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1. 发明授权

US08383441B2 Method for manufacturing a micromachined device and the micromachined device made thereof 有权
标题翻译：微加工装置的制造方法及其制造的微加工装置
公开(公告)号：US08383441B2
公开(公告)日：2013-02-26
申请号：US13010923
申请日：2011-01-21
申请人： Joumana El Rifai , Ann Witvrouw , Ahmed Abdel Aziz , Sherif Sedky
发明人： Joumana El Rifai , Ann Witvrouw , Ahmed Abdel Aziz , Sherif Sedky
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： B81C1/00666 , B81C1/00698
摘要： Methods for manufacturing micromachined devices and the devices obtained are disclosed. In one embodiment, the method comprises providing a structural layer comprising an amorphous semiconductor material, forming a shielding layer on a first portion of the structural layer and leaving exposed a second portion of the structural layer, and annealing the second portion using a first fluence. The method further comprises removing the shielding layer, and annealing the first portion and the second portion using a second fluence that is less than half the first fluence. In an embodiment, the device comprises a substrate layer, an underlying layer formed on the substrate layer, and a sacrificial layer formed on only a portion of the underlying layer. The device further comprises a structural layer that is in contact with the underlying layer and comprises a first region annealed using a first fluence and a second region annealed using a second fluence.
摘要翻译：公开了制造微加工装置和所获得的装置的方法。在一个实施例中，该方法包括提供包括非晶半导体材料的结构层，在结构层的第一部分上形成屏蔽层，并留下暴露的结构层的第二部分，并且使用第一注量使第二部分退火。该方法还包括去除屏蔽层，并且使用小于第一注量的一半的第二注量来退火第一部分和第二部分。在一个实施例中，该器件包括衬底层，形成在衬底层上的下层，以及仅在下层的一部分上形成的牺牲层。该装置还包括与下面的层接触的结构层，并且包括使用第一注量退火的第一区域和使用第二能量密度退火的第二区域。

2. 发明申请

US20110180886A1 Method for Manufacturing a Micromachined Device and the Micromachined Device Made Thereof 有权
标题翻译：微加工装置的制造方法及其制造的微加工装置
公开(公告)号：US20110180886A1
公开(公告)日：2011-07-28
申请号：US13010923
申请日：2011-01-21
申请人： Joumana El Rifai , Ann Witvrouw , Ahmed Kamal Said Abdel Aziz , Sherif Sedky
发明人： Joumana El Rifai , Ann Witvrouw , Ahmed Kamal Said Abdel Aziz , Sherif Sedky
IPC分类号： H01L29/84 , H01L21/477
CPC分类号： B81C1/00666 , B81C1/00698
摘要： Methods for manufacturing micromachined devices and the devices obtained are disclosed. In one embodiment, the method comprises providing a structural layer comprising an amorphous semiconductor material, forming a shielding layer on a first portion of the structural layer and leaving exposed a second portion of the structural layer, and annealing the second portion using a first fluence. The method further comprises removing the shielding layer, and annealing the first portion and the second portion using a second fluence that is less than half the first fluence. In an embodiment, the device comprises a substrate layer, an underlying layer formed on the substrate layer, and a sacrificial layer formed on only a portion of the underlying layer. The device further comprises a structural layer that is in contact with the underlying layer and comprises a first region annealed using a first fluence and a second region annealed using a second fluence.
摘要翻译：公开了制造微加工装置和所获得的装置的方法。在一个实施例中，该方法包括提供包括非晶半导体材料的结构层，在结构层的第一部分上形成屏蔽层，并留下暴露的结构层的第二部分，并且使用第一注量使第二部分退火。该方法还包括去除屏蔽层，并且使用小于第一注量的一半的第二注量来退火第一部分和第二部分。在一个实施例中，该器件包括衬底层，形成在衬底层上的下层，以及仅在下层的一部分上形成的牺牲层。该装置还包括与下面的层接触的结构层，并且包括使用第一注量退火的第一区域和使用第二能量密度退火的第二区域。

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