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1. 发明申请

WO2003048032A1 HERSTELLUNG MIKRO- UND NANOSKOPISCHER SPULEN, TRANSFORMATOREN UND KONDENSATOREN DURCH EINROLLEN ODER UMKLAPPEN VON LEITERSCHICHTEN BEIM ABLÖSEN VON HILFSSCHICHTEN VON EINEM SUBSTRAT 审中-公开
标题翻译：生产微纳米线圈，通过卷曲或导体层折叠的分离。在基片的辅助层变压器和电容器
公开(公告)号：WO2003048032A1
公开(公告)日：2003-06-12
申请号：PCT/DE2002/004180
申请日：2002-11-12
申请人： MAX-PLANCK GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER WISSENSCHAFT E.V. , SCHMIDT, Oliver, G. , DENEKE, Christoph
发明人： SCHMIDT, Oliver, G. , DENEKE, Christoph
IPC分类号： B81B3/00
CPC分类号： H01F41/041 , H01F17/0006 , Y10T29/49071 , Y10T29/49147 , Y10T29/49155 , Y10T29/49204 , Y10T29/49222
摘要： Durch Ablösen der Hilfsschicht (3) von dem Substrat (1), beispielsweise indem eine dazwischen befindliche Opferschicht (2) selektiv weggeätzt wird, klappt die Hilfsschicht (3) zurück und rollt sich gegebenenfalls bei Fortsetzung des Ablösevorgangs selbsttätig zusammen und rollt dabei eine Leiterbahn (4) mit ein. Die Hilfsschicht (3) kann durch zwei Schichten (3a, 3b) unterschiedlicher Gitterkonstante gebildet sein. Es können Mikrospulen, aus solchen aufgebaute Mikrotransformatoren oder Mikrokondensatoren mit Durchmessern im Nano- oder Mikrometer-Bereich hergestellt werden.
摘要翻译：通过的介入牺牲层剥离衬底（1）的所述辅助层（3），例如（2）位于被选择性地蚀刻掉，膨胀，辅助层（3），回到辊，如果合适的话，在剥离过程的延续一起自动和辊而的带状导体（ 4）。辅助层（3）通过两个层（3A，3B）不同的光栅常数的可以形成。它可以微线圈，从具有在纳米或微米范围内的直径，例如微结构化或微型变压器电容器制备。

2. 发明申请

WO2013029609A2 TRÄGERMATERIAL FÜR ELEKTRISCH POLARISIERBARE BIOMATERIALIEN, POLYELEKTROLYTMATERIALIEN, ATOME, IONEN UND MOLEKÜLE; DESSEN HERSTELLUNG UND VERWENDUNG 审中-公开
标题翻译：后盾电致生物材料，聚电解质材料，原子，离子和分子; 其生产和使用
公开(公告)号：WO2013029609A2
公开(公告)日：2013-03-07
申请号：PCT/DE2012/200058
申请日：2012-08-31
申请人： HELMHOLTZ-ZENTRUM DRESDEN - ROSSENDORF E.V. , SCHMIDT, Heidemarie , BAUMGART, Christine , SKORUPA, Ilona , SCHMIDT, Oliver, G. , MÜLLER, Martin , HELM, Manfred
发明人： SCHMIDT, Heidemarie , BAUMGART, Christine , SKORUPA, Ilona , SCHMIDT, Oliver, G. , MÜLLER, Martin , HELM, Manfred
IPC分类号： G01N33/543 , G01N33/53
CPC分类号： G01N27/28 , B01L3/502761 , G01N27/327 , G01N33/54366
摘要： Die Erfindung betrifft Trägermaterialen (Carrier) für Biomaterialien, für Polyelektrolytmatenalien, für elektrisch polarisierbare Atome, Ionen, Moleküle, wobei das Material der Trägermaterialien kompatibel zu Materialien ist, die in der Mikroelektronik verwendet werden. Mit dem Trägermaterial kann die Anordnung der Biomaterialien bzw. Biomoleküle und gegebenenfalls daran adsorbierte Biomoleküle, Biomaterialien, biologische Funktionseinheiten oder Zellen gezielt beeinflusst werden. Der Aufbau komplexer molekularer Maschinen kann mit Hilfe der Trägermaterialien gefertigt und getestet werden.
摘要翻译：本发明涉及一种载体材料（载流子），用于生物材料Polyelektrolytmatenalien，用于电可极化的原子，离子，分子，其中所述支撑材料的材料是在用于微电子材料相容。与载体材料，生物材料和生物分子，并任选地向其中吸附的生物分子，生物材料，生物功能单元或电池单元的排列可以具体影响。复杂分子机器的结构可与支撑材料的帮助下被制造和测试。

3. 发明申请

WO2013087517A1 RESONANZDETEKTOR 审中-公开
标题翻译：共振探测器
公开(公告)号：WO2013087517A1
公开(公告)日：2013-06-20
申请号：PCT/EP2012/074684
申请日：2012-12-06
申请人： LEIBNIZ-INSTITUT FÜR FESTKÖRPER- UND WERKSTOFFFORSCHUNG DRESDEN E.V. , KARNAUSHENKO, Daniil , MAKAROV, Denys , BARABAN, Larysa , SCHMIDT, Oliver, G.
发明人： KARNAUSHENKO, Daniil , MAKAROV, Denys , BARABAN, Larysa , SCHMIDT, Oliver, G.
IPC分类号： G01N27/02 , G01R27/26
CPC分类号： G01N27/023
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Elektronik und betrifft einen Resonanzdetektor, welcher beispielsweise für den Nachweis von magnetischen, metallischen und/oder ionischen Objekten in Flüssigkeiten, Gasen oder Feststoffen oder in einer Kombination davon, auch im biologischen Bereich, eingesetzt werden kann. Aufgabe der vorliegenden Lösung ist es, einen Resonanzdetektor anzugeben, welcher mit einem hohen bis sehr hohen Qualitätsfaktor und damit hoher bis sehr hoher Empfindlichkeit Werte zur Verfügung stellt, die als Nachweis für Mengen, Arten oder Bestandteile von magnetischen, metallischen und/oder ionischen Objekten in Flüssigkeiten, Gasen oder Feststoffen oder in Kombinationen davon dienen. Die Aufgabe wird gelöst durch einen Resonanzdetektor, der mindestens eine Induktivität X 2 und mindestens eine elektrischen Schaltung enthält, die wiederum mindestens zwei Impedanzen Xi und X 3 , einen Verstärker K und eine Feedback- Impedanz X 4 enthält, wobei die Induktivität X 2 eine Spule ist und die beiden Impedanzen X 1 und X 3 jeweils Kondensatoren sind.
摘要翻译：本发明涉及电子领域，并涉及可用于例如用于检测在液体，气体或固体或它们的组合磁性金属和/或离子性的，在生物领域的谐振检测器。本解决方案的目的是提供一种谐振检测器，它以高至非常高的品质因数，因此一个高至非常高的灵敏度来提供可用的值，如数量和类型或磁性，金属和/或离子的对象的组件的证明液体，气体或固体或在它们的组合使用。该目的是通过一个谐振检测器，其包括至少一个电感器X2和至少一个电路，其又含有至少两个阻抗Xi和X3，放大器K和反馈阻抗X4，其中，所述电感X2是线圈和两个实现阻抗X1和X3每个电容器。

4. 发明申请

WO2006103066A1 A SEMICONDUCTOR DEVICE FEATURING AN ARCHED STRUCTURE STRAINED SEMICONDUCTOR LAYER 审中-公开
标题翻译：具有结构构造应变半导体层的半导体器件
公开(公告)号：WO2006103066A1
公开(公告)日：2006-10-05
申请号：PCT/EP2006/002893
申请日：2006-03-30
申请人： PAUL SCHERRER INSTITUT , GARCHING INNOVATIONS GMBH , NGUYEN, Bich-Yen , THOMAS, Shawn, G. , CERGEL, Lubomir , SADAKA, Mariam, G. , THEAN, Voon-Yew , WENNEKERS, Peter , WHITE, Ted, R. , WILD, Andreas, A. , GRUETZMACHER, Detlev , SCHMIDT, Oliver, G.
发明人： NGUYEN, Bich-Yen , THOMAS, Shawn, G. , CERGEL, Lubomir , SADAKA, Mariam, G. , THEAN, Voon-Yew , WENNEKERS, Peter , WHITE, Ted, R. , WILD, Andreas, A. , GRUETZMACHER, Detlev , SCHMIDT, Oliver, G.
CPC分类号： H01L29/78696 , H01L29/0649 , H01L29/42392 , H01L29/66772 , H01L29/7842 , H01L29/78648 , H01L29/78687
摘要： A semiconductor device includes a mechanically strained channel, wherein the channel comprises of a single crystalline structure of a strained semiconductor layer having a non-linear geometry, the non-linear geometry including a portion of an arch shape. The semiconductor device further includes a dielectric layer, wherein a first portion of the channel is disposed overlying a point location within the dielectric layer and a second portion of the channel is disposed overlying a portion of the dielectric layer proximate to and outside of the point location. Ih addition, a gate is disposed proximate to the channel for controlling current flow through the channel between first and second current handling electrodes that are coupled to the channel.
摘要翻译：半导体器件包括机械应变通道，其中所述通道包括具有非线性几何形状的应变半导体层的单晶结构，所述非线性几何形状包括拱形形状的一部分。所述半导体器件还包括介电层，其中所述沟道的第一部分设置在所述电介质层内的点位置上方，并且所述沟道的第二部分设置在所述电介质层的靠近所述点位置和外侧的部分上方。此外，栅极靠近通道设置，用于控制电流通过耦合到通道的第一和第二电流处理电极之间的通道。

5. 发明申请

WO2006103055A1 A METHOD OF MAKING A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AN ARCHED STRUCTURE STRAINED SEMICONDUCTOR LAYER 审中-公开
标题翻译：制造具有结构应变半导体层的半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2006103055A1
公开(公告)日：2006-10-05
申请号：PCT/EP2006/002858
申请日：2006-03-29
申请人： PAUL SCHERRER INSTITUT , GARCHING INNOVATIONS GMBH , NGUYEN, Bich-Yen , THOMAS, Shawn, G. , CERGEL, Lubomir , SADAKA, Mariam, G. , THEAN, Voon-Yew , WENNEKERS, Peter , WHITE, Ted, R. , WILD, Andreas, A. , GRUETZMACHER, Detlev , SCHMIDT, Oliver, G.
发明人： NGUYEN, Bich-Yen , THOMAS, Shawn, G. , CERGEL, Lubomir , SADAKA, Mariam, G. , THEAN, Voon-Yew , WENNEKERS, Peter , WHITE, Ted, R. , WILD, Andreas, A. , GRUETZMACHER, Detlev , SCHMIDT, Oliver, G.
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/78696 , H01L29/42392 , H01L29/66772 , H01L29/7842 , H01L29/78648 , H01L29/78687
摘要： A method of forming a semiconductor device includes forming a local straininducing structure of a first semiconductor material at a point location within a dielectric layer. The local strain-inducing structure has a prescribed geometry with a surface disposed above a surface of the dielectric layer. A second semiconductor material is formed over the dielectric layer and the local strain inducing structure, wherein formation of a first portion of the second material over the dielectric layer provides a poly crystalline structure of the second material and wherein formation of a second portion of the second material over the local strain-inducing structure provides a single crystalline structure of the second material subject to mechanical strain by the surface of the local strain-inducing structure. The single crystalline structure serves as a strained semiconductor layer of the semiconductor device.
摘要翻译：形成半导体器件的方法包括在电介质层内的点位置形成第一半导体材料的局部应变致动结构。局部应变诱导结构具有规定的几何形状，其表面设置在电介质层的表面之上。第二半导体材料形成在电介质层和局部应变诱导结构之上，其中第二材料的第一部分在电介质层上的形成提供了第二材料的多晶结构，并且其中形成第二材料的第二部分局部应变诱导结构上的材料提供由局部应变诱导结构的表面经受机械应变的第二材料的单晶结构。单晶结构用作半导体器件的应变半导体层。

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