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1. 发明申请

US20050069816A1 Process for forming a fine pattern using a top-coating composition for a photoresist and product formed by same 失效
标题翻译：使用用于光刻胶的顶涂组合物和由其形成的产品形成精细图案的方法
公开(公告)号：US20050069816A1
公开(公告)日：2005-03-31
申请号：US10993869
申请日：2004-11-19
申请人： Jae Chang Jung , Keun Kong , Hyeong Kim , Jin Kim , Cha Koh , Sung Hong , Geun Lee , Min Jung , Ki Baik
发明人： Jae Chang Jung , Keun Kong , Hyeong Kim , Jin Kim , Cha Koh , Sung Hong , Geun Lee , Min Jung , Ki Baik
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/11 , G03C1/76
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/0045
摘要： The present invention provides a process for using an amine contamination-protecting top-coating composition. Preferably, the amine contamination-protecting top-coating composition of the present invention comprises an amine contamination-protecting compound. Useful amine contamination-protecting compounds include amine derivatives; amino acid derivatives; amide derivatives; urethane derivatives; urea derivatives; salts thereof; and mixtures thereof. The amine contamination-protecting top-coating composition of the present invention reduces or eliminates problems such as T-topping due to a post exposure delay effect and/or difficulties in forming a fine pattern below 100 nm due to acid diffusion associated with conventional lithography processes involving a photoresist polymer containing an alicyclic main chain using a light source, such as KrF (248 nm), ArF (193 nm), F2 (157 nm), E-beam, ion beam and extremely ultraviolet (EUV).
摘要翻译：本发明提供了使用胺类污染物保护性顶涂层组合物的方法。优选地，本发明的胺污染保护性顶涂剂组合物包含胺污染保护化合物。有用的胺污染保护化合物包括胺衍生物; 氨基酸衍生物; 酰胺衍生物; 氨基甲酸酯衍生物; 尿素衍生物; 的盐; 及其混合物。本发明的胺污染保护性顶涂剂组合物由于后曝光延迟效应而降低或消除诸如T形顶部的问题和/或由于与常规光刻工艺相关的酸扩散而难以形成低于100nm的精细图案包括使用KrF（248nm），ArF（193nm），F2（157nm），电子束，离子束和极紫外（EUV）的光源的含有脂环族主链的光致抗蚀剂聚合物。

2. 发明授权

US08133547B2 Photoresist coating composition and method for forming fine contact of semiconductor device 失效
标题翻译：光刻胶涂料组合物和形成半导体器件精细接触的方法
公开(公告)号：US08133547B2
公开(公告)日：2012-03-13
申请号：US11772578
申请日：2007-07-02
申请人： Jae Chang Jung
发明人： Jae Chang Jung
IPC分类号： C08F2/46
CPC分类号： C09D133/08 , G03F7/40
摘要： A coating composition containing a coating base resin and a C4-C10 alcohol as a main solvent, and a method for forming a fine contact of a semiconductor device including the steps of preparing the coating composition, forming a photoresist film on a semiconductor substrate having an underlying layer, performing exposure with a contact mask and developing processes to form a photoresist pattern for contact on the photoresist film, and coating the coating composition on the photoresist pattern to form a coating film.
摘要翻译：含有涂料基础树脂和C4-C10醇作为主要溶剂的涂料组合物以及形成半导体器件的微细接触的方法包括以下步骤：制备该涂料组合物，在具有下层，用接触掩模进行曝光和显影工艺以形成用于在光致抗蚀剂膜上接触的光致抗蚀剂图案，以及在光致抗蚀剂图案上涂覆涂料组合物以形成涂膜。

3. 发明授权

US08067146B2 Method for forming a fine pattern in a semicondutor device 失效
标题翻译：在半导体器件中形成精细图案的方法
公开(公告)号：US08067146B2
公开(公告)日：2011-11-29
申请号：US11759667
申请日：2007-06-07
申请人： Jae Chang Jung
发明人： Jae Chang Jung
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/0035 , H01L21/0273 , H01L21/0337 , Y10S430/162
摘要： A method for forming a fine pattern a semiconductor device includes the steps of forming a first photoresist pattern over a semiconductor substrate having an underlying layer; coating a pattern hardening coating agent over the first photoresist pattern, thereby forming a pattern hardening film; forming a second photoresist film over the resulting structure; and selectively exposing and developing the second photoresist film, thereby forming a second photoresist pattern to be defined between neighboring first photoresist pattern.
摘要翻译：一种用于形成半导体器件的精细图案的方法包括以下步骤：在具有下层的半导体衬底上形成第一光致抗蚀剂图案; 在第一光致抗蚀剂图案上涂覆图案硬化涂层剂，从而形成图案硬化膜; 在所得结构上形成第二光致抗蚀剂膜; 并选择性地曝光和显影第二光致抗蚀剂膜，从而形成在相邻的第一光致抗蚀剂图案之间限定的第二光致抗蚀剂图案。

4. 发明授权

US07977035B2 Method for forming fine pattern of semiconductor device 失效
标题翻译：用于形成半导体器件精细图案的方法
公开(公告)号：US07977035B2
公开(公告)日：2011-07-12
申请号：US11617445
申请日：2006-12-28
申请人： Jae Chang Jung
发明人： Jae Chang Jung
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： H01L21/32139 , H01L21/0337 , H01L21/0338
摘要： A method for manufacturing a fine pattern of a semiconductor device comprising: forming hard mask patterns having a thickness of t1 over an underlying layer; forming a light penetrable thin film having a thickness of t2 over the hard mask pattern; forming a light absorbable thin film over light penetrable thin film; performing an exposure process on the resulting structure without use of an exposure mask while controlling an amount of exposure energy such that an exposure light reaches a depth T measured from a top surface of the light penetrable thin film to a top surface of the underlying layer such that t2
摘要翻译：一种用于制造半导体器件的精细图案的方法，包括：在下层上形成厚度为t1的硬掩模图案; 在硬掩模图案上形成厚度为t2的可透光薄膜; 在光穿透薄膜上形成可吸收光的薄膜; 在不使用曝光掩模的同时对所得到的结构进行曝光处理，同时控制曝光能量的量，使得曝光光达到从透光薄膜的顶表面到底层的顶表面测量的深度T， t2

5. 发明授权

US07807336B2 Method for manufacturing semiconductor device 失效
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：US07807336B2
公开(公告)日：2010-10-05
申请号：US11468080
申请日：2006-08-29
申请人： Sung Koo Lee , Jae Chang Jung
发明人： Sung Koo Lee , Jae Chang Jung
IPC分类号： G03F7/00
CPC分类号： H01L21/0337 , H01L21/0276 , H01L21/0338 , Y10S430/151
摘要： Disclosed herein is a method for manufacturing a semiconductor device that includes performing an O2 plasma treatment step after forming a Si-containing anti-reflection film.
摘要翻译：本文公开了一种制造半导体器件的方法，其包括在形成含Si抗反射膜之后执行O 2等离子体处理步骤。

6. 发明申请

US20100176492A1 Method for Forming a Pattern on a Semiconductor Using an Organic Hard Mask 失效
标题翻译：使用有机硬掩模在半导体上形成图案的方法
公开(公告)号：US20100176492A1
公开(公告)日：2010-07-15
申请号：US12730163
申请日：2010-03-23
申请人： Jae Chang Jung
发明人： Jae Chang Jung
IPC分类号： G03F7/20 , H01L29/00
CPC分类号： H01L21/0274 , G03F7/0387 , H01L21/312
摘要： A composition for the organic hard mask includes a polyamic acid compound, and a method for forming a pattern is used in a manufacturing process of semiconductor devices by coating the composition for organic hard mask film on an underlying layer, and depositing a second hard mask film with a silicon nitride SiON film thereon to form a double hard mask film having an excellent etching selectivity, thereby obtaining a uniform pattern.
摘要翻译：有机硬掩模用组合物包括聚酰胺酸化合物，在半导体器件的制造工序中，通过将下述有机硬掩模膜用组合物涂布在基底层上，将第二硬掩模膜在其上形成氮化硅SiON膜以形成具有优异蚀刻选择性的双重硬掩模膜，从而获得均匀的图案。

7. 发明授权

US07655568B2 Method for manufacturing underlying pattern of semiconductor device 失效
标题翻译：制造半导体器件底层图案的方法
公开(公告)号：US07655568B2
公开(公告)日：2010-02-02
申请号：US11468084
申请日：2006-08-29
申请人： Sung Koo Lee , Jae Chang Jung
发明人： Sung Koo Lee , Jae Chang Jung
IPC分类号： H01L21/311
CPC分类号： H01L21/0276 , H01L21/0337 , H01L21/0338
摘要： Disclosed herein is a method for manufacturing a semiconductor device that includes performing an O2 plasma treatment step after forming a Si-containing photoresist film.
摘要翻译：本文公开了一种制造半导体器件的方法，其包括在形成含Si光致抗蚀剂膜之后执行O 2等离子体处理步骤。

8. 发明授权

US07514200B2 Hard mask composition for lithography process 有权
标题翻译：用于光刻工艺的硬掩模组合物
公开(公告)号：US07514200B2
公开(公告)日：2009-04-07
申请号：US11633167
申请日：2006-12-04
申请人： Jae Chang Jung
发明人： Jae Chang Jung
IPC分类号： G03C1/73 , G03F7/20 , G03F7/30 , G03F7/36
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/0752
摘要： An inorganic hard mask composition, which is useful in the manufacture of semiconductor devices. When an underlying layer pattern of a semiconductor device is formed, an inorganic hard mask film having an excellent etching selectivity to an organic hard mask is further coated over an organic hard mask film and used as a hard mask, thereby facilitating etching of fine patterns.
摘要翻译：一种无机硬掩模组合物，其可用于制造半导体器件。当形成半导体器件的下层图案时，对有机硬掩模膜具有优异的蚀刻选择性的无机硬掩模膜进一步涂覆在有机硬掩模膜上并用作硬掩模，从而有利于蚀刻精细图案。

9. 发明授权

US07494935B2 Method for forming fine pattern of semiconductor device 失效
标题翻译：用于形成半导体器件精细图案的方法
公开(公告)号：US07494935B2
公开(公告)日：2009-02-24
申请号：US11679176
申请日：2007-02-26
申请人： Jae Chang Jung , Seung Chan Moon , Cheol Kyu Bok , Myoung Ja Min , Keun Do Ban , Hee Youl Lim
发明人： Jae Chang Jung , Seung Chan Moon , Cheol Kyu Bok , Myoung Ja Min , Keun Do Ban , Hee Youl Lim
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/461
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/0035
摘要： A method for forming a fine pattern of a semiconductor device includes forming a first photoresist film pattern over a semiconductor substrate including an underlying layer, exposing the first photoresist film pattern to generate an acid from the first photoresist film pattern, bleaching the first photoresist film pattern, and forming a second photoresist film pattern between the first photoresist patterns.
摘要翻译：一种用于形成半导体器件的精细图案的方法包括在包括下层的半导体衬底上形成第一光致抗蚀剂膜图案，暴露第一光致抗蚀剂膜图案以从第一光致抗蚀剂膜图案产生酸，漂白第一光致抗蚀剂膜图案并且在第一光致抗蚀剂图案之间形成第二光致抗蚀剂图案。

10. 发明授权

US07381519B2 Top anti-reflective coating polymer, its preparation method and top anti-reflective coating composition comprising the same 失效
标题翻译：顶级抗反射涂料聚合物，其制备方法和包含其的顶部抗反射涂料组合物
公开(公告)号：US07381519B2
公开(公告)日：2008-06-03
申请号：US11158965
申请日：2005-06-22
申请人： Jae Chang Jung , Cheol Kyu Bok , Chang Moon Lim , Seung Chan Moon
发明人： Jae Chang Jung , Cheol Kyu Bok , Chang Moon Lim , Seung Chan Moon
IPC分类号： G03F7/38 , G03F7/30 , G03F7/11 , G03F7/095
CPC分类号： G03F7/091 , C08F220/06 , C08F220/18 , C08F222/06 , C08F232/08 , G03F7/0045 , G03F7/0046
摘要： Disclosed herein is a top anti-reflective coating polymer and its composition comprising the same represented by Formula 1 below: wherein R1 and R2 are independently, hydrogen, methyl or fluoromethyl; R3 and R4 are independently, a C1-10hydrocarbon or a C1-10 hydrocarbon in which the hydrogen atoms are wholly or partly replaced by fluorine atoms; and a, b, c, d and e represent the mole fraction of each monomer and are in the range between about 0.05 and about 0.9, such that the sum of a, b, c, d, and e equals one.
摘要翻译：本文公开了顶部抗反射涂层聚合物及其组合物，其包含与下式1表示的相同的基团：其中R 1和R 2独立地为氢，甲基或氟甲基 ; R 3和R 4独立地为C 1-10烷基或C 1-10烷基，其中C 1〜氢原子被氟原子全部或部分取代; 并且a，b，c，d和e表示各单体的摩尔分数，并且在约0.05和约0.9之间的范围内，使得a，b，c，d和e之和等于1。

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