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1. 发明公开

EP0043458A3 Process for forming a metallurgy interconnection system 失效
标题翻译：形成金属互连系统的过程
公开(公告)号：EP0043458A3
公开(公告)日：1982-06-16
申请号：EP81104439
申请日：1981-06-10
申请人： International Business Machines Corporation
发明人： Chang, Kenneth , Chiu, George Tein-Chu , Hoeg, Anthony John, Jr. , Lee, Linda Hwa-Chun
IPC分类号： G03F07/26 , H05K03/06 , H01L23/50
CPC分类号： G03F7/0035 , H05K3/0041 , H05K3/064 , H05K3/107 , H05K3/146 , H05K3/16 , H05K3/465 , H05K3/467 , H05K2201/0166 , H05K2201/0376 , H05K2201/09563 , H05K2203/0588 , H05K2203/0786 , H05K2203/095
摘要： In the process a first and a second layer (12 or 14 respectively) of insulative material, first layer (12) being etchable selectively in the presence of second layer (14) and a photoresist layer (16), are deposited successively. A pattern corresponding to the negative of the desires metallurgy pattern is formed photolithographically followed by the etching of the areas of layers (12) and (14) not covered by the photoresist. Then a blanket metal layer (24) is deposited. Thereon a planarizing photoresist layer (26, 28) is applied and subsequently etched to expose high spots (32) of metal layer (24), and finally metal high spots (32) are etched to a depth sufficient to expose the surface of second layer (14). The process is useful in forming planar single- or multilevel metal interconnection systems for integrated circuits with high component density.

2. 发明公开

EP0043458A2 Process for forming a metallurgy interconnection system 失效
标题翻译： Verfahren zur Herstellung einer Anordnung metallischer Verbindungsleiter。
公开(公告)号：EP0043458A2
公开(公告)日：1982-01-13
申请号：EP81104439.5
申请日：1981-06-10
申请人： International Business Machines Corporation
发明人： Chang, Kenneth , Chiu, George Tein-Chu , Hoeg, Anthony John, Jr. , Lee, Linda Hwa-Chun
IPC分类号： G03F7/26 , H05K3/06 , H01L23/50
CPC分类号： G03F7/0035 , H05K3/0041 , H05K3/064 , H05K3/107 , H05K3/146 , H05K3/16 , H05K3/465 , H05K3/467 , H05K2201/0166 , H05K2201/0376 , H05K2201/09563 , H05K2203/0588 , H05K2203/0786 , H05K2203/095
摘要： In the process a first and a second layer (12 or 14 respectively) of insulative material, first layer (12) being etchable selectively in the presence of second layer (14) and a photoresist layer (16), are deposited successively. A pattern corresponding to the negative of the desires metallurgy pattern is formed photolithographically followed by the etching of the areas of layers (12) and (14) not covered by the photoresist. Then a blanket metal layer (24) is deposited. Thereon a planarizing photoresist layer (26, 28) is applied and subsequently etched to expose high spots (32) of metal layer (24), and finally metal high spots (32) are etched to a depth sufficient to expose the surface of second layer (14).
The process is useful in forming planar single- or multilevel metal interconnection systems for integrated circuits with high component density.
摘要翻译：在该过程中，连续地沉积绝缘材料的第一层和第二层（分别为12或14），在第二层（14）和光致抗蚀剂层（16）的存在下可选择性地蚀刻第一层（12）。光刻地形成对应于欲望冶金图案的负的图案，然后蚀刻未被光致抗蚀剂覆盖的层（12）和（14）的区域。然后沉积橡皮布金属层（24）。在其上施加平坦化光致抗蚀剂层（26,28），随后蚀刻以暴露金属层（24）的高光斑（32），最后金属高光斑（32）被蚀刻到足以露出第二层的表面的深度（14）。 ...该方法可用于形成具有高组件密度的集成电路的平面单金属或多层金属互连系统。

3. 发明公开

EP0008359A2 Verfahren zum Herstellen einer Dünnfilmstruktur 失效
标题翻译：一种制造薄膜结构的方法。
公开(公告)号：EP0008359A2
公开(公告)日：1980-03-05
申请号：EP79102450.8
申请日：1979-07-16
申请人： International Business Machines Corporation
发明人： Chang, Kenneth , Cosman, David Cecil , Gartner, Helmut Matthew , Hoeg Jr., Anthony John
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/90 , H01L21/308 , G03F7/02
CPC分类号： H01L21/32136 , G03F7/094 , H01L21/0332 , H01L21/32137 , H01L21/76802
摘要： Bei dem Verfahren zur Herstellung einer Dünnfilm- struktur werden auf einem Substrat (2) ein erster und zweiter Dünnfilm (4,6), welche sich in ihren Ätzeigenschaften unterscheiden, und eine strahlungsempfindliche Lackschicht (7) aufgebracht. In der Lackschicht (7) und in dem Dünnfilm (6) werden Öffnungen (9, 10) erzeugt. Mit dem Dünnfilm (6) als Maske wird unter Bedingungen, bei denen der Dünnfilm (4) angegriffen wird, geätzt. Ohne daß der Dünnfilm (6) vorher entfernt wird, werden die Verfahrensschritte ab dem Aufbringen eines Dünnfilms bis zu seinem Ätzen mit dem darüber befindlichen Dünnfilm als Maske mindestens einmal wiederholt, wobei bezüglich der Ätzeigenschaften der erste bei einer Wiederholung aufgebrachte Dünnfilm (14) dem letzten vor dieser Wiederholung aufgebrachten Dünnfilm (6) und der zweite bei einer Wiederholung aufgebrachte Dünnfilm (16) dem zweitletzten vor dieser Wiederholung aufgebrachten Dünnfilm (4) gleichen. Das Verfahren eignet sich zum Herstellen von Metallisierungsstrukturen mit Leiterzugmuttem in mehreren, leitend miteinander verbundenen, übereinanderliegenden Ebenen.
摘要翻译：在用于制造薄膜结构（2）的方法被施加，第一和第二薄膜（4,6），其在它们的蚀刻性不同，和对辐射敏感的（7）的基板上的抗蚀剂层。在涂料层（7）和在该薄膜（6）具有（9，10）中产生开口。与薄膜（6）作为掩膜，的条件下，其中所述薄膜（4）攻击进行蚀刻。如果没有，该薄膜（6）被预先除去，重复从薄膜的沉积工艺步骤直到他与上覆薄膜作为掩模蚀刻至少一次，相对于以重复的薄膜（14）的最后一个所施加的第一的蚀刻特性这种重复的薄膜（6）和所述第二以重复沉积的薄膜（16）之前施加，所述第二最后之前该重复薄膜（4）相同的应用。该方法适用于生产具有导体图案划分成多个彼此，叠加平面导电连接的金属化结构。

4. 发明授权

EP0043458B1 Process for forming a metallurgy interconnection system 失效
标题翻译：形成金属互连系统的过程
公开(公告)号：EP0043458B1
公开(公告)日：1984-06-06
申请号：EP81104439.5
申请日：1981-06-10
申请人： International Business Machines Corporation
发明人： Chang, Kenneth , Chiu, George Tein-Chu , Hoeg, Anthony John, Jr. , Lee, Linda Hwa-Chun
IPC分类号： G03F7/26 , H05K3/06 , H01L23/50
CPC分类号： G03F7/0035 , H05K3/0041 , H05K3/064 , H05K3/107 , H05K3/146 , H05K3/16 , H05K3/465 , H05K3/467 , H05K2201/0166 , H05K2201/0376 , H05K2201/09563 , H05K2203/0588 , H05K2203/0786 , H05K2203/095

5. 发明授权

EP0008359B1 Verfahren zum Herstellen einer Dünnfilmstruktur 失效
标题翻译：制造薄膜结构的方法
公开(公告)号：EP0008359B1
公开(公告)日：1982-07-28
申请号：EP79102450.8
申请日：1979-07-16
申请人： International Business Machines Corporation
发明人： Chang, Kenneth , Cosman, David Cecil , Gartner, Helmut Matthew , Hoeg Jr., Anthony John
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/90 , H01L21/308 , G03F7/02
CPC分类号： H01L21/32136 , G03F7/094 , H01L21/0332 , H01L21/32137 , H01L21/76802

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