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2. 发明专利

DE112008002015B4 Weiterentwickelte Bearbeitungskammer für mehrere Werkstücke und Verfahren zu deren Erzeugung 未知
公开(公告)号：DE112008002015B4
公开(公告)日：2020-09-10
申请号：DE112008002015
申请日：2008-07-23
申请人： BEIJING E-TOWN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO LTD , MATTSON TECH INC
发明人： DEVINE DANIEL J , CRAPUCHETTES CHARLES , DESAL DIXIT , GEORGE RENE , LEE VINCENT C , MATSUDA YUYA , MOHN JONATHAN , PAKULSKI RYAN M , SAVAS STEPHEN E , ZUCKER MARTIN
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/677
摘要： Vorrichtung (10, 500, 600, 700, 800, 1000) zum Bearbeiten von Werkstücken (46) in einem Behandlungsprozess, wobei die Vorrichtung Folgendes aufweist:eine Kammer (12, 30) für mehrere Wafer, die einen Kammerinnenraum (38) definiert, der mindestens zwei Bearbeitungsstationen (40, 42) im Kammerinnenraum (38) aufweist, so dass sich die Bearbeitungsstationen (40, 42) den Kammerinnenraum (38) teilen, wobei jede der Bearbeitungsstationen (40, 42) eine Plasmaquelle (60) und einen Werkstücksockel (44, 48) aufweist, und jede der Bearbeitungsstationen (40, 42) konfiguriert ist, um eines der Werkstücke (46) dem Behandlungsprozess auszusetzen, und zwar unter Verwendung einer jeweiligen Plasmaquelle (60), und wobei die Kammer (12, 30) einen Behandlungsdruck im Kammerinnenraum (38) von einem Umgebungsdruck außerhalb der Kammer (12, 30) isoliert, wobei die Kammer (12, 30) eine Anordnung einer oder mehrerer elektrisch leitender Oberflächen aufweist, die asymmetrisch um das Werkstück (46) bei jeder Bearbeitungsstation (40, 42) auf eine Weise angeordnet sind, die ein vorgegebenes Niveau an Gleichförmigkeit des Behandlungsprozesses auf einer Hauptfläche jedes Werkstückes (46) erzeugt; undeine Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010), die im Kammerinnenraum (38) angeordnet ist, für jede der Bearbeitungsstationen (40, 42), wobei jede Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010) selektiv betreibbar ist (i) in einem Werkstücktransfermodus, um den Transfer jedes Werkstückes (46) zu und von dem Werkstücksockel (44, 48) einer der Bearbeitungsstationen (40, 42) vorzusehen und (ii) in einem Behandlungsmodus, um jedes Werkstück zu umgeben, das auf dem Werkstücksockel (44, 48) einer der Bearbeitungsstationen (40, 42) angeordnet ist, so dass der Behandlungsmodus eine verbesserte Gleichförmigkeit des Aussetzens des Werkstückes (46) gegenüber der jeweiligen einen der Plasmaquellen (60) vorsieht, die größer ist als das gegebene Niveau an Gleichförmigkeit, das ohne die Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010) vorgesehen würde, wobei die Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010) im Behandlungsmodus eine Anordnung von leitfähigen, geerdeten Oberflächen um jede Bearbeitungsstation (40, 42) herum bereitstellt, die symmetrischer ist als die Anordnung von einer oder mehreren elektrisch leitfähigen Oberflächen, die asymmetrisch um das Werkstück (46) herum an jeder Bearbeitungsstation (40, 42) angeordnet sind.

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