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    • 8. 发明申请
    • BIPOLAR TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
    • 双极晶体管及其制造方法
    • US20130092939A1
    • 2013-04-18
    • US13543161
    • 2012-07-06
    • Nam Joo KIM
    • Nam Joo KIM
    • H01L29/737H01L21/331H01L29/73
    • H01L29/66272H01L29/0821H01L29/732
    • Disclosed are example bipolar transistors capable of reducing the area of a collector, reducing the distance between a base and a collector, and/or reducing the number of ion implantation processes. A bipolar transistor may includes a trench formed by etching a portion of a semiconductor substrate. A first collector may be formed on the inner wall of the trench. A second collector may be formed inside the semiconductor substrate in the inner wall of the trench. A first isolation film may be formed on the sidewall of the first collector. An intrinsic base may be connected to the third collector. An extrinsic base may be formed on the intrinsic base and inside the first isolation film. A second isolation film may be formed on the inner wall of the extrinsic base. An emitter may be formed by burying a conductive material inside the second isolation film.
    • 公开了能够减小集电极的面积,减小基极和集电极之间的距离和/或减少离子注入过程的数量的示例双极晶体管。 双极晶体管可以包括通过蚀刻半导体衬底的一部分而形成的沟槽。 可以在沟槽的内壁上形成第一集电器。 可以在沟槽的内壁中的半导体衬底的内部形成第二集电体。 可以在第一收集器的侧壁上形成第一隔离膜。 内部基座可以连接到第三收集器。 可以在本征基底和第一隔离膜内部形成非本征碱。 可以在外基的内壁上形成第二隔离膜。 可以通过在第二隔离膜内部埋入导电材料来形成发射极。