structure. The chip is electrically connected to the chip mounting member via function bumps provided on the chip. Dummy bumps acting against a local bending force of the chip are interposed between the chip and the chip mounting member.

2. 发明专利

DE112016005219B4 Leistungsmodul 未知
公开(公告)号：DE112016005219B4
公开(公告)日：2021-08-26
申请号：DE112016005219
申请日：2016-11-01
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： HARADA KOZO , HARADA HIROYUKI , HATANAKA YASUMICHI , NISHIMURA TAKASHI , TAYA MASAKI
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/28 , H01L25/18
摘要： Leistungsmodul, das Folgendes aufweist:- ein Isoliersubstrat (2) mit einer oberen Fläche, auf welcher ein Halbleiterelement (3) montiert ist,- eine Basisplatte (1), die mit einer unteren Fläche des Isoliersubstrats (2) verbunden ist,- ein Gehäuseelement (6), das das Isoliersubstrat (2) umgibt und an der Basisplatte (1) anhaftend angebracht ist;- ein Dichtungsharz, das in einem Bereich ausgebildet ist, der von der Basisplatte (1) und dem Gehäuseelement (6) umgeben ist, so dass das Isoliersubstrat (2) abgedichtet ist, und- eine Halteplatte (9), die von einer Innenwand des Gehäuseelements (6) zu einem Ort oberhalb eines äußeren peripheren Bereichs des Isoliersubstrats (2) vorsteht, wobei die Halteplatte (9) an der Innenwand fixiert ist, wobei die Halteplatte (9) mit dem Dichtungsharz (8) in Kontakt ist,dadurch gekennzeichnet,dass die Halteplatte (9) von einer inneren Seitenwand des Gehäuseelements (6) in Richtung der Innenseite des Gehäuseelements (6) vorsteht, unddass eine Auslöseschicht an einer Fläche der Halteplatte (9) ausgebildet ist, die dem Isoliersubstrat (2) zugewandt ist,wobei die Adhäsion zwischen der Halteplatte (9) und dem Dichtungsharz (8) niedriger ist als die Adhäsion zwischen dem Dichtungsharz (8) und jedem von dem Isoliersubstrat (2) und dem Halbleiterelement (3).

3. 发明专利

DE112016005409T5 LEISTUNGS-HALBLEITEREINRICHTUNG 未知
公开(公告)号：DE112016005409T5
公开(公告)日：2018-08-09
申请号：DE112016005409
申请日：2016-07-01
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： HATANAKA YASUMICHI , HARADA KOZO , HARADA HIROYUKI , NISHIMURA TAKASHI , MAFUNE MASAYUKI , YAMADA KOJI
IPC分类号： H01L23/29 , H01L23/31 , H01L25/07 , H01L25/18
摘要： Es wird eine wärmewiderstandsfähige und zuverlässige Leistungs-Halbleitereinrichtung angegeben, bei welcher ein Reißen eines Silikongels bei Temperaturzyklen und bei Hochtemperatur-Lagerung der Leistungs-Halbleitereinrichtung unterbunden wird. Die Leistungs-Halbleitereinrichtung weist Folgendes auf:ein Isoliersubstrat (2) mit einer Metallschicht (22), die auf einer oberen Fläche des Isoliersubstrats (2) ausgebildet ist; ein Halbleiterelement (3) und eine Hauptelektrode (5),die jeweils an eine obere Fläche der Metallschicht (22) gebondet sind; einen Metalldraht (4), der die Metallschicht (22) mit dem Halbleiterelement (3) verbindet; ein Metallelement (1), das an die untere Flächenseite des Isoliersubstrats 2 gebondet ist; ein Gehäuseelement (6), das das Isoliersubstrat (2) umgibt und in Kontakt mit einer Fläche des Metallelements (1) ist, das an das Isoliersubstrat (2) gebondet ist; und ein Dichtungsharz (8), das in einen Bereich gefüllt ist, der von dem Metallelement (1) und dem Gehäuseelement (6) umgeben ist. Das Dichtungsharz (8) hat eine Harzfestigkeit von 0,12 MPa oder höher bei Raumtemperatur, eine Mikrokristallisationstemperatur von -55 °C oder niedriger, und eine Nadel-Eindringung von 30 bis 50 nach Lagerung bei 175 °C für 1000 Stunden. Das Dichtungsharz (8) dichtet das Isoliersubstrat (2), die Metallschicht (22), das Halbleiterelement (3), den Metalldraht (4) und die Hauptelektrode (5) ab.

4. 发明专利

DE112015005654T5 Isolierte Leiterplatte, Leistungsmodul und Leistungseinheit 未知
公开(公告)号：DE112015005654T5
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：DE112015005654
申请日：2015-10-13
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： SODA SHINNOSUKE , OMOTO YOHEI , HAYASHI KOMEI , TSUKAMOTO SHINJI , HATANAKA YASUMICHI
IPC分类号： H01L23/12 , H01L25/07 , H01L25/18
摘要： Es ist eine isolierte Leiterplatte, die zuverlässig und widerstandsfähig gegenüber thermischen Spannungen ist, die aufgrund des Anliegens eines Thermoschock-Zyklus wiederholt anliegen, ebenso wie ein Leistungsmodul sowie eine Leistungseinheit angegeben, die diese isolierte Leiterplatte aufweisen. Eine isolierte Leiterplatte (100) weist ein isoliertes Substrat (1), eine erste Elektrode (2a) sowie eine zweite Elektrode (2b) auf. Die erste Elektrode (2a) ist an einer Hauptoberfläche des isolierten Substrats (1) ausgebildet und weist in einer Draufsicht eine polygonale Form auf. Die zweite Elektrode (2b) ist an der anderen Hauptoberfläche gegenüberliegend zu der einen Hauptoberfläche des isolierten Substrats (1) ausgebildet und weist in einer Draufsicht eine polygonale Form auf. Ein dünner Bereich (3) ist in einem Eckenbereich ausgebildet, wobei der Eckenbereich ein Bereich ist, der in Bezug auf Richtungen entlang von Außenkanten (5) von einer Ecke (4) von zumindest einer von der ersten und der zweiten Elektrode (2a, 2b) in einer Draufsicht einen Bereich einer Länge der Außenkanten (5) einnimmt, und der dünne Bereich (3) eine Dicke aufweist, die kleiner als die eines anderen Bereichs als der dünne Bereich (3) ist.

5. 发明专利

DE112016006433T5 HALBLEITEREINRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN DERSELBEN 未知
公开(公告)号：DE112016006433T5
公开(公告)日：2018-11-15
申请号：DE112016006433
申请日：2016-12-14
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： HARADA HIROYUKI , HARADA KOZO , HATANAKA YASUMICHI , NISHIMURA TAKASHI , TAYA MASAKI
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/28 , H01L25/18
摘要： Eine Halbleitereinrichtung wird erhalten, die dazu imstande ist, zu verhindern, dass das Isoliervermögen durch einen Wärmezyklus verschlechtert wird, und das Isoliervermögen zu gewährleisten, indem sie das Auftreten von Blasen und die Ablösung eines Silikongels von einem einem Isoliersubstrat verhindert, wenn die Temperatur hoch oder niedrig ist und wenn eine hohe Spannung verwendet wird. Die Halbleitereinrichtung weist Folgendes auf: ein Isoliersubstrat (5) mit einer oberen Fläche, auf welcher ein Halbleiterelement (4) montiert ist; eine Basisplatte (1), die mit einer unteren Fläche des Isoliersubstrats (5) verbunden ist; ein Gehäuseelement (2), das das Isoliersubstrat (5) umgibt und das in Kontakt mit einer Fläche der Basisplatte (1) ist, mit welcher das Isoliersubstrat (5) verbunden ist; ein Dichtungsharz (8), das in einem Bereich bereitgestellt ist, der von der Basisplatte (1) und dem Gehäuseelement (2) umgeben ist, so dass das Isoliersubstrat (5) abgedichtet ist; ein Abdeckteil (9), das einer Fläche des Dichtungsharzes (8) zugewandt ist und am Gehäuseteil (2) fixiert ist; und eine Halteplatte (10), wobei eine untere Fläche der Halteplatte und ein Bereich einer Seitenfläche der Halteplatte in engem Kontakt mit der Fläche des Dichtungsharzes (8) sind, wobei eine obere Fläche der Halteplatte an einer Fläche des Abdeckteils (9), die der Fläche des Dichtungsharzes (8) zugewandt ist, fixiert ist und von dieser vorsteht.

6. 发明专利

DE112016005219T5 Leistungsmodul 未知
公开(公告)号：DE112016005219T5
公开(公告)日：2018-07-19
申请号：DE112016005219
申请日：2016-11-01
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： HARADA KOZO , HARADA HIROYUKI , HATANAKA YASUMICHI , NISHIMURA TAKASHI , TAYA MASAKI
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/28 , H01L25/18
摘要： Es wird ein Leistungsmodul angegeben, das dazu imstande ist, zu verhindern, dass das Isolationsvermögen durch einen Wärmezyklus verschlechtert wird, und das das Isolationsvermögen gewährleistet, indem es das Auftreten von Blasen und das Ablösen eines Silikongels von einem Isoliersubstrat unterbindet, wenn die Temperatur hoch oder niedrig ist und wenn eine hohe Spannung verwendet wird. Das Leistungsmodul weist Folgendes auf: ein Isoliersubstrat (2) mit einer oberen Fläche, auf welcher ein Halbleiterelement (3) montiert ist; eine Basisplatte (1), die mit einer unteren Fläche des Isoliersubstrats (2) verbunden ist; ein Gehäuseelement (6), das das Isoliersubstrat (2) umgibt und an der Basisplatte (1) anhaftend angebracht ist; ein Dichtungsharz (8), das in einem Bereich ausgebildet ist, der von der Basisplatte (1) und dem Gehäuseelement (6) umgeben ist, so dass das Isoliersubstrat (2) abgedichtet ist; und eine Halteplatte (9), die von einer Innenwand des Gehäuseelements (6) zu einem Ort oberhalb eines äußeren peripheren Bereichs des Isoliersubstrats (2) vorsteht, wobei die Halteplatte (9) an der Innenwand fixiert ist, wobei die Halteplatte (9) in Kontakt mit dem Dichtungsharz (8) ist.

7. 发明专利

DE112012001641T5 Solarbatteriemodul und Herstellungsverfahren dafür 未知
公开(公告)号：DE112012001641T5
公开(公告)日：2014-02-06
申请号：DE112012001641
申请日：2012-04-05
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： HAMAGUCHI TSUNEO , YABUGAKI YOSHIMI , MIYAMOTO SHINSUKE , HATANAKA YASUMICHI
IPC分类号： H01L31/05 , H01L31/0224 , H01L31/18
摘要： In einem Solarbatteriemodul mit mehreren Solarbatterieelementen, wovon jedes Elektroden umfasst, die durch ein elektrisch leitfähiges Verdrahtungsteil 24 elektrisch verbunden sind, sind die Elektrode 5 und das Verdrahtungsteil 24 durch Lötmetall 31 an der Elektrode 5 verschweißt, Harz 41 ist angeordnet und bedeckt dabei zumindest eine Seitenfläche eines Lötmetall-verschweißten Abschnitts zwischen dem Lötmetall 31 und der Elektrode 5, und eine Benetzungshöhe des Harzes ist an einer Seitenfläche des Verdrahtungsteils niedriger als die Oberseite des Verdrahtungsteils, so dass eine Schweißverbindung durch das Lötmetall 31 verstärkt und die Verbindungszuverlässigkeit verbessert werden kann.

8. 发明专利

DE10236689A1 未知
公开(公告)号：DE10236689A1
公开(公告)日：2003-07-10
申请号：DE10236689
申请日：2002-08-09
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： IWASAKI TOSHIHIRO , KIMURA MICHITAKA , WAKAMIYA KEIICHIRO , HATANAKA YASUMICHI
IPC分类号： H01L23/12 , H01L21/60 , H01L21/607 , H03H3/08 , H01L23/50
摘要： A semiconductor device includes a semiconductor chip, and a circuit substrate disposed such that the circuit substrate faces the semiconductor chip and is electrically connected to the semiconductor chip through a connection conductor. A pad electrode and a terminal electrode are formed on a surface of the semiconductor chip and a surface of the circuit substrate, respectively. The connection conductor is connected between the pad electrode and the terminal electrode. The surface of the semiconductor and the surface of the circuit substrate face each other. A conductive dummy pattern is formed on the facing surface of the semiconductor chip or the circuit substrate. A space between the facing surfaces is filled with nonconductive resin. With this arrangement, it is possible to make uniform the temperature distribution between the facing surfaces, thereby making the temperature and the viscosity of the nonconductive resin uniform to reduce attenuation of ultrasonic waves.

9. 发明专利

DE10238781A1 未知
公开(公告)号：DE10238781A1
公开(公告)日：2003-04-30
申请号：DE10238781
申请日：2002-08-23
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： IWASAKI TOSHIHIRO , WAKAMIYA KEIICHIRO , KIMURA MICHITAKA , HATANAKA YASUMICHI
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/607 , H01L23/16 , H01L23/498 , H01L21/58 , H01L25/04 , H01L25/16 , H01L23/14
摘要： A semiconductor device includes a first substrate, a second substrate, a plurality of conductors, and supporting members. The first substrate has a plurality of electrode portions disposed on one side thereof. The second substrate has a plurality of electrode portions disposed on one side thereof. The conductors are for connecting the plurality of electrode portions of the first substrate to the plurality of electrode portions of the second substrate. The supporting members supporting the first substrate and the second substrate are disposed on a location where resonance caused by ultrasonic oscillation externally supplied is restrained in the state where the first substrate is connected to the second substrate. The supporting members prevent irregular oscillation and resonance caused by the ultrasonic oscillation.

10. 发明专利

JP2012182344A Power module 审中-公开
标题翻译：电源模块
公开(公告)号：JP2012182344A
公开(公告)日：2012-09-20
申请号：JP2011044807
申请日：2011-03-02
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： YIN XIAO HONG , HATANAKA YASUMICHI , HARADA HIROYUKI , YAMAMOTO KEI , MIMURA KENJI , NISHIMURA TAKASHI
IPC分类号： H01L23/29 , H01L23/28
CPC分类号： H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the deterioration of the insulation performance of an insulation sheet due to moisture absorption and thereby improving the long term reliability in a power module having an insulation sheet structure where an epoxy resin is used as a sealing material.SOLUTION: A power module includes: a metal substrate 11; an insulation sheet 2; a heat spreader 3; a semiconductor element 4; a lead frame 5; wiring 6; and a sealing resin 7. The metal substrate 11 has an end part having a curved shape and is sealed in the sealing resin 7. This structure extends a moisture intrusion path ranging from the exterior to the insulation sheet 2, prevents the deterioration of the insulation performance of the insulation sheet 2 due to moisture absorption, and improves the long term reliability of the power module.
摘要翻译：要解决的问题：为了防止由于吸湿引起的绝缘片的绝缘性能的劣化，从而提高具有使用环氧树脂作为密封材料的绝缘片结构的功率模块的长期可靠性。电源模块包括：金属基板11; 绝缘片2; 散热器3; 半导体元件4; 引线架5; 接线6; 和密封树脂7.金属基板11具有弯曲形状的端部并密封在密封树脂7中。该结构延伸了从外部到绝缘片2的水分侵入路径，防止了绝缘体的劣化由于吸湿而导致绝缘片2的性能下降，从而提高了电源模块的长期可靠性。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

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