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    • 2. 发明申请
    • VORRICHTUNG ZUM ÄTZEN VON HALBLEITER-WAFERN MIT EINER INLINE-PROZESSKONTROLLE
    • 设备蚀刻半导体晶圆通过与在线过程控制
    • WO2012034854A1
    • 2012-03-22
    • PCT/EP2011/064966
    • 2011-08-31
    • ROBERT BOSCH GMBHPILASKI, MilanHAMMER, Christoph
    • PILASKI, MilanHAMMER, Christoph
    • H01L21/67
    • H01L21/67253H01L21/67086
    • Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Ätzen von Halbleiter-Wafern, insbesondere Silizium-Wafern für Solarzellen. Die Vorrichtung weist ein Ätz-Gefäß für eine Ätzflüssigkeit auf. Die Vorrichtung weist auch ein mit dem Ätz-Gefäß mittels wenigstens einer Fluidleitung verbundenes Vorratsgefäß für die Ätzflüssigkeit auf. Die Vorrichtung weist auch eine Umwälzpumpe auf, welche mit dem Ätz-Gefäß und dem Vorratsgefäß verbunden und ausgebildet ist, einen Fluidkreislauf ausgehend von dem Ätz-Gefäß über das Vorratsgefäß und über die Fluidleitung zurück zum Ätz-Gefäß zu erzeugen. Erfindungsgemäß weist die Vorrichtung eine mit dem Fluidkreislauf verbundene Erfassungsvorrichtung auf. Die Erfassungsvorrichtung ist ausgebildet, eine Konzentration, insbesondere einen Verbrauch wenigstens einer Komponente der Ätzflüssigkeit zu erfassen und ein die Konzentration repräsentierendes Konzentrationssignal zu erzeugen und dieses ausgangsseitig auszugeben.
    • 本发明涉及一种装置,用于蚀刻半导体晶片,特别是硅晶片的太阳能电池。 该设备包括用于蚀刻液的蚀刻容器。 该装置还具有一个端部通过用于蚀刻液体的至少一个流体管线储存容器的装置连接到所述蚀刻容器。 该装置还包括一个循环泵,其连接到蚀刻容器和储存容器和被配置为从通过所述储存容器和通过流体管道回蚀刻容器中的蚀刻容器开始的流体回路。 根据本发明,该设备包括连接到所述流体回路的检测装置。 所述检测装置被配置为检测该刻蚀液中的至少一种组分,并产生表示所述浓度信号和输出侧输出该浓度的浓度,尤其是消费。