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    • 10. 发明申请
    • Method of forming a fine pattern
    • 形成精细图案的方法
    • US20080076071A1
    • 2008-03-27
    • US11588496
    • 2006-10-28
    • Seok-Hyun LimChang-Jin KangGyung-Jin MinSeung-Pil ChungDong-Seok Lee
    • Seok-Hyun LimChang-Jin KangGyung-Jin MinSeung-Pil ChungDong-Seok Lee
    • G03F7/00
    • H01L21/31144H01L21/0337H01L21/0338H01L21/76816
    • First, second and third layers are formed on a substrate for forming a fine pattern. A first mask pattern having a first space is formed on the third layer. A third layer pattern having a second space exposing the second layer is formed. A first sacrificial layer is formed on the second layer having the third layer pattern. A fourth layer is formed on the first sacrificial layer. A double mask pattern including the first and second mask patterns is formed using the second mask pattern in the second space. A second sacrificial layer is formed on the first sacrificial layer. A sacrificial layer pattern having a third space is formed by removing the double mask pattern, the third layer pattern, and a portion of the first sacrificial layer. An insulation layer pattern is formed by removing a portion of the first and second layers.
    • 首先,在用于形成精细图案的基板上形成第二和第三层。 具有第一空间的第一掩模图案形成在第三层上。 形成具有暴露第二层的第二空间的第三层图案。 在具有第三层图案的第二层上形成第一牺牲层。 在第一牺牲层上形成第四层。 使用第二空间中的第二掩模图案形成包括第一和第二掩模图案的双掩模图案。 在第一牺牲层上形成第二牺牲层。 通过去除双掩模图案,第三层图案和第一牺牲层的一部分来形成具有第三空间的牺牲层图案。 通过去除第一层和第二层的一部分来形成绝缘层图案。