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1. 发明授权

US08300486B2 Temperature detection circuit of semiconductor memory apparatus 有权
标题翻译：半导体存储装置的温度检测电路
公开(公告)号：US08300486B2
公开(公告)日：2012-10-30
申请号：US12650073
申请日：2009-12-30
申请人： Je-Yoon Kim , Jong-Chern Lee
发明人： Je-Yoon Kim , Jong-Chern Lee
IPC分类号： G11C7/04
CPC分类号： G11C7/04 , G11C11/406 , G11C11/40626
摘要： A temperature detection circuit of a semiconductor memory apparatus includes a fixed period oscillator, a temperature variable signal generating unit and a counting unit. The oscillator is configured to generate a fixed period oscillator signal when an enable signal is enabled. The temperature variable signal generating unit is configured to generate a temperature variable signal whose enable interval varies based on temperature variations, when the enable signal is enabled. The counting unit is configured to count the oscillator signal during the enable interval of the temperature variable signal to generate a temperature information signal.
摘要翻译：半导体存储装置的温度检测电路包括固定周期振荡器，温度可变信号发生单元和计数单元。振荡器被配置为当启用使能信号时产生固定周期振荡器信号。温度可变信号发生单元被配置为当使能信号被使能时，产生其使能间隔基于温度变化而变化的温度可变信号。计数单元被配置为在温度可变信号的使能间隔期间对振荡器信号进行计数，以产生温度信息信号。

2. 发明授权

US08045400B2 Circuit and method for controlling read cycle 有权
标题翻译：用于控制读周期的电路和方法
公开(公告)号：US08045400B2
公开(公告)日：2011-10-25
申请号：US12495269
申请日：2009-06-30
申请人： Je-Yoon Kim , Jong-Chern Lee
发明人： Je-Yoon Kim , Jong-Chern Lee
IPC分类号： G11C7/00
CPC分类号： G11C19/00
摘要： A circuit for controlling the read cycle includes plurality of shift stages configured to sequentially shift read signals; and an activating unit configured to activate a read cycle signal which represents a read cycle, by performing logical operation for output signals of the plurality of the shift stages, wherein the plurality of the shift stages are configured to sequentially shift the read signals for a period corresponding to burst setting information.
摘要翻译：用于控制读周期的电路包括被配置为依次移位读信号的多个移位级; 以及激活单元，被配置为通过对所述多个移位级的输出信号执行逻辑运算来激活表示读取周期的读取周期信号，其中所述多个移位级被配置为将所读取的信号顺序地移位一段时间对应于突发设置信息。

3. 发明申请

US20100290263A1 CIRCUIT AND METHOD FOR CONTROLLING READ CYCLE 有权
标题翻译：用于控制读取周期的电路和方法
公开(公告)号：US20100290263A1
公开(公告)日：2010-11-18
申请号：US12495269
申请日：2009-06-30
申请人： Je-Yoon Kim , Jong-Chern Lee
发明人： Je-Yoon Kim , Jong-Chern Lee
IPC分类号： G11C19/00 , G11C7/00
CPC分类号： G11C19/00
摘要： A circuit for controlling the read cycle includes plurality of shift stages configured to sequentially shift read signals; and an activating unit configured to activate a read cycle signal which represents a read cycle, by performing logical operation for output signals of the plurality of the shift stages, wherein the plurality of the shift stages are configured to sequentially shift the read signals for a period corresponding to burst setting information.
摘要翻译：用于控制读周期的电路包括被配置为依次移位读信号的多个移位级; 以及激活单元，被配置为通过对所述多个移位级的输出信号执行逻辑运算来激活表示读取周期的读取周期信号，其中所述多个移位级被配置为将所读取的信号顺序地移位一段时间对应于突发设置信息。

4. 发明申请

US20110267900A1 SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE 有权
标题翻译：半导体存储器件
公开(公告)号：US20110267900A1
公开(公告)日：2011-11-03
申请号：US12980616
申请日：2010-12-29
申请人： Je-Yoon Kim
发明人： Je-Yoon Kim
IPC分类号： G11C7/06 , G11C7/00
CPC分类号： G11C7/1078 , G11C7/1051 , G11C7/1057 , G11C7/1084 , G11C11/16 , G11C13/00 , G11C29/028 , G11C29/50008 , G11C2029/0409 , G11C2207/2254
摘要： A semiconductor memory device includes a pad, an impedance calibration circuit configured to provide a first code value corresponding to an impedance value coupled to the pad, a PVT sensing control circuit configured to provide a second code value corresponding to a PVT variation, and an output driver configured to receive data and to pull up or pull down the pad in response to the first code value and second code value.
摘要翻译：半导体存储器件包括焊盘，阻抗校准电路，被配置为提供与耦合到焊盘的阻抗值对应的第一代码值，PVT感测控制电路，被配置为提供对应于PVT变化的第二代码值，以及输出驱动器被配置为接收数据并且响应于第一代码值和第二代码值来上拉或下拉焊盘。

5. 发明授权

US08416634B2 Semiconductor memory device 有权
标题翻译：半导体存储器件
公开(公告)号：US08416634B2
公开(公告)日：2013-04-09
申请号：US12980616
申请日：2010-12-29
申请人： Je-Yoon Kim
发明人： Je-Yoon Kim
IPC分类号： G11C7/00
CPC分类号： G11C7/1078 , G11C7/1051 , G11C7/1057 , G11C7/1084 , G11C11/16 , G11C13/00 , G11C29/028 , G11C29/50008 , G11C2029/0409 , G11C2207/2254
摘要： A semiconductor memory device includes a pad, an impedance calibration circuit configured to provide a first code value corresponding to an impedance value coupled to the pad, a PVT sensing control circuit configured to provide a second code value corresponding to a PVT variation, and an output driver configured to receive data and to pull up or pull down the pad in response to the first code value and second code value.
摘要翻译：半导体存储器件包括焊盘，阻抗校准电路，被配置为提供对应于耦合到焊盘的阻抗值的第一代码值，PVT感测控制电路，被配置为提供对应于PVT变化的第二代码值，以及输出驱动器被配置为接收数据并且响应于第一代码值和第二代码值来上拉或下拉焊盘。

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