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    • 8. 发明申请
    • Resistive Random Access Memory Devices Including Sidewall Resistive Layers and Related Methods
    • 包括侧壁电阻层的电阻随机存取存储器件及相关方法
    • US20080247219A1
    • 2008-10-09
    • US12062042
    • 2008-04-03
    • Suk-Hun ChoiIn-Gyu BaekSeong-Kyu YunJong-Heun LimChagn-Ki HongBo-Un Yoon
    • Suk-Hun ChoiIn-Gyu BaekSeong-Kyu YunJong-Heun LimChagn-Ki HongBo-Un Yoon
    • G11C11/00H01C17/00
    • H01L45/04H01C17/06533H01L27/2409H01L27/2472H01L45/1233H01L45/146H01L45/1666Y10T29/49082
    • A resistive random access memory (RRAM) device may include a first metal pattern on a substrate, a first insulating layer on the first metal pattern and on the substrate, an electrode, a second insulating layer on the first insulating layer, a resistive memory layer, and a second metal pattern. Portions of the first metal pattern may be between the substrate and the first insulating layer, and the first insulating layer may have a first opening therein exposing a portion of the first metal pattern. The electrode may be in the opening with the electrode being electrically coupled with the exposed portion of the first metal pattern. The first insulating layer may be between the second insulating layer and the substrate, and the second insulating layer may have a second opening therein exposing a portion of the electrode. The resistive memory layer may be on side faces of the second opening and on portions of the electrode, and the second metal pattern may be in the second opening with the resistive memory layer between the second metal pattern and the side faces of the second opening and between the second metal pattern and the electrode. Related methods are also discussed.
    • 电阻随机存取存储器(RRAM)器件可以包括衬底上的第一金属图案,第一金属图案上的第一绝缘层和衬底上的第一绝缘层,电极,第一绝缘层上的第二绝缘层,电阻存储层 ,和第二金属图案。 第一金属图案的部分可以在基板和第一绝缘层之间,并且第一绝缘层可以具有其中暴露第一金属图案的一部分的第一开口。 电极可以在开口中,其中电极与第一金属图案的暴露部分电耦合。 第一绝缘层可以在第二绝缘层和衬底之间,并且第二绝缘层可以具有暴露电极的一部分的第二开口。 电阻性存储层可以在第二开口的侧面和电极的部分上,并且第二金属图案可以在第二开口中,第二金属图案和第二开口的侧面之间的电阻性存储层, 在第二金属图案和电极之间。 还讨论了相关方法。