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1. 发明申请

WO2012161561A1 METHOD AND APPARATUS FOR DEPOSITING NANOMATERIALS 审中-公开
标题翻译：沉积纳米材料的方法和装置
公开(公告)号：WO2012161561A1
公开(公告)日：2012-11-29
申请号：PCT/MY2012/000105
申请日：2012-05-22
申请人： MIMOS BERHAD , SHIH, Teh Aun , SHENG, Daniel Bien Chia , SIN, Tan, Kai
发明人： SHIH, Teh Aun , SHENG, Daniel Bien Chia , SIN, Tan, Kai
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67109 , H01L21/68785
摘要： There is disclosed an apparatus for depositing nanomaterials; said apparatus comprising: at least one heating element; at least one sample holder (14) formed with a recess (14a) etched therethrough, said recess (14a) sized to fit a sample (10) and holding the sample (10) thereon; wherein one surface of the sample (10) is exposed to the heating element; at least one spacing member (16, 17) for holding the sample holder (14) in predetermined distance from that of the heating element; said spacing member (16, 17) is adjustably secured to the sample holder (14); at least one hole to channel in gases to be in contact with the sample (10); and at least one high temperature substrate (12). With the recess (14a) formed on the holder (14) of the present invention, only one surface of the sample is directly exposed for heating.
摘要翻译：公开了一种用于沉积纳米材料的装置; 所述装置包括：至少一个加热元件; 至少一个样品保持器（14），其形成有通过其蚀刻的凹部（14a），所述凹部（14a）的尺寸设计成适合样品（10）并将样品（10）保持在其上; 其中所述样品（10）的一个表面暴露于所述加热元件; 用于将样品保持器（14）保持在与所述加热元件的距离预定距离的至少一个间隔构件（16,17）所述间隔构件（16,17）可调节地固定到样品架（14）上; 至少一个在气体中通道以与样品（10）接触的孔; 和至少一个高温基板（12）。利用形成在本发明的保持器（14）上的凹部（14a），仅将样品的一个表面直接暴露以进行加热。

2. 发明申请

WO2012070924A1 A METHOD FOR NANOWIRES AND NANOTUBES GROWTH 审中-公开
标题翻译：一种纳米和纳米生长方法
公开(公告)号：WO2012070924A1
公开(公告)日：2012-05-31
申请号：PCT/MY2011/000073
申请日：2011-06-06
申请人： MIMOS BERHAD , SHENG, Daniel Bien Chia , SHIH, Teh Aun
发明人： SHENG, Daniel Bien Chia , SHIH, Teh Aun
IPC分类号： B82B3/00 , B82Y40/00
CPC分类号： B82Y40/00 , B01J23/06 , B01J23/08 , B01J23/30 , B01J23/52 , B01J23/72 , B01J23/745 , B01J23/75 , B01J23/755 , B01J37/349 , B82Y30/00 , C01B32/162 , C01B33/021 , C30B29/02 , C30B29/06 , C30B29/60 , C30B29/602 , H01L21/02488 , H01L21/02603 , H01L21/02606 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02653
摘要： The present invention provides a method for nanowires and nanotubes (10, 20) growth. The nanowires and nanotubes (10, 20) have a plurality of first nanowires (10) and a plurality of second nanowires (20) grown on a single substrate (30). The first and second nanowires (10, 20) are grown using two different types of catalyst materials (11, 21), wherein the first nanowires (10) are grown using a first catalyst (11) whereas the second nanowires (20) are grown using a second catalyst (21).
摘要翻译：本发明提供了纳米线和纳米管（10,20）生长的方法。纳米线和纳米管（10,20）具有在单个衬底（30）上生长的多个第一纳米线（10）和多个第二纳米线（20）。使用两种不同类型的催化剂材料（11,21）生长第一和第二纳米线（10,20），其中第一纳米线（10）使用第一催化剂（11）生长，而第二纳米线（20）生长使用第二催化剂（21）。

3. 发明申请

WO2012064177A1 NANOPOROUS MEMBRANE AND METHOD OF FORMING THEREOF 审中-公开
标题翻译：纳米膜及其形成方法
公开(公告)号：WO2012064177A1
公开(公告)日：2012-05-18
申请号：PCT/MY2011/000130
申请日：2011-05-23
申请人： MIMOS BERHAD , SHENG, Daniel Bien Chia , SHIH, Teh Aun
发明人： SHENG, Daniel Bien Chia , SHIH, Teh Aun
IPC分类号： B01D67/00 , B82Y40/00 , B01D69/12 , G01N27/40
CPC分类号： B01D71/56 , B01D67/0058 , B01D67/0062 , B01D71/021 , B01D2325/028 , B82Y40/00
摘要： The present invention discloses a method for use in forming a nanoporous membrane using silicon nanowires. The primary steps of the present invention includes providing a substrate; forming a catalyst layer on said substrate; growing silicon nanowires on said substrate; depositing membrane layer materials as a base for formation of nanopores; and etching the silicon nanowires selectively.
摘要翻译：本发明公开了一种使用硅纳米线形成纳米多孔膜的方法。本发明的主要步骤包括提供基底; 在所述衬底上形成催化剂层; 在所述衬底上生长硅纳米线; 沉积膜层材料作为形成纳米孔的基体; 并选择性地蚀刻硅纳米线。

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