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1. 发明申请

WO2005013352A2 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES HALBLEITERBAUELEMENTS MIT EINEM KUNSTSTOFFGEHÄUSE UND TRÄGERPLATTE ZUR DURCHFÜHRUNG DES VERFAHRENS 审中-公开
标题翻译：方法用于生产具有塑料外壳和载体板的半导体元件用于执行该方法
公开(公告)号：WO2005013352A2
公开(公告)日：2005-02-10
申请号：PCT/DE2004/001667
申请日：2004-07-27
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , FÜRGUT, Edward , KALIN, Thomas , VON KOBLINSKI, Carsten , WÖRNER, Holger
发明人： FÜRGUT, Edward , KALIN, Thomas , VON KOBLINSKI, Carsten , WÖRNER, Holger
IPC分类号： H01L21/56
CPC分类号： H01L21/6835 , H01L21/568 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/92 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/0101 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01052 , H01L2924/01057 , H01L2924/01068 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/09701 , H01L2924/3511 , H01L2224/96 , H01L2224/82 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit einem Kunststoffgehäuse, in dem zumindest ein Halbleiterchip angeordnet ist vorgestellt, das die folgenden Schritte aufweist: Bereitstellen eines Halbleiterwafers mit in Zeilen und Spalten angeordneten Halbleiterchips, die aktive Oberseiten und Rückseiten aufweisen, wobei die aktiven Oberseiten mit Kontaktflächen versehen sind; Trennen des Halbleiterwafers in einzelne Halbleiterchips; Bereitstellen einer Trägerplatte, die auf ihrer Oberseite mit einem thermosensitiven Klebstoff versehen ist; Bestücken dieser Trägerplatte mit den einzelnen Halbleiterchips, wobei die einzelnen Halbleiterchips mit ihren aktiven Oberseiten auf die Oberseite der Trägerplatte gebracht werden; Herstellen eines gemeinsamen Trägers aus Kunststoffgehäusemasse auf der Trägerplatte, wobei die Halbleiterchips in die Kunststoffgehäusemasse eingebettet werden; Entfernen der Trägerplatte durch Erwärmen des thermosensitiven Klebstoffs auf eine vorbestimmte definierte Temperatur, bei der das thermosensitive Klebstoff seine klebende Wirkung verliert.
摘要翻译：有一种半导体装置的制造具有塑料外壳，其中至少一个半导体芯片被布置呈现，包括以下步骤的方法：提供一个半导体晶片具有排列成行和列，其具有有源上侧和后侧的半导体芯片，有源顶侧与提供接触表面; 分离所述半导体晶片切割成各个半导体芯片; 提供载体板，其设置在其上侧具有热敏粘合剂; 装备表示，与各个半导体芯片载体片材中，各个半导体芯片被放置在与它的活性上侧承载板的顶部上; 从制造上的承载板，其中所述半导体芯片被嵌入到塑料壳体组合物塑料封装模塑料在共同的载体; 通过加热在预定限定的温度，其中，所述热敏粘合剂就失去其粘合效果的热敏粘合剂去除背板。

2. 发明申请

WO2017148873A1 COMPOSITE WAFER, SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRONIC COMPONENT AND METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
标题翻译：复合晶片，半导体装置，电子组件及制造半导体装置的方法
公开(公告)号：WO2017148873A1
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：PCT/EP2017/054530
申请日：2017-02-27
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人： FEIL, Thomas , GANITZER, Paul , LACKNER, Gerald , MUELLER, Jochen , POELZL, Martin , POLSTER, Tobias , VON KOBLINSKI, Carsten
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/56
摘要： In an embodiment, a method includes forming at least one trench in non-device regions of a first surface of a semiconductor wafer, the non-device regions being arranged between component positions, the component positions including device regions and a first metallization structure, applying a first polymer layer to the first surface of a semiconductor wafer such that the trenches and edge regions of the component positions are covered with the first polymer layer and such that at least a portion of the first metallization structure is uncovered by the first polymer layer, removing portions of a second surface of the semiconductor wafer, the second surface opposing the first surface, revealing portions of the first polymer layer in the non-device regions and producing a worked second surface and inserting a separation line through the first polymer layer in the non-device regions to form a plurality of separate semiconductor dies.
摘要翻译：在一个实施例中，一种方法包括在半导体晶片的第一表面的非器件区中形成至少一个沟槽，所述非器件区布置在部件位置之间，所述部件位置包括器件区域和第一金属化结构，将第一聚合物层施加到半导体晶片的第一表面，使得部件位置的沟槽和边缘区域被第一聚合物层覆盖并且使得第一金属化结构的至少一部分没有被第一聚合物层覆盖，除去半导体晶片的第二表面的一部分，第二表面与第一表面相对，在非器件区域中露出第一聚合物层的部分并且产生工作的第二表面并且将分离穿过非器件区域中的第一聚合物层以形成多个单独的半导体管芯。

3. 发明公开

EP3823016A1 SEMICONDUCTOR PACKAGE WITH A SEMICONDUCTOR DIE 审中-公开
公开(公告)号：EP3823016A1
公开(公告)日：2021-05-19
申请号：EP19208697.3
申请日：2019-11-12
申请人： Infineon Technologies AG
发明人： GRUBER, Christian , BERNARD, Benjamin , POLSTER, Tobias , VON KOBLINSKI, Carsten
IPC分类号： H01L23/31
摘要： A semiconductor device includes a semiconductor die comprising a front side surface, a backside surface opposite the front side surface and side faces. A backside metallization layer is deposited over the backside surface and projects laterally outwards beyond the side faces. A side face protection layer covers the side faces.

4. 发明公开

EP3424077A1 COMPOSITE WAFER, SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRONIC COMPONENT AND METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
公开(公告)号：EP3424077A1
公开(公告)日：2019-01-09
申请号：EP17710145.8
申请日：2017-02-27
申请人： Infineon Technologies AG
发明人： FEIL, Thomas , GANITZER, Paul , LACKNER, Gerald , MUELLER, Jochen , POELZL, Martin , POLSTER, Tobias , VON KOBLINSKI, Carsten
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/56

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