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    • 2. 发明申请
    • WHEATSTONE-BRIDGE MAGNETORESISTIVE DEVICE
    • WO2008039743A2
    • 2008-04-03
    • PCT/US2007079369
    • 2007-09-25
    • MASSACHUSETTS INST TECHNOLOGYCASTANO FERNANDO JROSS CAROLINE A
    • CASTANO FERNANDO JROSS CAROLINE A
    • G11C11/16Y10T29/49075
    • A magnetoresistive Wheatstone-bridge structure includes a magnetoresistive ring structure. The magnetoresistive ring structure includes a first magnetic layer comprising a ferromagnetic material. A second magnetic layer also includes a ferromagnetic material. A non-magnetic spacer is positioned between the first magnetic layer and the second magnetic layer. A vacant open region is positioned in the center region of the magnetoresistive ring structure. A plurality of magnetic states can exist in either the first magnetic layer or second magnetic layer. Furthermore, the magnetoresistive Wheatstone- bridge structure includes a plurality of voltage and current contacts arranged symmetrically upon the magnetoresistive ring structure. The magnetic state of the ring is detected by measuring its resistance.
    • 磁阻惠斯通电桥结构包括磁阻环结构。 磁阻环结构包括包含铁磁材料的第一磁性层。 第二磁性层还包括铁磁材料。 非磁性间隔件位于第一磁性层和第二磁性层之间。 空开区域位于磁阻环结构的中心区域。 多个磁性状态可以存在于第一磁性层或第二磁性层中。 此外,磁阻惠斯通电桥结构包括多个对称地布置在磁阻环结构上的电压和电流触点。 通过测量其电阻来检测环的磁性状态。