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1. 发明专利

DE112012005912T5 Energiespeichergerät, Verfahren der Herstellung desselben und mobiles Elektronikgerät, dasselbe enthaltend 未知
公开(公告)号：DE112012005912T5
公开(公告)日：2014-12-04
申请号：DE112012005912
申请日：2012-02-21
申请人： INTEL CORP
发明人： PINT CARY L , CHEN ZHAOHUI , LIU YANG , GUSTAFSON JOHN L , GARDNER DONALD S , ALDRIDGE TOMM V , HOLZWARTH CHARLES W , JIN WEI C
IPC分类号： H01G11/26 , H01G11/30 , H01G11/52 , H01M4/13
摘要： Ein Energiespeichergerät beinhaltet einen mittleren Teil (610), der eine Vielzahl doppelseitiger, poröser Strukturen (500) enthält, von denen jede mehrere Kanäle (511) in zwei entgegengesetzten Flächen (515, 525) davon enthält, einem oberen Bereich (620), der eine einseitige, poröse Struktur (621) enthält, die mehrere Kanäle (622) in einer Fläche (625) davon enthält, und einen unteren Bereich (630), der eine einseitige, poröse Struktur (631) umfasst, die mehrere Kanäle (632) in einer Fläche davon enthält (635).

2. 发明专利

DE112011106043T5 Herstellung von elektrochemischen Kondensatoren mit porösem Silicium 未知
公开(公告)号：DE112011106043T5
公开(公告)日：2014-09-18
申请号：DE112011106043
申请日：2011-12-27
申请人： INTEL CORP
发明人： GARDNER DONALD S , HOLZWARTH CHARLES W , CHEN ZHAOHUI , PINT CARY L , JIN WEI , LIU YANG , HANNAH ERIC C , GUSTAFSON JOHN L
IPC分类号： H01G4/005
摘要： Es werden Verfahren zum Bilden mikroelektronischer Strukturen beschrieben. Ausführungsformen dieser Verfahren können das Bilden einer elektrochemischen Kondensatorvorrichtung durch Bilden von Poren in Siliciummaterialien geringer Reinheit umfassen. Verschiedene hierin beschriebene Ausführungsformen ermöglichen die Herstellung von Vorrichtungen hoher Kapazität unter Anwendung von preisgünstigen Techniken.

3. 发明申请

WO2014131059A8 ENERGY CONVERSION AND STORAGE DEVICE AND MOBILE ELECTRONIC DEVICE CONTAINING SAME 审中-公开
标题翻译：能量转换和存储设备及包含其的移动电子设备
公开(公告)号：WO2014131059A8
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：PCT/US2014018913
申请日：2014-02-27
申请人： INTEL CORP , GARDNER DONALD S , PINT CARY L
发明人： GARDNER DONALD S , PINT CARY L
IPC分类号： H01G9/042 , H01G9/00
CPC分类号： H01G11/26 , H01G9/20 , H01L31/053 , H02S40/38 , Y02E10/50 , Y02E60/13
摘要： An energy conversion and storage device includes an energy storage component (530, 601) including a first electrode (611) having a first plurality of channels (612) formed in a first region (615) of a first material (617), a second electrode (621) adjacent to but electrically isolated from the first electrode and having a second plurality of channels (622) formed in a first region (625) of a second material (627), and an electrolyte (650) within the first and second pluralities of channels. The first electrode forms a first interface (619) with the electrolyte and the second electrode forms a second interface (629) with the electrolyte. The energy conversion and storage device further includes a photovoltaic component (520, 602) formed in a second region of the first material.
摘要翻译：能量转换和存储装置包括能量存储部件（530,601），其包括第一电极（611），该第一电极具有形成在第一材料（617）的第一区域（615）中的第一多个通道（612），第二电极电极（621），其与第一电极相邻但电隔离并且具有形成在第二材料（627）的第一区域（625）中的第二多个通道（622），以及在第一和第二电极多个频道第一电极与电解质形成第一界面（619），第二电极与电解质形成第二界面（629）。能量转换和存储装置还包括形成在第一材料的第二区域中的光伏组件（520,602）。

4. 发明专利

DE112013006301T5 Nanostrukturierte Elektrolytenergiespeichereinrichtungen 未知
公开(公告)号：DE112013006301T5
公开(公告)日：2015-09-17
申请号：DE112013006301
申请日：2013-06-24
申请人： INTEL CORP
发明人： HOLZWARTH CHARLES W , CHEN ZHAOHUI , GARDNER DONALD S , MOON BUM KI , PINT CARY L , CLENDENNING SCOTT B
IPC分类号： H01G4/005
摘要： Energiespeichereinrichtung ein erstes nanostrukturiertes Substrat mit einer leitenden Schicht und einer auf der leitenden Schicht ausgebildeten Dielektrikumsschicht enthalten. Ein zweites nanostrukturiertes Substrat enthält eine weitere leitende Schicht. Ein Separator trennt das erste und zweite nanostrukturierte Substrat und gestattet, dass Ionen eines Elektrolyten durch den Separator hindurchtreten. Die Struktur kann ein nanostrukturierter Elektrolytkondensator sein, wobei das erste nanostrukturierte Substrat eine positive Elektrode bildet und das zweite nanostrukturierte Substrat eine negative Elektrode des Kondensators bildet.

5. 发明公开

EP2748829A4 ENERGY STORAGE DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING SAME, AND MOBILE ELECTRONIC DEVICE CONTAINING SAME 审中-公开
标题翻译：储能装置，工艺用于生产和移动电子设备
公开(公告)号：EP2748829A4
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：EP13837601
申请日：2013-06-28
申请人： INTEL CORP
发明人： GARDNER DONALD S , JIN WEI , CHEN ZHAOHUI , HOLZWARTH CHARLES W , PINT CARY L , MOON BUM KI
IPC分类号： H01G4/005 , H01G11/26
CPC分类号： H01G11/26 , H01G9/0029 , H01G11/04 , H01G11/30 , H01G11/86 , H01L28/82 , Y02E60/13 , Y10T29/417
摘要： An energy storage device includes a first electrode (110, 510) including a first plurality of channels (111, 512) that contain a first electrolyte (150, 514) and a second electrode (120, 520) including a second plurality of channels (121, 522) that contain a second electrolyte (524). The first electrode has a first surface (115, 511) and the second electrode has a second surface (125, 521). At least one of the first and second electrodes is a porous silicon electrode, and at least one of the first and second surfaces comprises a passivating layer (535).

6. 发明专利

GB2523922A Nanostructured electrolytic energy storage devices 未知
公开(公告)号：GB2523922A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：GB201508776
申请日：2013-06-24
申请人： INTEL CORP
发明人： CHEN ZHAOHUI , GARDNER DONALD S , MOON BUM KI , HOLZWARTH CHARLES W , PINT CARY L , CLENDENNING SCOTT B
IPC分类号： H01G11/24 , G11C13/00
摘要： In one embodiment, a structure for an energy storage device may include a first nanostructured substrate having a conductive layer and a dielectric layer formed on the conductive layer. A second nanostructured substrate includes another conductive layer. A separator separates the first and second nanostructured substrates and allows ions of an electrolyte to pass through the separator. The structure may be a nanostructured electrolytic capacitor with the first nanostructured substrate forming a positive electrode and the second nanostructured substrate forming a negative electrode of the capacitor.

7. 发明专利

IN3385CHN2014A FABRICATION OF POROUS SILICON ELECTROCHEMICAL CAPACITORS 未知
公开(公告)号：IN3385CHN2014A
公开(公告)日：2015-07-03
申请号：IN3385CHN2014
申请日：2014-05-05
申请人： INTEL CORP
发明人： GARDNER DONALD S , PINT CARY L , HOLZWARTH CHARLES W , JIN WEI , CHEN ZHAOHUI , LIU YANG , HANNAH ERIC C , GUSTAFSON JOHN L
IPC分类号： H01G4/005
摘要： Methods of forming microelectronic structures are described. Embodiments of those methods may include forming an electrochemical capacitor device by forming pores in low purity silicon materials. Various embodiments described herein enable the fabrication of high capacitive devices using low cost techniques.

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