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    • 5. 发明专利
    • Aufnahme und Authentifizierung einer digitalen Signatur
    • DE10296847B4
    • 2017-01-12
    • DE10296847
    • 2002-05-17
    • INTEL CORP
    • XU JIANPING
    • G06K11/00G06F3/043G06K9/00G07C9/00
    • Ein System zur Aufnahme und Authentifizierung einer digitalen Signatur, umfassend: einen ersten Ultraschallempfänger (120); einen zweiten Ultraschallempfänger (130), anbringbar auf einer Oberfläche in einem Abstand zu dem ersten Ultraschallempfänger (120); einen Empfänger höherer Frequenz; und einen Ultraschallstift (140), der eine drucksensitive Tintenkartusche aufweist, um Tinte auszugeben, und einen Drucksensor, an dem die Spitze des Stiftes angeschlossen ist, um ein Drucksignal zu erzeugen, wobei der Ultraschallstift (140) zum Übertragen des Drucksignals und zum Bereitstellen eines Zeitreferenzsignals an den Empfänger höherer Frequenz und zum Übertragen von Ultraschallenergie an den ersten und zweiten Ultraschallempfänger (120, 130) ausgeführt ist; einen Computer, der an den ersten und zweiten Ultraschallempfänger (120, 130) und den Empfänger höherer Frequenz angeschlossen ist, wobei der Computer ausgeführt ist zum Empfangen von Ankunftszeitdaten vom ersten und zweiten Ultraschallempfänger (120, 130), zum Empfangen von Drucksignalinformation vom Empfänger höherer Frequenz, zur Bestimmung eines Ortes des Ultraschallstiftes (140) im Vergleich zur Zeit, einer Geschwindigkeit des Ultraschallstiftes (140) im Vergleich zur Zeit und einer Beschleunigung des Ultraschallstiftes (140) im Vergleich zur Zeit, zum Verschlüsseln der Signaturform, des ausgeübten Druckes, der Beschleunigung, einer IP Adresse oder einer Telefonnummer und eines Zeitstempels in ein Paket und zum Senden des Paketes an einen Prozessor zum Vergleich mit einer Referenzsignatur, die Signaturform, ausgeübten Druck und Beschleunigung umfasst.
    • 10. 发明专利
    • Baugruppe und Verfahren für eine integrierte Schaltung mit mehreren Chips
    • DE102009030524B4
    • 2022-10-27
    • DE102009030524
    • 2009-06-25
    • INTEL CORP
    • SOMASEKHAR DINESHKARNIK TANAYXU JIANPINGYE YIBIN
    • H01L25/065
    • Vorrichtung, die umfasst:- einen Chip-Stapel mit einem ersten Chip (402) auf einem zweiten Chip (406), die über eine zwischen ihnen angeordnete Kopplungsstruktur (409) miteinander gekoppelt sind,• wobei der erste (402) und der zweite (406) Chip jeweils ein Substrat (403, 407) und mindestens eine erste, zweite und dritte Metallschicht (M1, M2, M3) aufweisen, die in dieser Reihenfolge auf das jeweilige Substrat (403, 407) aufgebracht sind, so dass die erste Metallschicht (M1) die dem jeweiligen Substrat (403, 407) nächstliegende Metallschicht der aufgebrachten Metallschichten (M1- M7) ist, gefolgt von der jeweiligen zweiten und dritten Metallschicht (M2, M3)• wobei der erste (402) und der zweite (406) Chip mit ihren Metallschichten (M1 - M7) einander gegenüberliegend gestapelt sind,• wobei der zweite Chip (406) ein Speicherchip mit einer Vielzahl von Speicherbänken (405) ist, die in Speicherbankabschnitte (417) unterteilt sind,• wobei die Speicherbankabschnitte (417) in entlang einer Achse (X-Achse) und parallel zueinander verlaufenden Reihen angeordnet sind und diese Reihen durch parallel zu dieser Achse (X-Achse) verlaufende reihenförmig angeordnete Freiräume (413) senkrecht zu dieser Richtung voneinander beabstandet sind,- eine Vielzahl von Through-Silicon-Vias (TSV, 411), die in Stapelrichtung durch das Substrat (407) des zweiten Chips (406) hindurchgehen, um Leistungsreferenzen an den ersten Chip (402) zu liefern,• wobei die erste Metallschicht (M1) des zweiten Chips (406) Kontaktflächen für die Through-Silicon-Vias (TSV, 411) umfasst,• wobei die zweite Metallschicht (M2) des zweiten Chips (406) parallel zueinander in Reihen verlaufende Metallleiter umfasst, die Through-Silicon-Vias (TSV, 411) gleicher Spannungsfunktionalität so miteinander verbinden, dass VSS-Kontakte in einer Reihe miteinander verbunden sind und VCC-Kontakte in einer Reihe miteinander verbunden sind,• wobei die dritte Metallschicht (M3) des zweiten Chips (406) unterschiedliche Speicherbankabschnitte (417) miteinander verbindet,• wobei die Through-Silicon-Vias (TSV, 411) in den parallel zueinander verlaufenden Freiräumen (413) zwischen den Speicherbankabschnitten (417) angeordnet und auf jeder Seite der Reihen der Speicherbankabschnitte (417) vorhanden sind, ohne mit ihnen zu überlappen.