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1. 发明专利

JP2008016807A Thin film transistor, method of manufacturing the same, and display element 有权
标题翻译：薄膜晶体管，其制造方法和显示元件
公开(公告)号：JP2008016807A
公开(公告)日：2008-01-24
申请号：JP2006348032
申请日：2006-12-25
申请人： Lg Philips Lcd Co Ltd , エルジーフィリップスエルシーディーカンパニーリミテッド
发明人： SAI MOTONARI , HEO JAE SEOK , JUN WOONG GI
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/312 , H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/78669 , H01L27/1248 , H01L27/1292 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L51/0533 , H01L51/0545
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thin film transistor, a method of manufacturing the same, and a display element which can obtain a gate insulating film with a high dielectric constant by stacking a first gate insulating film of sol-gel type with a high dielectric constant and a second gate insulating film made of amorphous silicon or a polymeric organic substance with a relatively low dielectric constant, so that the gate insulating film having a double layer is formed. SOLUTION: The method of manufacturing the thin film transistor includes the steps of: forming a gate electrode on a substrate; forming a semiconductor layer which is insulated from the gate electrode and partially overlaps the gate electrode; forming a first gate insulating film and a second gate insulating film in this order between the gate electrode and the semiconductor layer, the first gate insulating film containing a sol compound of silicon alkoxide and metal alkoxide, the second gate insulating film containing a different substance; and forming source/drain electrodes on both sides of the semiconductor layer. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：解决的问题：为了提供薄膜晶体管及其制造方法，以及通过层叠溶胶凝胶型第一栅极绝缘膜，能够获得具有高介电常数的栅极绝缘膜的显示元件具有高介电常数和由非晶硅或具有相对低的介电常数的聚合有机物质制成的第二栅极绝缘膜，从而形成具有双层的栅极绝缘膜。解决方案：制造薄膜晶体管的方法包括以下步骤：在衬底上形成栅电极; 形成与栅电极绝缘并部分地与栅电极重叠的半导体层; 在栅极和半导体层之间依次形成第一栅极绝缘膜和第二栅极绝缘膜，第一栅极绝缘膜含有硅醇盐和金属醇盐的溶胶化合物，第二栅极绝缘膜含有不同的物质; 以及在半导体层的两侧形成源/漏电极。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

2. 发明专利

DE102007060761A1 未知
公开(公告)号：DE102007060761A1
公开(公告)日：2008-07-17
申请号：DE102007060761
申请日：2007-12-17
申请人： LG PHILIPS LCD CO LTD
发明人： HEO JAE SEOK , JUN WOONG GI , KIM BYUNG GEOL
IPC分类号： G02F1/1368 , H01L27/12 , H01L49/02
摘要： A thin film transistor for an LCD device is disclosed, which comprises a gate electrode formed on a substrate; a gate insulation film formed of a high dielectric constant insulator having a bond structure of functional group, metal oxide, silicon and oxygen; and source and drain electrodes formed on the gate insulation film.

3. 发明专利

FR2910982A1 TRANSISTOR EN COUCHES MINCES POUR DISPOSITIF D'AFFICHAGE A CRISTAUX LIQUIDES 未知
公开(公告)号：FR2910982A1
公开(公告)日：2008-07-04
申请号：FR0709094
申请日：2007-12-26
申请人： LG PHILIPS LCD CO LTD
发明人： HEO JAE SEOK , JUN WOONG GI , KIM BYUNG GEOL
IPC分类号： G02F1/1368 , H01L29/786
摘要： Un transistor en couches minces pour un dispositif LCD est décrit, et comprend une électrode de grille (11) formée sur un substrat (10) ; un film d'isolation de grille (12) formé à partir d'un isolant à constante diélectrique élevée ayant une structure de liaison d'un groupe fonctionnel (R), oxyde métallique (Me), silicium (Si) et oxygène (O) ; et des électrodes source et drain (16a, 16b), formées sur le film d'isolation de grille.

4. 发明专利

FR2910982B1 TRANSISTOR EN COUCHES MINCES POUR DISPOSITIF D'AFFICHAGE A CRISTAUX LIQUIDES 未知
公开(公告)号：FR2910982B1
公开(公告)日：2013-12-27
申请号：FR0709094
申请日：2007-12-26
申请人： LG PHILIPS LCD CO LTD
发明人： HEO JAE SEOK , JUN WOONG GI , KIM BYUNG GEOL
IPC分类号： G02F1/1368 , H01L29/786

5. 发明专利

DE102006056689A1 未知
公开(公告)号：DE102006056689A1
公开(公告)日：2008-01-17
申请号：DE102006056689
申请日：2006-11-30
申请人： LG PHILIPS LCD CO LTD
发明人： CHAE GEE SUNG , HEO JAE SEOK , JUN WOONG GI
IPC分类号： H01L51/05 , H01L51/40
摘要： A method for fabricating a TFT on a substrate includes forming a gate electrode; forming a semiconductor layer insulated from the gate electrode and partially overlapped with the gate electrode; forming a gate insulating layer between the gate electrode and the semiconductor layer, the gate insulating layer including a sol-gel compound; and forming source and drain electrodes at both sides of the semiconductor layer.

6. 发明专利

DE102006055329A1 未知
公开(公告)号：DE102006055329A1
公开(公告)日：2008-01-17
申请号：DE102006055329
申请日：2006-11-23
申请人： LG PHILIPS LCD CO LTD
发明人： CHAE GEE SUNG , HEO JAE SEOK , JUN WOONG GI
IPC分类号： H01L21/84 , H01L29/786 , H01L51/10

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