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1. 发明专利

JP2014045198A METHOD OF MANUFACTURING AVALANCHE PHOTODIODE BY Bi-CMOS PROCESS 有权
标题翻译：通过Bi-CMOS工艺制造AVALANCHE光电子的方法
公开(公告)号：JP2014045198A
公开(公告)日：2014-03-13
申请号：JP2013194906
申请日：2013-09-20
申请人： Koninklijke Philips Nv , コーニンクレッカフィリップスエヌヴェ
发明人： ANCO HERINGA , THOMAS FRACH , AGARWAL PRABHAT
IPC分类号： H01L31/107 , G01T1/161 , G01T1/20 , H01L27/144 , H01L27/146
CPC分类号： H01L31/115 , H01L27/1446 , H01L31/107 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photodiode that prevents breakdown at a pn-junction end.SOLUTION: A radiation detector 46 includes a semiconductor layer 12 formed on a substrate 14 and a scintillator 30 formed on the semiconductor layer 12. The semiconductor layer 12 includes an n-type doped region 16 disposed so as to be adjacent to the substrate 14 and a p-type doped region 18 disposed so as to be adjacent to the n-type doped region 16. In the semiconductor layer 12, a trench 20 is formed. The trench 20 surrounds the p-type doped region 18, reduces the curvature of a pn junction at an end of the pn junction, and is filled with material 22 that prevents breakdown at the end. The scintillator 30 is disposed on the p-type doped region 18 so as to be optically coupled to the region 18. The radiation detector 46 further includes at least one conductive electrode 24 being electrically in contact with the n-type doped region 16.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种防止pn结端破坏的光电二极管。解决方案：辐射检测器46包括形成在基板14上的半导体层12和形成在半导体层12上的闪烁体30.半导体层12 包括以与衬底14相邻的方式设置的n型掺杂区域16和与n型掺杂区域16相邻设置的p型掺杂区域18.在半导体层12中，沟槽20 形成了。沟槽20围绕p型掺杂区域18，减小了在pn结端部的pn结的曲率，并且填充有材料22，该材料22防止了末端的破坏。闪烁体30设置在p型掺杂区域18上以便光学耦合到区域18.辐射检测器46还包括至少一个与n型掺杂区域16电接触的导电电极24。

2. 发明专利

BRPI0610720B1 “pixel detector para uso em conjunto com um cintilador que converte uma partícula de radiação para uma rajada de luz, detector de radiação, sistema de geração de imagem de tomografia por emissão de pósitron de duração de trajetória (tof-pet), 5 método executado em conjunto com um cintilador que converte uma partícula de radiação para uma rajada de luz, e detector de radiação que inclui um cintilador e circuitos” 未知
公开(公告)号：BRPI0610720B1
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：BRPI0610720
申请日：2006-04-10
申请人： KONINKLIJKE PHILIPS NV , KONINL PHILIPS ELECTRONICS NV
发明人： KLAUS FIEDLER , THOMAS FRACH
IPC分类号： G01T1/164
摘要： pixel detector, detector, sistema de geração de imagem de tomografia por emissão de pósitron, método executado em conjunto com um cintilador, métodos para produzir uma imagem médica, e para desabilitxr células de um detector de geração de imagem, detector de geração de imagem, e, método de calibração para um detector de geração de imagem um detector de radiação (10) inclui um arranjo de pixéis detectores (22), cada um incluindo um arranjo de células detectoras (50, 50', 50"). cada célula detectora inclui um fotodiodo (52) polarizado em uma região de ruptura e circuitos digitais (54, 54', 54") acoplados ao fotodiodo, e configurados para emitir um primeiro valor digital em um estado quiescente e um segundo valor digital sensível à detecção de um fóton pelo fotodiodo. circuitos de disparo digitais (60, 60', 60", 84) são configurados para emitir um sinal de disparo indicativo de um início de um período de tempo de integração, sensível a um número selecionado de uma ou mais células detectoras em transição do primeiro valor digital para o segundo valor digital. circuitos digitais de leitura (66, 82) acumulam uma contagem de um número de transições de células detectoras do arranjo de células detectoras do primeiro estado digital para o segundo estado digital através do período de tempo de integração.

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